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992.
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995.
星载某设备高阻接地设计对整星电磁兼容性的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
为了满足新的使用需求,星载某设备的接地设计由壳体直接接地改为采用高阻接地。文章采用理论分析和软件仿真的方法,对该设备采用高阻接地的设计后对整星电磁兼容性能的影响进行了分析,并提出了专项试验验证方法,在故障模拟仿真卫星平台上实施了试验验证。仿真分析和试验验证都表明,此设备采用高阻接地的设计不会对卫星整星的电磁兼容性产生明显影响,可作为后续其他卫星型号采用此类设计的参考。 相似文献
996.
目前,工程尺寸驱动原理尚未涵盖三维模型中的隐式约束与几何约束,故公差尺素链分析法(GECM)的应用受到一定的限制。为此,本文对工程尺寸驱动原理进行了完善,并建立了面向虚约束模型(VCM)的公差分析方法。首先,分析工程尺寸不可驱动的原因,建立建模参数集可驱动工程尺寸集的充分必要条件;其次,针对工程尺寸不可驱动的模型,提出产品虚约束模型,给出虚约束模型的构建方法,并构造虚约束模型的公差分析算法;最后,通过实例测试,验证本文所提模型的正确性和算法的有效性。 相似文献
997.
针对90 nm CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺,采用三维数值模拟方法,研究了反相器中NMOS(Negative channel-Metal-Oxide-Semiconductor)晶体管与PMOS(Positive channel-Metal-Oxide-Semiconductor)晶体管的单粒子瞬变(SET,Single Event Transient)电流脉冲,深入分析了PMOSFET(Positive channel-Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)与NMOSFET(Negative channel-Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)发生单粒子效应时电荷输运过程和电荷收集机理.研究结果表明,由于电路耦合作用,反相器中晶体管的电荷收集与单个晶体管差异显著;反相器中PMOS晶体管电荷收集过程中存在寄生双极放大效应,NMOS晶体管中不存在寄生双极放大效应;由于双极放大效应,90 nm工艺下PMOS晶体管产生的SET电压脉冲比NMOS晶体管产生的电压脉冲持续时间更长,进而导致PMOS晶体管的SET效应更加敏感.研究结果为数字电路SET的精确建模、进行大规模集成电路SET效应模拟提供了参考依据. 相似文献
998.
999.
为了克服压控振荡器(VCO)输出线性调频(LFM)信号频率线性度较差的缺点,本文提出了基于直接数字合成(DDS)技术产生步进频连续波信号的近距离主动毫米波圆柱扫描成像系统,该系统具有距离分辨率高、频率精度高以及波形产生和波形控制较为简单的优点。首先,本文通过步进频连续波信号的探测原理分析了该信号的一维距离像、距离分辨率以及距离模糊的特点;然后,通过波动方程推导出近距离主动毫米波圆柱扫描成像系统的重构算法;最后,在微波暗室搭建了半实物仿真成像系统,验证了步进频连续波信号在近距离主动毫米波圆柱扫描成像系统中应用的可行性和有效性。 相似文献
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