检测信号的温度补偿及线性化的计算机处理

微型计算机技术的迅猛发展，为检测技术的发展创造了条件。目前，在研究最大限度地提高现有检测系统的精确度、灵敏度、性价比、可靠性，扩大测量范围、缩小体积的同时，还应寻求检测技术的发展新途径。通过环境温度对传感器检测信号的补偿，计算机线性化处理方法，即可达到满足精度的要求。     

机载小惯量探针研制及在飞机武器发射中的应用

介绍了一种用于飞机武器发射时测量发动机进口动态温升时序的机载小惯量探针,以其独特的研制方法,较好地解决了机载小惯量测温装置、频响与可靠性兼顾这一测试难题,并在武器发射时,成功地用来评价发动机工作稳定性的影响。     

薄膜温度传感器的研制及应用

一种新型的薄膜温度传感器,采用真空镀膜的方法制作在涡轮叶片表面,两者构成一体,可以真实反应表面温度。传感器的质量小、响应快,对叶片内部换热和表面燃气流无干扰。 传感器的敏感元件为铂姥_(10)-铂热电偶,测温上限可达1000℃,测量精度为±3％。     

LD10高强铝合金真空扩散焊工艺研究

针对LD10铝合金真空扩散焊工艺，较详细地分析了焊接温度、压力和保温时间对接头质量的影响和作用。试验指出，焊前试件的表面清理是很重要的；接头的抗拉试验表明，不需加任何中间层金属，LD10铝合金的搭接接头抗拉强度系数大于80％．本试验条件下的最佳扩散焊工艺参数为：焊接温504℃；保温时间3h，焊接压力4MPa．     

恒温槽温场温度均匀度的测试

分析采用温度计交换法对恒温槽温场温度分布均匀度的测试与计算方法。     

CVD过程中温度对SiC涂层沉积速率及组织结构的影响

以CH3SiCl3 H2体系在1000～1300℃沉积了SiC涂层,研究了温度对涂层沉积速率的影响,应用自发形核理论解释了不同沉积温度下CVDSiC涂层的组织结构。结果表明,随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的沉积速率相应增大;1000～1200℃沉积过程为化学动力学控制过程,1200～1300℃沉积过程为质量转移控制,1000℃和1100℃沉积的SiC涂层表面光滑、致密;1200℃和1300℃沉积的SiC涂层表面粗糙、多孔;随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的晶体结构趋于完整,当温度超过1150℃时,涂层中除β SiC外还出现了少量α SiC。     

壁面加热湍流标度律的实验研究

用热线风速仪测量了风洞中壁面加热和不加热平板湍流边界层不同法向位置的流向速度和温度的时间序列信号，研究了壁面加热的边条件和不同法向位置的剪切作用对速度和温度增量的p阶结构函数的非线性反常标度律的影响，实验结果表明，壁面加热的边界条件不同法向位置的剪切作用对层次结构模型中间歇参数β和最奇异指数γ的影响明显存在，并初步分析了在具有强剪切作用的壁湍流中这种影响产生的原因。     

涡轮叶片温度分布新式测量技术

介绍了一种新式的涡轮叶片温度分布测量技术原理、温度与叶片之间的对应关系，外置部件的作用及温度测量部件的使用和冷却等。对测量数据进行分析，提出了这项温度分布测量技术在其它领域中的推广及其所测数据在技术分析与研究中的作用。     

InSb磁敏电阻角位移传感器的研究

简单分析了InSb磁敏电阻的工作原理，讨论了利用偏置磁场作用于半桥磁敏电阻构成转动速度及位移传感器的测试原理；针对半导体材料对温度十分敏感的特点，提出了利用浮动零点跟踪技术测试齿轮转速的方法，并对其优缺点进行了讨论。     

形状记忆合金削加工性试验研究

通过切削试验认为，ＮｉＴｉ基记忆合金切削加工性差主要是因为切削温度高，刀具易磨损，故宜选用Ｋ类硬质合金作刀具材料，且存在最佳切削速度。