CMOS相机在微小卫星上的应用

文章主要介绍了CMOS探测器件相对于CCD器件的优点，讨论了CMOS焦平面的的设计方案，最后给出了CMOS相机的实验室成像结果和外景成像结果。     

一种新型通用经纬仪检定装置设计

新型通用经纬仪检定装置针对平行光管结构进行了重新优化设计,具有提供瞄准目标、光电自准直和图像采集及处理三大功能.基于图像采集与处理的关键技术,通过CMOS相机光学成像系统实现分划板图像采集,利用图像处理软件解算出特征图像的中心位置,得到被测经纬仪光轴与目标光管光轴的夹角或者自准直的失准值,最终达到用图像识别和软件处理取...     

地面数字电视基带调制器芯片电源网络设计

对IR-drop和EM现象进行了解释和分析,结合地面数字电视基带调制器芯片的设计,将标准单元区域简化为电源电阻网络进行建模,根据模型计算出最大电压降,在保证最大电压降区域能够正常工作的基础上,简单有效地设计了标准单元模块区域的电源网络,最后在考虑到宏模块电源环压降的前提下,将宏模块区域转化成标准单元区域进行建模,完成了整个芯片的电源网络设计.此方法运用于早期布局,确保电源分配的可靠性,提高设计效率,通过地面数字电视多媒体广播的全模式发射端芯片的流片成功和功能的实现,证明了该方法的实用性和有效性.     

印刷电路板PCB信号完整性的分析

随着集成电路输出开关速度的提高及PCB板密度增加,信号完整性设计已经成为高速PCB设计需要解决的重要问题.本文主要讨论信号完整性的三个主要方面:单一网络的信号反射;多网络间的串扰;电源和地分配系统的噪声问题.     

三相陀螺电机电压有效值的测量系统设计

为了保证三相陀螺电机能够正常工作,需要对其交流驱动信号的有效值进行检测。分析了非正弦周期信号电压有效值的测量原理,介绍了一种基于C8051F020单片机的三相陀螺电机电压有效值的自动测试系统。该系统包括电压有效值转换电路、单片机控制的数据采集电路、液晶显示单元、报警输出单元等。该系统已经成功应用于三相陀螺电机的驱动信号检测中。     

高效AVS环路滤波器结构设计

为满足AVS高清视频实时解码要求,提高环路滤波处理速度,提出了一种高效的AVS去块效应环路滤波的实用结构.将8×8块进一步分割为4×4块进行滤波运算.通过优化滤波顺序,将需要滤波的4×4块边界尽量集中,在读写数据的同时进行滤波操作,提高流水处理的效率和数据的利用率,从而有效地减少了滤波处理总的时钟数.实验结果显示,处理一个宏块只需要196个周期,相对于目前AVS环路滤波设计,速度提高50%.在100MHz工作频率下,能够支持AVS高清视频的实时解码滤波处理.     

航天微系统技术综述

航天微系统技术包括专用集成电路(ASIC)、片上系统(SoC)、单片微波集成电路(MMIC)、混合集成电路(HIC)等微电子技术和微机电系统(MEMS)。文章介绍了这几种技术的特点、发展现状,以及在航天中的应用情况和应用前景。ASIC与SoC技术可显著提高电子系统的集成度和性能,已在航天中得到广泛应用。MMIC技术可用于航天器通信载荷和平台的射频通信部件,已在欧美航天器中大量应用,目前正朝高频段发展。HIC主要包括厚膜HIC和薄膜HIC,特别适于功率器件和微波器件的集成,目前国外已有大量产品用于航天,如"国际空间站"(ISS)。MEMS技术可用于航天器导航、热控、推进、光学遥感与通信等系统,甚至可对航天器设计方法产生重要影响,但目前还处于起步阶段。在以上技术领域,我国虽已开展了一些研究,但与国外相比还存在较大差距。文章针对航天微系统技术的产业布局、发展方式等提出了建议,可为我国的发展规划和战略决策提供参考。     

CMOS器件单粒子效应电荷收集机理

针对90 nm CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）工艺,采用三维数值模拟方法,研究了反相器中NMOS（Negative channel-Metal-Oxide-Semiconductor）晶体管与PMOS（Positive channel-Metal-Oxide-Semiconductor）晶体管的单粒子瞬变（SET,Single Event Transient）电流脉冲,深入分析了PMOSFET（Positive channel-Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）与NMOSFET（Negative channel-Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）发生单粒子效应时电荷输运过程和电荷收集机理.研究结果表明,由于电路耦合作用,反相器中晶体管的电荷收集与单个晶体管差异显著;反相器中PMOS晶体管电荷收集过程中存在寄生双极放大效应,NMOS晶体管中不存在寄生双极放大效应;由于双极放大效应,90 nm工艺下PMOS晶体管产生的SET电压脉冲比NMOS晶体管产生的电压脉冲持续时间更长,进而导致PMOS晶体管的SET效应更加敏感.研究结果为数字电路SET的精确建模、进行大规模集成电路SET效应模拟提供了参考依据.