CVD-Si3N4陶瓷及其复合材料氧化行为研究进展

概述了CVD—Si3N4陶瓷及其复合材料在干燥氧气下的氧化行为。Si3N4陶瓷在高温下氧化时，除生成SiO2保护膜外，还生成一薄层比SiO2膜更优异的氧气扩散阻挡层(Si—O—N化合物层)，该层具有优异的抗氧化性能。介绍了两种氧化机制模型，同时分析了温度、杂质等对CVD—Si3N4陶瓷氧化行为的影响。     

CVD过程中温度对SiC涂层沉积速率及组织结构的影响

以CH3SiCl3 H2体系在1000～1300℃沉积了SiC涂层,研究了温度对涂层沉积速率的影响,应用自发形核理论解释了不同沉积温度下CVDSiC涂层的组织结构。结果表明,随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的沉积速率相应增大;1000～1200℃沉积过程为化学动力学控制过程,1200～1300℃沉积过程为质量转移控制,1000℃和1100℃沉积的SiC涂层表面光滑、致密;1200℃和1300℃沉积的SiC涂层表面粗糙、多孔;随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的晶体结构趋于完整,当温度超过1150℃时,涂层中除β SiC外还出现了少量α SiC。     

SHS法制备硼化物陶瓷粉体的表征分析

采用自蔓延高温还原合成方法制备TiB2,TiB2-Al2O3和ZrB2-Al2O3陶瓷粉末.利用XRD,XPS,SEM以及TEM等分析测试手段对合成粉末进行表征和分析.结果表明,TiB2,ZrB2和Al2O3分别以主晶相的形式存在于所合成的各自粉体之中.相比之下,TiB2单相陶瓷粉末颗粒分布较宽.由于自蔓延高温合成(SHS)温度很高,部分颗粒形成团聚,宏观上使颗粒的平均粒径变大(＞5μm);而TiB2-Al2O3和ZrB2-Al2O3复合陶瓷粉末,因合成过程中Al2O3的形成,使得颗粒粒度分布明显变窄,分布均匀,颗粒尺寸也相应减小.分析认为这主要与复合粉末合成过程中,不同颗粒间形成良好结合的界面有关.     

C/C复合材料1 800℃抗氧化涂层探索研究

提出并制备了可以应用于1 800℃的抗氧化涂层体系,固渗法制备SiC内层,料浆涂刷法制备高温氧化物釉层和硼硅化物釉层.经扫描电镜分析涂层形貌及电子能谱分析其组成,发现C/C复合材料基材结构完整,没有发生次表面氧化.试验结果表明氧乙炔焰烧蚀20 s后,失重为0.06%;1 800℃自然对流氧化试验条件下,氧化物釉层30 min的平均失重速率为0.06g/(m2·s);硼硅化物釉层60min的平均失重速率为0.2g/(m2·s).说明涂层体系在1 800℃具有良好的抗氧化能力.     

高温天线罩材料研究进展

对目前主要几种高温天线罩材料体系，包括氧化铝陶瓷、石英陶瓷、微晶玻璃、纤维增强二氧化硅基复合材料、纤维增强磷酸盐基复合材料以及硅氧氮陶瓷材料的研究发展和应用情况进行了简要的综述。     

束丝SiC纤维增强铝复合材料界面TEM研究

利用透射电镜 (TEM )对由几种不同方法制备的束丝SiC纤维增强铝复合材料 (包括超声液相浸渗法制备的复合丝、由复合丝热压得到的板材以及由真空液相压渗法制备的板材等 )的界面微观特征进行了研究 ,结果显示 ,制造态及 5 5 0℃× 1h热暴露条件下复合材料没有发生界面反应 ,在 6 5 0℃× 1h热暴露条件下有厚度 10 0～2 0 0nm的界面反应区。该研究表明 ,SiC/Al复合材料在制备工艺条件下具有有良好的界面化学相容性     

先驱体转化法制备SiC／Si_3N_4复相陶瓷异型件──成型工艺研究

研究了以先驱体为粘合剂制备ＳＩＣ／Ｓｔ３Ｎ４复相陶瓷异型件的成型工艺，以及各成型工艺参数对后续烧成、烧结工艺和制品性能的影响。     

晶须增韧陶瓷基复合材料的增韧机理及其影响因素

晶须增韧陶瓷基复合材料是改善陶瓷脆性的有效措施，近年来引起国内外学者高度重视，成为高技术陶瓷研究开发的一个前沿领域，进展也很迅速。本文介绍了晶须增韧陶瓷基复合材料的增韧机理，晶须与基体材料复合时应考虑的主要问题，影响增韧效果的主要因素，并提出了今后的一些研究课题，从而对晶须增韧陶瓷基复合材料的增韧机理有更进一步的认识。     

用聚合物裂解制造Si3N4或Si3N4—SiC陶瓷材料

本文对国外用聚硅氮烷或其它聚合物裂解制造Ｓｉ３Ｎ４，Ｓｉ３Ｎ４－ＳｉＣ陶瓷材料的研究进行了扼要的综述，着重介绍了聚硅氮烷的制造方法，并展望了其应用前景。     

添加剂对聚碳硅烷热解制备的SiC/SiC复合材料性能的影响

本文就用添加剂来改善用聚碳硅烷热解制备的SiC/SiC复合材料的性能,及添加剂对SiC/SiC复合材料性能的影响进行了初步的探讨,对用热解法制备SiC/SiC复合材料的烧成增强机制和显微结构与强度之间的关系也作了研究。