间隙连接对胶接接头应力分布和强度的影响

运用弹塑性有限元法结合实验研究了连续和间隙连接的单搭接接头应力分布规律，并考虑了胶瘤的影响。结果表明，在相当大间隙长度范围内和适当的间隙位置条件下，间隙连接接头并没有大幅度地减小其承载能力，相反其有效搭接区域剪切强度呈明显升高趋势；胶层应力峰值仍然发生在搭接末端；胶瘤承担了相当大的载荷作用；过大的间隙长度以及不当的间隙位置会导致胶层靠近间隙端应力集中明显加剧，成为新的高应力区，可能导致接头破坏模式的改变。实验结果与数值分析结果很好地吻合。     

硼酚醛烧蚀材料的研究

介绍了炭布增强硼酚醛烧蚀材料（２Ｄ Ｃ／ＦＢ）的制备，研究了工艺对复合材料力学性能和烧蚀性能的影响。结果表明，硼酚醛ＦＢ树脂９００℃残炭率高达７０％，高于普通酚醛树脂（钡酚醛），采用优化工艺制备的２Ｄ Ｃ／ＦＢ材料力学性能和烧蚀性能优异，剪切强度高达３９．７ＭＰａ。     

一种新型滑撬用针刺C/C复合材料制备与性能研究

研制一种新型滑撬用低成本“铺层-针刺”C/C复合材料,分析了其力学性能、热学性能和微观结构,并与现有国外滑撬用C/C复合材料进行了比较。结果表明,研制的C/C复合材料的力学性能、热性能优良,其层间剪切强度、压缩强度和冲击强度分别达到26.98 MPa、255.8 MPa和361.06 J/m,与国外同类材料相比,分别高96.4%、80.1%和262.2%,热导率提高约50%,线胀系数降低约60%以上,有效提高了抗热震性能和高温工作的可靠性。     

高温处理对PCS裂解SiC基体的微晶形态及C/C-SiC材料性能的影响

采用聚碳硅烷(PCS)作为先驱体,通过浸渍裂解法制备C/C-SiC材料,分别经过1 400、1 500、1 600℃高温处理,研究了不同处理温度对SiC基体的微晶形态及C/C-SiC材料力学性能和抗氧化性能的影响。结果表明,3种处理温度下,SiC的晶型主要为β-SiC。温度升高,晶粒尺寸增大,1 500℃以后生长速度减缓;SiC微晶优先沿着(111)晶面生长,(220)和(311)晶面的生长取向逐渐增加。处理温度升高,C/C-SiC材料的弯曲强度和剪切强度不断下降。1 400℃处理后,C/C-SiC材料的断裂方式呈现出非常明显的韧性断裂。C/C-SiC材料在1 500℃静态空气中的氧化失重率随高温处理温度的升高而逐渐增大,氧化程度越来越严重,断面典型区域的氧化形貌由"尖笋状"成为"梭形"。     

复合材料锥壳螺旋向铺层自动铺带成型方法

提出了一种基于两步法的复合材料锥壳螺旋向铺层自动铺带的成型方法,对锥壳螺旋向铺层几何原理进行了分析并对预浸带的预切割进行了设计和验证,对预切割装置进行了原理方案设计并利用CATIA软件进行了自动铺带验证。结果表明:两步法锥壳螺旋向铺带成型技术方案合理可行,预切割装置可以实现预浸带的切割、转录,采用通用铺带头即可以完成螺旋向铺层的自动铺带过程,采用锥壳等厚度铺叠、均匀加压和降低废料率等措施,大大提高制品质量并降低了构件加工成本。     

复合型雷达吸波材料结构优化设计的数值计算

基于多层复合型雷达吸波材料的设计要求构造了多目标优化的模型,将基本遗传算法(SGA)改进为自适应-混合遗传算法(MAHGA),通过数值计算为多层雷达吸波材料的结构优化提供了依据,依据计算结果制备了多层复合雷达吸波材料并进行了反射率和电磁参数测试实验,实验结果与计算结果吻合较好,复合材料具有良好的吸波性能,在8~18GHz低于-10dB的带宽可达7.8GHz,最大衰减量为-34.6dB,总厚度为3.5mm。     

电路模拟吸波材料带宽拓展方法探索

电路模拟吸波材料有一定的频率选择特性,电磁波有效损耗的带宽通常比较窄,通过多层电路屏、掺杂电损耗介质、磁损耗介质层组合、磁电损耗组合的方法,对电路模拟结构吸波材料在2~18GHz区间电磁损耗带宽的拓展进行了初步探索。结果证明:四种方法都能够提高电路模拟吸波材料的有效吸波带宽,并能够不同程度地提高材料的吸波效率。多层电路屏、掺杂电损耗介质的多层电路屏、组合磁损耗介质层的多层电路屏、组合磁损耗介质层和电损耗介质的多层电路屏,其反射率≤-5dB的带宽较单层电路屏的1.2GHz分别增加了6.4、10.6、9.6、10.6GHz,最小反射率分别达到-8、-10、-12、-25dB。     

氰酸酯基耐高温低介电载体胶膜的制备与性能

为了满足现代高性能雷达天线罩结构粘接的要求,本文研制了氰酸酯基耐高温、低介电栽体结构胶膜.以烯丙基化酚醛/双马树脂改性,在保持该胶膜耐高温性能的同时,改善了室温力学性能.通过加入贮存稳定荆解决了胶膜常温贮存期差的问题.胶膜在380℃下的剪切强度大于5 MPa.测试频率为9 375 MHz时,胶膜在380℃下的介电常数变化率小于5%.实验结果表明,该胶膜可用于耐高温透波材料的结构粘接.     

聚(2-丙稀酰胺-2-甲基丙磺酸)-聚苯胺共聚物膜电磁屏蔽性能

用溶液法在ITO玻璃上依次沉积了稀硫酸掺杂聚苯胺(PANI)膜和聚(2-丙稀酰胺-2-甲基丙磺酸)-聚苯胺共聚物膜,利用SEM和FTIR对两种薄膜的表面形貌及分子链基团结构进行了分析,讨论了薄膜的电导率和电化学性能.结果表明:聚(2-丙稀酰胺-2-甲基丙磺酸)-聚苯胺共聚物膜有较理想的物理化学性能,电化学性稳定,循环100次后,循环伏安曲线变化较小;当PAMPS-PANI膜的厚度为230 nm时,它的电导率可达到0.398 S/cm,室温时电导率可调,是较理想的电磁屏蔽材料.