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以CH3SiCl3 H2体系在1000~1300℃沉积了SiC涂层,研究了温度对涂层沉积速率的影响,应用自发形核理论解释了不同沉积温度下CVDSiC涂层的组织结构。结果表明,随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的沉积速率相应增大;1000~1200℃沉积过程为化学动力学控制过程,1200~1300℃沉积过程为质量转移控制,1000℃和1100℃沉积的SiC涂层表面光滑、致密;1200℃和1300℃沉积的SiC涂层表面粗糙、多孔;随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的晶体结构趋于完整,当温度超过1150℃时,涂层中除β SiC外还出现了少量α SiC。 相似文献
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介绍了一种新式的涡轮叶片温度分布测量技术原理、温度与叶片之间的对应关系,外置部件的作用及温度测量部件的使用和冷却等。对测量数据进行分析,提出了这项温度分布测量技术在其它领域中的推广及其所测数据在技术分析与研究中的作用。 相似文献
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InSb磁敏电阻角位移传感器的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
简单分析了InSb磁敏电阻的工作原理,讨论了利用偏置磁场作用于半桥磁敏电阻构成转动速度及位移传感器的测试原理;针对半导体材料对温度十分敏感的特点,提出了利用浮动零点跟踪技术测试齿轮转速的方法,并对其优缺点进行了讨论。 相似文献
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通过切削试验认为,NiTi基记忆合金切削加工性差主要是因为切削温度高,刀具易磨损,故宜选用K类硬质合金作刀具材料,且存在最佳切削速度。 相似文献
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