CVD过程中温度对SiC涂层沉积速率及组织结构的影响

以CH3SiCl3 H2体系在1000～1300℃沉积了SiC涂层,研究了温度对涂层沉积速率的影响,应用自发形核理论解释了不同沉积温度下CVDSiC涂层的组织结构。结果表明,随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的沉积速率相应增大;1000～1200℃沉积过程为化学动力学控制过程,1200～1300℃沉积过程为质量转移控制,1000℃和1100℃沉积的SiC涂层表面光滑、致密;1200℃和1300℃沉积的SiC涂层表面粗糙、多孔;随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的晶体结构趋于完整,当温度超过1150℃时,涂层中除β SiC外还出现了少量α SiC。     

壁面加热湍流标度律的实验研究

用热线风速仪测量了风洞中壁面加热和不加热平板湍流边界层不同法向位置的流向速度和温度的时间序列信号，研究了壁面加热的边条件和不同法向位置的剪切作用对速度和温度增量的p阶结构函数的非线性反常标度律的影响，实验结果表明，壁面加热的边界条件不同法向位置的剪切作用对层次结构模型中间歇参数β和最奇异指数γ的影响明显存在，并初步分析了在具有强剪切作用的壁湍流中这种影响产生的原因。     

涡轮叶片温度分布新式测量技术

介绍了一种新式的涡轮叶片温度分布测量技术原理、温度与叶片之间的对应关系，外置部件的作用及温度测量部件的使用和冷却等。对测量数据进行分析，提出了这项温度分布测量技术在其它领域中的推广及其所测数据在技术分析与研究中的作用。     

LDA测量方截面U型旋转通道速度分布

为了深入了解旋转涡轮叶片内冷通道中的流动特性，用激光多谱勒测速仪(LDA)测量了旋转U型通道中的平均速度分布。通道的横截面积为50mm×50mm，弯管的平均半径与水利直径的比值为0.65，旋转轴与弯管的曲率轴平行。在Re＝105时分别测量了转动数Ro＝0，0.2和-0.2三种旋转状态下的速度分布。在这三种情况下弯管内侧θ＝90°至下游一定范围内都有流动的分离出现。由于不同的旋转状态二次流的方向和强弱不同，导致了分离区大小和通道中速度分布的不同。     

InSb磁敏电阻角位移传感器的研究

简单分析了InSb磁敏电阻的工作原理，讨论了利用偏置磁场作用于半桥磁敏电阻构成转动速度及位移传感器的测试原理；针对半导体材料对温度十分敏感的特点，提出了利用浮动零点跟踪技术测试齿轮转速的方法，并对其优缺点进行了讨论。     

形状记忆合金削加工性试验研究

通过切削试验认为，ＮｉＴｉ基记忆合金切削加工性差主要是因为切削温度高，刀具易磨损，故宜选用Ｋ类硬质合金作刀具材料，且存在最佳切削速度。     

战斗机燃油系统流体网络的数值计算

论述了战斗机燃油系统自供能源式流体网络的组成及工作原理，并对流体网络中的关键部件燃油增压泵，液动涡轮泵及射流泵等数学建模，而构成自供能源式流体网络的计算模型。在此基础上，通过分析几种状态下流体网络的工作情况，提出了计算仿真流体网络中流量与压力分布的方法，并对计算结果进行了分析和总结。     

冷热两股气流在圆管内掺混的速度场、温度场与辐射通量场的数值方法

用数值方法求解冷热两股轴对称平行射流在圆管内掺混的流场、温度场和辐射通量场。计算采用一种通用性的数值方法,其特点是强烈地以物理本质为基础,而不仅仅是单纯的数学推导。这样做,能方便地分析和解释计算结果,使之更真实地接近于实际。 通过计算,分析了当引射系数改变时,掺混的流场,温度场和辐射通量场的变化规律,其结果与实验数据比较一致。     

硅基内衬喷管扩张段烧蚀和温度场的耦合计算方法

本文叙述固体火箭喷管扩张段硅基内衬烧蚀和温度场的耦合计算方法.烧蚀采用非定常的液体层烧蚀模型;温度场计算采用圆柱坐标系下的一维径向瞬态导热模型,考虑材料在高温下形成的炭化层和热解层,而由烧蚀产生的边界移动问题用坐标变换的方法处理.利用烧蚀和导热计算方程组中二者的结合部,通过充分耦合,获得了更准确的预示计算结果.     

裂解温度对先驱体转化制备2D-Cf／SiC材料结构与性能的影响

以聚碳硅烷(PCS)、二乙烯基苯(DVB)和SiC微粉为原料制备了2D-Cf/SiC材料,考察了首次裂解温度对材料结构与性能的影响.结果表明,首次裂解温度的提高有助于弱化界面结合,形成良好的界面结构,从而提高材料的力学性能.当裂解温度从1000℃提高到1600℃时,材料的弯曲强度由200.7MPa提高到319.2MPa,剪切强度由16.8MPa提高到29.8MPa,断裂韧度由7.4 MPa·m1/2提高到15.0 MPa·m1/2.