TiO_2薄膜的制备及其光催化性能的研究

采用溶胶-凝胶法制备了TiO2薄膜,以10mg/L甲基橙为目标降解物,研究了焙烧温度、镀膜层数、紫外线光照时间对TiO2薄膜光催化性能的影响.实验结果表明,焙烧温度为500℃,镀膜层数为三层所制得TiO2薄膜光催化活性最好,并且具有稳定、持续的降解效果.     

离子束辅助沉积WS_2-Ti-Ag复合薄膜的摩擦性能

采用ZDH-100型号离子束复合沉积设备沉积WS_2-Ti-Ag复合薄膜,基材为轴承钢和单晶硅(100).采用场发射扫描电子显微镜、XRD衍射仪,检测复合薄膜的表面形貌、微观结构.采用球-盘式摩擦磨损试验机,对复合薄膜在大气环境中的摩擦性能进行了研究.结果表明:采用离子束辅助沉积技术制备的WS_2-Ti-Ag复合薄膜是非晶态薄膜;并且随法向载荷的增加,复合薄膜的摩擦因数减小,摩擦状态越稳定,耐磨寿命越短.     

La0．9Ba0．1MnO3—δ薄膜的结构及物性研究

通过射频磁控溅射法在Si(100)基片上沉积了La0.9 Ba0.1MnO3-δ(IJBMO)薄膜,并得到在不同温度下退火后的薄膜.采用X射线衍射(XRD),扫描隧道显微镜(STM),X射线光电子能谱(XPS),四探针法等手段对退火后薄膜的结构、微结构、表面化学态、磁电阻等性质进行了系统研究,结果表明,薄膜在800～850℃温度范围内退火,形成单相结构且晶粒与基片之间存在着相对固定的外延关系.退火温度不同会引起薄膜中含氧量的不同.在温度为300K,磁场为1.5T的条件下,退火温度为850℃的薄膜样品磁电阻可高达30%.     

VAISALA温湿度传感器工作原理及校准

引言 HMP45D温湿传感器是芬兰VAISALA公司开发的具有HUMICAP技术的新一代聚合物薄膜电容传感器。目前成都双流国际机场自动气象站均采用该传感器。,由于该传感器会与空气中的灰尘和化学物质接触,其各种参数会随使用时间的延长、温度改变和一些人为因素而产生变化,因此传感器需进行定期维护和校准,特别是在经历了“5．12”地震的双流机场。     

红外可见兼容隐身薄膜的制备与性能

采用多弧离子镀制备了多彩Al/TiNO(掺氮TiO2)薄膜,利用SEM观察了薄膜的表面、断面形貌,并测量了其膜厚.采用XRD研究了薄膜的相结构.利用紫外一可见分光光度计研究了TiNO膜的可见光谱特性,用红外比辐射率测量仪测量了样品的红外发射率.结果表明:在不改变Al箔在8～14 um波段低红外发射率的情况下,实现了其物理着色.所得薄膜为锐钛矿型TiO2结构,薄膜表面平整、致密,结合力较好.TiNO薄膜呈明显柱状生长,薄膜试样表面未出现明显缺陷,薄膜表面致密,柱状颗粒生长完好.TiNO薄膜的沉积速率达120 nm/min.     

低红外发射率迷彩填料的制备及光谱特性

采用化学液相沉淀法获得了具有核层结构的 Al/ SiO2/Fe2O3颜料,在基本不改变Al粉在8～14靘波段红外发射率的情况下,实现了片状Al粉的物理着色.分析了正硅酸乙酯(TEOS)水解一缩聚反应及氯化铁水解反应机理,并以此制备了Al/SiO2/Fe2O3三层结构的复合粒子,研究了包覆的工艺条件.通过扫描电镜、能谱、X射线衍射、紫外-可见光吸收谱等方法对包膜后的片状Al粉粒子进行了分析与表征.实验结果表明,通过液相沉积法在Al粉表面成功包覆了SiO2/Fe2O3薄膜,得到了低红外发射率的迷彩Al粉颜料.     

一种用于电子薄膜导热系数和发射率测量的实验方案

薄膜传热性能对微电子设备的传热能力及其性能和可靠性有重大影响,测量薄膜的热物性参数并进一步研究其影响因素,可为微电子电路的设计和发展提供科学依据。评述了薄膜导热系数测量和研究的现状,在此基础上提出了一种新的能同时测量衬底薄膜导热系数和发射率的实验方案,并通过建立衬底薄膜试样传热的数学模型和分析推导,论证了该实验方案的可行性。本实验方案可推广应用于确定淀积在衬底薄膜上各种极小厚度薄膜的导热系数和发射率。     

国外隐身材料研究进展

简单回顾了从二次世界大战至今几十年间,国外隐身材料的发展历程;系统综述了国外在陶瓷材料,导电高分子材料,晶须材料,纳米材料,手征材料等新型隐身材料研究方面所取得的进展,从耐高温隐身材料,智能隐身材料,等离子体隐身三个方面入手,重点介绍了国外近年来在隐身材料领域的最新进展;并且指出了隐身技术未来的发展方向。     

过滤式阴极电弧沉积类金刚石薄膜的特性分析

利用自行研制的过滤式阴极电弧沉积装置,在硅片和高速钢基体材料上获得了类金刚石薄膜,分别采用扫描电镜、原子力显微镜、喇曼光谱以及磨损实验等手段对薄膜进行了分析研究。结果表明,所获得的类金刚石薄膜为非晶态,sp3含量最高达70%;基体材料对成膜质量影响较大,在硅片上薄膜的摩擦系数可达0.08;同时偏压的变化会引起喇曼谱线中D峰和G峰位置向低频移动,半高宽σG增大、σD减小。     

离散气膜孔下游边界层的实验研究

“Ｘ”型热线测量了离散气膜孔下游边界层内的湍流量,将热线探头绕轴转三个角方位以感受三维湍流场信息。结果表明,边界层内湍动能分布呈反“Ｓ”形,吹风比和孔排数对参数分布有重要影响,这种影响在很长距离上不消失,所以,常用的ｋ－ε模型不经修正不能正确预计这类边界层的发展。