CMOS 集成硅压力传感器特性的线性分析

作者对最新设计的具有方形硅膜片的 CMOS 集成硅压力传感器的特性进行了理论的和实验的分析。结果表明:传感器的非线性是由硅膜片的大幅度偏折(deflecti-on)和压阻元件的非线性压阻特性所引起的。文章还指出了将非线性减至最小程度时传感器的最佳结构形式。对所制得的压力传感器的非线性作了测量,其值与数学分析值十分吻合。     

镍铬硼硅耐磨涂层重熔工艺研究

采用金相和能谱分析方法,对镍铬硼硅耐磨涂层显微组织和重熔后的涂层性能进行了分析,确定了该涂层重熔工艺参数.结果表明:采用等离子喷涂方法制备的镍铬硼硅耐磨涂层达到了某进口原件涂层的性能要求.     

铝硅共晶柱状晶凝固

 将强制凝固的理论和试验结果应用到铝硅共晶铸锭柱晶凝固过程,得到了共晶片间距同凝固速度、形核过冷间的关系。柱晶凝固时共晶片间距同平均凝固速度因子V~(-2/3)成正比,还同凝固时形核过冷密切相关,形核过冷增加使共晶片间距减小。文中讨论了影响形核过冷的诸因素和凝固组织均匀性问题。     

钛粉在裂解聚碳硅烷制备陶瓷材料中的应用

以聚碳硅烷为先驱体，Ti粉为活性填料，研究了Ti粉对聚碳硅烷裂解反应及先驱体转化法制备的块体复相陶瓷的性能的影响，并表征了其晶相组成，结果表明，Ti粉可促进PCS的裂解反 ，增加先驱体的陶瓷产率，能降低先驱体在裂解过程中的线性收缩率和气孔率，提高陶瓷材料性能。     

MOCVI法制备SiO2/SiO2复合材料

依据金属基化学气相渗透法(Metal Organic Chemical Vapor Infiltration,MOCVI)工艺理论基础,采用MOCVI法制备出SiO2/SiO2复合材料,并分析了载气流量、先驱体JH20温度和沉积温度对氧化硅基体渗透速率和SiO2/SiO2(石英玻璃)复合材料显微结构的影响.结果表明,优化条件为:JH20的温度为60℃,载气流量为500mL/min,氧气流量为15mL/min,沉积温度为600℃.     

高合金化Al—Si合金室温和高温短时性能的研究

采用透射电镜和扫描电镜对高合金化的ＺＡｌＳｉ６Ｃｕ２Ｍｇ合金在高温（１７０～３００℃）、短时（５～３０ｍｉｎ）条件下的微观组织变化及其对力学性能的影响进行了研究。结果表明，加入一定量的合金元素不仅提高了合金的室温力学性能，而且还能抑制在高温下Ｍｇ２Ｓｉ相的聚集长大，有利于提高合会的热强性。     

四唑类盐的制备及其在固体推进剂中的应用初探

合成了5-苯基四唑、5-亚甲基二四唑，并通过元素分析及质谱方法对其进行了分析鉴定，制备了其铜、铅、锶盐；对3种金属盐在改性双基推进剂配方中的应用进行了探索性研究。初步研究表明，四唑类的金属盐类可以作为复合改性双基推进剂(CMDB)的含能燃烧催化剂。     

相组成与微结构对硅基陶瓷型芯性能的影响

对比研究了A、B两种硅基陶瓷型芯的相组成与微结构及其对陶瓷型芯性能的影响.结果表明,B型陶瓷型芯的综合性能优于A型陶瓷型芯.     

硅微机械音叉陀螺仪

使用不同尺寸检测质量的硅微机械振动陀螺仪已用同样的技术加工出来，其中包括薄膜规模封状技术。角速率传感器由电磁力在侧向来驱动，并且通过四个压敏电阻器连接成惠斯顿电桥来检测哥氏力产生的垂直运动。     

美伊利诺伊大学研发出可卷曲太阳能电池

2008年10月6日，据路透社报道，美国伊利诺伊大学的约翰·罗杰斯等人最近研发出一种可卷曲的高效硅质太阳能电池，他们采用一种特殊的方法从大的硅晶片上切下薄片，薄片的厚度只相当于大硅晶片的1／100-1／10，其柔软程度足以缠绕在铅笔上，且很透明，可以用在建筑物或汽车的浅色玻璃上。