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低压CMOS折叠共源共栅混频器的设计 总被引:1,自引:1,他引:0
基于SMIC 0.18μmCMOS工艺,采用一种折叠共源共栅结构,设计实现了一种低压CMOS折叠共源共栅混频器,解决了传统Gilbert混频器中跨导级与开关级堆叠带来的高电源电压问题,以及在跨导级的高跨导、高线性与开关级的低噪声间进行折衷设计的难题.该混频器核心电路尺寸为165μm×75μm,当射频信号、本振信号和中频信号分别为1575.42MHz、1570MHz和5.42MHz时,仿真表明:该混频器转换增益( GC )为15dB,双边带噪声系数为12.5dB,输入三阶截断点为-0.4dBm,在1.2V的电源电压条件下,功耗为3.8mW,可用于航空航天领域的电子系统中. 相似文献
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总结了毫米波混合集成电路的工艺技术。讨论了影响电路性能的关键工艺因素,优化了工艺条件,确定了最佳的工艺参数,从而研制成功了多种毫米波混合集成电路组件,为整机系统国产化及小批量生产创造了条件。 相似文献
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对半导体集成电路的国家标准、国家军用标准、“七专”技术条件和有关用户技术协议进行了对比分析,阐述了各种标准中规定的筛选、鉴定和质量一致性检验等各种要求的特点,说明了这些标准在不同应用场合的要求差别。 相似文献
46.
国外为了提高计算机硅片的集成度和产品的合格率,开展了硅片快速热处理的研究,在这项新技术中温度测量起着关键的作用,由于地快速热化学蒸汽沉积过程中,硅片表面发射率变化影响了测温的准确性。本文介绍了在用辐射法测温时,同时测辐射量和反射率2个参数,然后由反射率计算发射率,通过计算机对测量结果进行了补偿的新技术,并介绍了原理,实验设备和初步实验结果。 相似文献
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简要介绍航天微波辐射计的用途,多通道集成电路航天微波辐射计的技术指标和设计原理,给出各主要部件技术参数和设计方法,其中包括天线、平衡混频器、波导至微带变换器、本机振荡器、中频和视频放大器、电源等,最后给出整机噪声系数的测试结果。 相似文献
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49.
扼要介绍了高层次设计方法和ASIC(ApplicationSpecificIntegratedCircuit)技术,并给出了一个在弹载计算机小型化设计中的应用实例。 相似文献
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