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袁武华%徐海洋%夏伟军%陈振华 《宇航材料工艺》2001,31(6):51-54
采用多层喷射沉积工艺制备出了尺寸为Ф630 mm×250 mm×800 mm且质量较好的FVS0812耐热铝合金管坯,通过挤压获得了性能优良的大直径管材,并对管坯和挤压后管材的力学性能和微观结构进行了检测和分析.分析结果表明,多层喷射沉积制坯过程中,熔滴在沉积面的冷却速度约3.2×104 K@s-1~106K@s-1,熔滴凝固后在沉积坯中形成微细晶粒结构(200 nm~500 nm)和弥散分布的纳米析出相Al12(Fe,V)3Si(20nm~60 nm),使得沉积坯挤压致密后具有优异的性能. 相似文献
44.
分析了我国航空电连接器标准的现状和应用情况,指出了我国航空电连接器标准体系中存在的问题,并对我国航空电连接器标准制修订工作和体系建设工作提出了几点建议。 相似文献
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武迪蒙%曾科%唐文睿%杨刚 《宇航材料工艺》2007,37(2):17-21
合成了三种AB型聚酰亚胺单体:4-(4-氨基苯氧基)邻苯二甲酸(单体4),4-(3-氨基苯氧基)邻苯二甲酸(单体7)和对(间)乙基4-(3-氨基苯氧基)邻苯二甲酸酯(单体8或9)。利用热失重分析(TGA)对比研究了这三种AB型聚酰亚胺单体的热行为。结果表明,单体4、单体7和单体8(9)在升温的过程中能发生热聚合生成聚酰亚胺。将单体4用于气相沉积聚合设备,得到了均匀透明的聚酰亚胺薄膜。对分子结构的修饰使单体8(9)较之单体7有更好的挥发性。 相似文献
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研究了制备工艺对微波等离子体CVD金刚石成膜质量的影响。详细讨论了基片在等离子体中的位置、基片台结构、N2等离子体预处理及启动条件对金刚石成膜均匀性的影响。提出了能获得均匀金刚石膜的制备工艺程序。 相似文献
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以CH3SiCl3 H2体系在1000~1300℃沉积了SiC涂层,研究了温度对涂层沉积速率的影响,应用自发形核理论解释了不同沉积温度下CVDSiC涂层的组织结构。结果表明,随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的沉积速率相应增大;1000~1200℃沉积过程为化学动力学控制过程,1200~1300℃沉积过程为质量转移控制,1000℃和1100℃沉积的SiC涂层表面光滑、致密;1200℃和1300℃沉积的SiC涂层表面粗糙、多孔;随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的晶体结构趋于完整,当温度超过1150℃时,涂层中除β SiC外还出现了少量α SiC。 相似文献
48.
介绍了微纳米技术的基本含义和国内外主要进展,讨论了该技术在航天技术领域的应用情况和发展趋势,提出了我国发展该项技术重视的主要问题。 相似文献
49.
采用电子束物理气相沉积方法制备热障涂层,对其在热循环过程中陶瓷层产生的裂纹进行了观察。结果表明,陶瓷层中的裂纹起源于陶瓷层与金属粘结层的界面处,该处存在着不同于界面其他处的氧化物。应力计算结果表明,陶瓷层中产生的微裂纹不仅仅是陶瓷/金属界面间的热应力所致,还与产生的氧化物的种类有着密切的关系。 相似文献
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