碳/酚醛结构材料的研究

研制出的碳布增强硼酚醛材料力学性能优异,剪切强度高达34.7MPa,压缩强度达270MPa,比一般碳/钡酚材料提高30%～70%;接近柔性接头非金属增强件碳/环氧材料水平,达到柔性接头非金属增强件材料的指标要求,有望替代现有碳/环氧材料。由于抗烧蚀性能优于碳/环氧材料,使非金属增强件热防护能力提高。     

助烧剂对无压烧结Si3N4力学性能的影响

研究了三种助烧剂MgO、Al2O3+AlN和Y2O3+AlN对1800℃×3h工艺下无压烧结Si3N4力学性能的影响情况。发现材料力学性能主要决定于助烧剂的种类,其次取决于含量。其Y2O3+AlN虽使最终生成的β-Si3N4长径比较小,线度尺寸最短,但最利于致密化,因而使材料力学性能最佳,添加量(质量分数)为12%Y2O3+6%AlN时,陶瓷的抗弯强度、断裂韧性和维氏硬度分别达到431.6MPa、5.10MPa*m1/2和14.52GPa。     

碳/碳销钉研究

碳纤维由混编,软编制成预制体,后经致密化制成C／C销钉复合材料,讨论了编织方法,复合工艺,界面,加工性等影响C／C销钉的因素,高压碳化沥青碳基体与碳纤维界面结合强;纤维体积分数对碳销钉的强度起决定性作用,软编C／C销钉可机加性好,带轴纱4向软编C／C销钉的纤维含量高,剪切强度高达63．7MPa。     

不同螺旋体浓度旋波介质吸波性能的研究

利用空间测量方法对不同浓度手性旋波介质的吸波性能进行了测量。实验表明,手性螺旋的浓度可以做为调节旋波介质吸波性能的一个灵敏参量。在非手性基体中加入适当浓度的螺旋体可有效提高手性介质的吸波性能。手性螺旋体的基体中的浓度有一最佳浓度匹配点,该浓度点在３．２％和４．０％之间。在设计高吸收宽频段的手征性吸波材料时,应考虑螺旋体在手性介质中的浓度匹配。     

TiC-Ni材料燃烧合成与致密化工艺参数的优化

通过燃烧合成与致密化方法制备了TiC-xNi系金属材料,通过实验优化了Ti-C-xNi体系燃烧合成与致密化过程中的工艺参数,最终确定了各种体系燃烧合成时的最佳预制块相对密度为56％左右,预压力P1为10MPa;确定了致密化时的高压力P2为160MPa,高压保压时间t2为20s,并确定了各体系的最佳加压时间t1。     

自蔓延高温合成MgO-B4C微观组织研究

B2O3-Mg-C体系的SHS过程中,由于还原剂Mg的蒸气压较高,因此它与B2O3之间的反应不可避免地受到环境中惰性气体压力的影响,研究发现,不同气压下产物的晶粒尺寸与形貌不同,气压分别为101．3Kpa和10．1MPa时,产物B4C的粒径相应为0．4um和5um。     

稳定苯乙烯/丙烯酸丁酯细乳液的制备

以十二烷基硫酸钠（SDS）作乳化剂,不同链长的脂肪烃或脂肪醇作共乳化剂,分别用搅拌和超声乳化方法制备一系列苯乙烯（St)／丙烯酸丁酯（BA）细乳液,测定细乳液稳定性的结构表明,SDS／十六烷（HDE）的乳化效果最佳,HDE先与单体混合结构超声波制备的细乳液最稳定,乳化剂,共乳化剂的种类和沈度,乳化温度,超声时间等对细乳液的稳定性均有影响。     

一种机载雷达两级降维空时二维自适应处理方法

 提出了一种机载相控阵雷达杂波抑制的两级降维空时自适应处理(STAP)方法,即：先根据杂波分布先验信息进行空时局域化(JDL)降维处理,然后对局域化输出进行多级维纳滤波(MWF),实现二次降维。该方法综合了固定结构和自适应结构降维技术的优点,将JDL处理引入到MWF中,从而有效降低MWF的杂波自由度。计算机仿真和理论分析表明本文方法比JDL自适应处理方法和全空时MWF方法具有更小的运算量,对阵元随机幅相误差具有很好的容差能力,是一种稳健的两级降维自适应处理方法。最后,基于仿真和实测数据的实验验证了算法的有效性。     

纳米碳粉改性苯并噁嗪树脂性能研究

文摘为了适应苯并噁嗪树脂在高性能领域的应用,采用纳米碳粉对其进行了改性研究。结果表明,纳米碳粉对苯并噁嗪树脂的固化有催化作用,降低了苯并噁嗪树脂的固化特征温度,在一定程度上克服了苯并噁嗪树脂高温固化的不足;同时,纳米碳粉的加入,提高了苯并噁嗪树脂的弯曲性能与压缩性能,起到了增强增韧树脂的效果。     

MB26镁合金微弧氧化陶瓷膜层性能

文摘利用扫描电镜、表面性能测试仪和电化学测试技术等研究了在铝酸盐电解液中,不同电流密度和氧化时间对MB26镁合金微弧氧化膜的表面形貌、厚度、结合力以及耐蚀性等性能的影响。结果表明:随氧化时间和电流密度的增加,MB26镁合金微弧氧化膜层中的微孔数量减少,但孔变深。膜层厚度随氧化时间和电流密度的增加而线性增加,但与基体的结合力随之降低。氧化膜的耐蚀性随氧化时间和电流密度的增加呈先增加而后减小的趋势,该合金在铝酸盐体系中微弧氧化的最佳工艺为电流密度0.2 A/cm2,氧化时间40 m in。