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11.
从苏联发射卫星开始,东德的洛伊施特累利次天文台就对卫星进行观测。1969年10月14日发射的第一颗“国际宇宙”卫星上,安装了东德科学院电子研究所研制的仪器,这种仪器用于研究太阳短波辐射。后来,东德科学家为“国际宇宙—4、6、7、11、16卫星”研制了光度计、电子和电源部件、无线  相似文献   
12.
多孔层板换热特性实验研究   总被引:2,自引:3,他引:2  
本实验选取了一种典型结构的多孔层板作为研究对象 ,进行了换热特性实验研究。研究了改变冷热气流吹风比对该型层板冷却效果的影响。另外 ,对该型多孔层板的冷却效果沿中轴线顺气流方向的变化规律也作了深入的研究。并给出了层板局部 N ux 和冷却效果 E关于局部 Rex 及冷热气流吹风比 M的数学拟合表达式。  相似文献   
13.
设计制备了与1Cr17和0Cr18Ni9不锈钢匹配的CaO-Al2O3-SiO2(CAS)系和BaO-Al2O3-SiO2(BAS)系微晶玻璃,研究了微晶玻璃的各项理化性能。利用流延法制备微晶玻璃生带,以此制备符合曲面不锈钢/微晶玻璃层状复合材料,并对复合材料相关性能进行测试。结果表明,所设计制备的玻璃经850℃、30min热处理后可形成线胀系数与对应不锈钢匹配的微晶玻璃,且具有适宜弯曲强度和较低介电常数、介质损耗;由此制备的曲面不锈钢/微晶玻璃层状复合材料具有良好的绝缘性能、结合强度和抗热冲击性能。  相似文献   
14.
论述了航空电子系统的发展,机载电子设备支援系统和航空电子设备地面支援系统;描述了航空电子设备支援系统的关键环节─备件保障。最后探讨了航空电子系统技术的发展─开放式系统结构(OSA)和COTS对航空电子设备支援系统的影响。  相似文献   
15.
面对我国近几年出现的温和通货膨胀,提高存贷款利率可以说是一种解决这一问题的有效方法,为此选取了1990年至2004年的数据,对存贷款利率与通货膨胀的关系、存贷款利率与狭义货币和固定资产投资的关系,以及狭义货币和固定资产投资与通货膨胀的关系进行了实证分析。得出,存贷款利率的提高确实可以缓解通货膨胀的压力,但是调整幅度不宜过大。  相似文献   
16.
复杂形体面片缠绕成型方法的分析与实现   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
通过对复杂形体缠绕成型方法的分析,提出了面片缠绕的思想;同时针对缠绕过程中可能存在的架空问题提出了一套可行的判定准则和解决方案。以面片缠绕理论为基础,针对飞机发动机进气道缠绕成型,编制缠绕控制程序并进行相应的实验,验证了面片缠绕方法的实用性,为航空航天高性能构件的缠绕成型探索了一条新的途径。  相似文献   
17.
双钟型喷管高度补偿特性的数值分析   总被引:1,自引:2,他引:1       下载免费PDF全文
针对双钟型喷管流场中存在的激波、激波与附面层相互作用、大尺度分离流动等复杂的物理现象,应用RNGκ-ε湍流模型封闭二维粘性可压缩N-S方程组,采用二阶迎风格式及隐式Gauss-Seidel迭代方法进行耦合求解,对双钟型喷管流场进行数值模拟研究。结果表明,双钟型喷管在低空出现壁面可控流动分离,避免了过膨胀现象,性能优于大面积比钟型喷管;在高空下为完全附着流动,性能优于小面积比钟型喷管,实现了高度补偿特性。  相似文献   
18.
多层喷射沉积制备大尺寸耐热铝合金管坯的研究   总被引:2,自引:1,他引:2       下载免费PDF全文
采用多层喷射沉积工艺制备出了尺寸为Ф630 mm×250 mm×800 mm且质量较好的FVS0812耐热铝合金管坯,通过挤压获得了性能优良的大直径管材,并对管坯和挤压后管材的力学性能和微观结构进行了检测和分析.分析结果表明,多层喷射沉积制坯过程中,熔滴在沉积面的冷却速度约3.2×104 K@s-1~106K@s-1,熔滴凝固后在沉积坯中形成微细晶粒结构(200 nm~500 nm)和弥散分布的纳米析出相Al12(Fe,V)3Si(20nm~60 nm),使得沉积坯挤压致密后具有优异的性能.  相似文献   
19.
小推力姿/轨控液体火箭发动机材料的研究进展   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
概述了国内外小推力姿/轨控液体火箭发动机新材料的研究和应用进展。姿/轨控液体火箭发动机推力室已从高性能铌/硅化物材料体系向复合材料推力室技术发展,研制出耐高温性能更好的新型材料体系和高温抗氧化涂层,以及将它们应用于发动机推力室的制造是提高姿/轨控发动机技术水平的有效途径。  相似文献   
20.
研究了采用化学气相反应法制备的SiC抗氧化涂层对3D整体编织C/C复合材料的密度、力学性能以及微观结构的影响。结果表明,3D C/C复合材料经抗氧化处理后,其密度、开孔率以及力学性能均有不同程度的提高。由SEM微观结构可以看出,其力学性能提高是由于气态Si渗入到材料基体内部,并与内部的C反应生成SiC,在一定程度上弥合了材料中的缺陷所致。  相似文献   
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