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1.
Y2O3涂层的MOCVD法制备工艺
付正
张立同
成来飞
龚磊
何国梅
罗立志
夏海平
《航空制造技术》
2007,(Z1)
采用MOCVD法,通过金属有机先驱体Y(TMHD)3与O2反应在石英或CVD-SiC基片上制备Y2O3涂层,探索了制备工艺对沉积结果的影响.结果表明,先驱体气相浓度对Y2O3涂层生长方式和涂层与基片的结合强度有很大影响;沉积温度在600℃~700℃范围内,随着温度的升高涂层致密度提高,空洞缺陷减少.
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