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111.
大尺寸复杂筒状铝合金精铸件浇注系统设计方法研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
研究大尺寸复杂筒状铝合金精铸件浇注系统的设计方法,通过对三种具有筒状结构的大尺寸复杂铝合金精密铸件的浇铸系统设计和浇注试验,研制出冶金质量和力学性能合格的铸件.结果表明,缝隙式浇注系统或缝隙式与底注式相结合的浇注系统是该类铸件比较理想的浇铸系统设计方式.  相似文献   
112.
新型图像扫描器具有较高的响应频率,可以实现高速扫描。在研究扫描器运动参数分离的基础上,利用对称放置的半导体位置探测器建立了扫描器的多运动参数测试系统,提出了光电二维位置传感器的非线性修正和补充方法,实现了四路模拟信号的DMA传送,提高了测试的速度和精度,实现扫描器在高频运动时的多运动参数测试。  相似文献   
113.
由两相湍流的代数应力模型,提出一种两相湍流的非线性k-ε-kp模型,可以合理地模拟各向异性较强的旋流,浮力流等两相流动,具备二阶矩模型的优点,又比二阶矩模型简单。文中推导出气相、颗粒相的雷诺应力和两相脉动速度关联的非线性应力应变关系式。这些代数式和两相各自的湍动能k,kp以及两相脉动关联湍动能kpg的方程联立,就构成非线性k-ε-kp模型。本文将该模型用于模拟突扩湍流两相流动,给出两相时均速度场及雷诺应力各分量,并且将模拟结果和PDPA实验数据以及二阶矩模型的模拟结果对照。结果表明,该模型预报各向异性两相湍流的能力和二阶矩模型的能力接近,但是计算量比二阶矩模型的小得多。  相似文献   
114.
在飞机、机场、空中交通大系统的长远发展历史上,观察空中交通从过去到现在的演变,得到对今后发展的启示。介绍一些概念及其论著,围绕着如何利用广阔空域资源而进行的探索,找出相应的技术支持,指出必要的体制转变。  相似文献   
115.
广义螺旋运动与复杂回转刀具几何建模   总被引:6,自引:0,他引:6  
何耀雄  周云飞  周济 《航空学报》2002,23(2):135-139
 针对现代机械加工中广泛使用的复杂回转刀具,如模具铣刀、旋转锉、球形滚刀等,提出了任意回转面上的点和线的广义螺旋运动概念,并运用这一概念分别建立了复杂回转刀具广义螺旋线模型和广义螺旋面模型。该模型适用于任意回转刀具,克服了传统的螺旋运动概念和螺旋线、螺旋面理论只是针对圆柱形回转刀具的缺点。最后以球头刀具前刀面几何建模为例说明广义螺旋运动概念和复杂回转刀具几何建模方法的具体应用。  相似文献   
116.
介绍的民机数据总线信号测试仪综合了当前民机上主要采用的ARINC429、ARINC419、CSDB和RS232等数字式航空数据总线规范的接口,具有和这些总线接口设备通讯的能力,可以灵活方便地应用于机载设备检测,装机交联实验当中。  相似文献   
117.
弹黏塑性材料稳恒扩展II型裂纹尖端应力场   总被引:1,自引:0,他引:1  
 采用弹黏塑性力学模型,对II型动态扩展裂纹尖端应力场的对数奇异性,进行了分析计算。详细地分析了黏性系数α、马赫数Ma2对裂纹尖端的应力场影响。指出了对数奇异性区域存在的问题,解释了过渡区的成因,对过渡区尖端场解的形式和求解方法做了合理的推测。  相似文献   
118.
翼身融合飞机的空气动力学研究进展   总被引:3,自引:1,他引:3  
翼身融合飞机(Blended Wing Body Aircraft-BWB Aircraft)是一种新型高升阻比无尾布局的大型运输机,其气动特性的研究是BWB布局飞机克服众多技术难题的基础。文章首先简述了BWB布局的研究历程,给出巨型BWB布局飞机的总体几何特征参数和基本性能,并简述风洞和自由飞试验情况;接着介绍BWB研究中的多学科优化平台,着重讨论气动优化技术,它是解决BWB布局气动问题的基础手段之一;然后综述BWB布局研究的热点领域:气动特性研究、气动弹性研究和发动机/机体一体化设计研究;最后提出BWB布局发展趋势的若干方面。  相似文献   
119.
月球探测器姿态大角度机动的反作用轮控制   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了月球探测器转速与控制力矩受限的姿态大角度机动问题。根据时间变尺度思想,提出了双回路反馈的姿态大角度机动控制方法。以某型月球控测器为例,对该方法进行了仿真验证。结果表明,利用该控制方法,可使探测器以期望的角速度转动,从而完成探测器的姿态大角度机动。  相似文献   
120.
以CH3SiCl3 H2体系在1000~1300℃沉积了SiC涂层,研究了温度对涂层沉积速率的影响,应用自发形核理论解释了不同沉积温度下CVDSiC涂层的组织结构。结果表明,随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的沉积速率相应增大;1000~1200℃沉积过程为化学动力学控制过程,1200~1300℃沉积过程为质量转移控制,1000℃和1100℃沉积的SiC涂层表面光滑、致密;1200℃和1300℃沉积的SiC涂层表面粗糙、多孔;随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的晶体结构趋于完整,当温度超过1150℃时,涂层中除β SiC外还出现了少量α SiC。  相似文献   
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