全文获取类型
收费全文 | 1134篇 |
免费 | 265篇 |
国内免费 | 191篇 |
专业分类
航空 | 950篇 |
航天技术 | 248篇 |
综合类 | 154篇 |
航天 | 238篇 |
出版年
2024年 | 5篇 |
2023年 | 36篇 |
2022年 | 41篇 |
2021年 | 71篇 |
2020年 | 62篇 |
2019年 | 51篇 |
2018年 | 55篇 |
2017年 | 64篇 |
2016年 | 88篇 |
2015年 | 53篇 |
2014年 | 79篇 |
2013年 | 56篇 |
2012年 | 85篇 |
2011年 | 60篇 |
2010年 | 59篇 |
2009年 | 76篇 |
2008年 | 82篇 |
2007年 | 80篇 |
2006年 | 101篇 |
2005年 | 50篇 |
2004年 | 68篇 |
2003年 | 42篇 |
2002年 | 35篇 |
2001年 | 14篇 |
2000年 | 37篇 |
1999年 | 23篇 |
1998年 | 27篇 |
1997年 | 16篇 |
1996年 | 12篇 |
1995年 | 18篇 |
1994年 | 13篇 |
1993年 | 9篇 |
1992年 | 4篇 |
1991年 | 2篇 |
1990年 | 5篇 |
1989年 | 6篇 |
1986年 | 1篇 |
1984年 | 4篇 |
排序方式: 共有1590条查询结果,搜索用时 15 毫秒
31.
32.
本文用近似因式分解交替方向隐式格式直接求解叶轮机械中原参数三维不可压Euler方程组。在连续方程中引入“拟压缩性”之后,将原来类型不确定的控制方程变成双曲型方程,给定初边值之后用时间推进法求得稳定解,对一个单级压气机转子内部流场进行了计算,结果与实验值比较符合。 相似文献
33.
外端壁收缩与单向倾斜组合涡轮导叶的三维气动力研究 总被引:1,自引:0,他引:1
低展弦比涡轮导叶的外端壁收缩与单向正倾斜组合设计是既可减小两端二次流损失又可以满足冲击冷却叶片叶身需平直要求的技术措施。本文简要阐述了组合设计可减小二次流损失的力学机制、流场特征及三维流场设计分析的评价准则。通过三维流场计算 ,详细分析了诸如单向倾斜角度、子午面外端壁轮廓收缩起点、内外曲率半径等主要特征参数对流场品质的影响。给出了组合设计的方法与步骤及评价流场的定性准则。该组合设计方法对低展弦比高温涡轮导向叶片的成功设计具有指导意义。 相似文献
34.
杜双明%乔生儒%纪岗昌%韩栋 《宇航材料工艺》2002,32(5):39-41,44
在室温最大应力为250MPa,应力比R=0.1和频率为60Hz条件下,对3D-C/SiC复合材料进行了拉-拉疲劳试验。用共振法和电阻增量仪分别测试了杨氏模量及电阻的变化。结果表明:随循环次数增加,杨氏模量呈显著下降,缓慢下降和突然下降的变化规律。杨氏模量的下降大部分发生在疲劳循环的前600次。缓慢降低阶段约占疲劳寿命的94%以上,此阶段杨氏模量变化率与循环次数的对数近似呈线性关系,电阻变化率除首次循环降低外,随着循环次数增加一直在增加。增加规律大致可分为缓慢增加,台阶式增加和急剧增加三个阶段。材料的电阻变化率基本反映了纤维的损伤程度和破坏形式,可作为表征复合材料纤维损伤的有效参量。 相似文献
35.
叶轮机械三维粘性动静叶干涉的数值模拟 总被引:2,自引:1,他引:2
本文发展了 1套模拟叶轮机械三维粘性动静叶干涉的数值方法。在成熟的空间离散方法基础上 ,提出了 1种高效的双时间步隐式时间推进方法 ,并构造了一种保证守恒的动静叶交界面处的数值通量计算方法。本文对某三维亚音速涡轮的动静叶干涉进行了数值模拟 ,结果与实验符合较好。 相似文献
36.
37.
38.
祁树胜 《西安航空技术高等专科学校学报》2004,22(3):41-42,59
应用Motorola D15手机模块设计GPS系统中的无线发射部分,在硬件设计部分介绍了手机模块与微处理器的连接关系,而在软件部分介绍了AT指令、编码过程和发送过程。 相似文献
39.
发动机孔探图像三维测量与立体重建的实现 总被引:3,自引:0,他引:3
作为一种新兴的可视探测技术,孔探成像分析在现代发动机故障诊断中一直发挥着重要的作用。研制和开发基于孔探图像的三维测量与立体重建系统对提高故障诊断水平和预测准确度,降低工作中的人力物力投入,节约维护成本都有着重要的现实意义。本文以整体系统的构架为线索,阐述了系统的图像采集,摄像机标定,图像预处理,立体匹配,3D计算以及深度重建等功能模块的研制思路和基本算法,并给出部分研制结果。本系统的开发为基于也探图像的发动机故障监测与诊断系统的奠定了重要的基础。 相似文献
40.
概述了CVD—Si3N4陶瓷及其复合材料在干燥氧气下的氧化行为。Si3N4陶瓷在高温下氧化时,除生成SiO2保护膜外,还生成一薄层比SiO2膜更优异的氧气扩散阻挡层(Si—O—N化合物层),该层具有优异的抗氧化性能。介绍了两种氧化机制模型,同时分析了温度、杂质等对CVD—Si3N4陶瓷氧化行为的影响。 相似文献