对10V直流电压参考标准校准方法的探讨

介绍３种校准１０Ｖ直流电压参考标准的方法，并对３种校准方法进行了详细的误差分析。第１种方法是由美国ＦＬＵＫＥ公司生产的３３５Ａ型直流标准电压源，７２０Ａ型Ｋ－Ｖ分压器，８４５ＡＲ型零值检测器和０．０００２级控温标准电池构成校准系统，其传递误差小于１×１０￣（－６）。在该方法中用英国ＤＡＴＲＯＮ公司的４０００Ａ型直流标准电压源取代３３５Ａ，其传递误差可降低到０．４×１０￣（－６）。第２种方法是由７２０Ａ型Ｋ－Ｖ分压器，８４５ＡＲ型零值检测器和０．０００２级控温电池构成校准系统，其传递误差小于０．３×１０￣（－６）。第３种方法是由３３５Ａ型直流标准电压源，７２０Ａ型Ｋ－Ｖ分压器、８４５ＡＲ型零值检测器，１５５型零值检测器和０．０００２级控温电池构成校准系统，其传递误差小于０．２×１０￣（－６）。在同样的条件下，对上述３种方法进行了比对（３种方法所用的标准电池为同一１０只组电池），比对结果表明，３种方法之间的误差小于０．３×１０￣（－６）。     

材料红外辐射特性的评价方法

介绍了一种利用光谱发射率的测量结果来评价新型材料和涂料的红外辐射特性的方法。光谱范围为（０．６７￣１００）μｍ，温度变化为从室温到１０００℃，光谱发射率为０．０５０￣０．９９５，测量不确定度为２％。该方法成功地解决了科研生产中的实际问题。     

高碳醇/膨胀石墨复合相变热沉多目标优化

为解决高温工作环境下电子芯片的发热问题，设计采用相变材料（PCM）的控温模块，建立相变材料的控温模块模型。相变材料选择高碳醇/膨胀石墨复合材料。借助FLUENT软件进行数值模拟，探究在相同加热功率下，加热面积对控温时间的影响。对控温模块的几何尺寸进行参数分析，将数值模拟结果用于训练人工神经网络，实现对控温时间的预测。根据芯片发热功耗、芯片尺寸，通过NGSA-Ⅱ多目标优化算法优化控温模块几何尺寸，延长控温时间，降低模块质量。最终得到一系列非支配解集，可根据控温时间需求选择合适的模块尺寸设计。针对长宽为35.4 mm、发热功率为15 W的芯片进行控温模块优化设计。环境温度为80℃，温控目标小于90℃，控温时间180 s，优化后模块减重13.0%，模块内温度与液相分布也更均匀。      

SLD光源温控模型延迟时间辨识及控制回路设计

针对光纤陀螺用SLD光源温控模型不准确所带来的温控系统稳定裕度不足、稳态精度差的问题,提出一种基于相角裕度补偿反推延迟环节的模型辩识方法,精确获取了SLD光源温控模型中的延迟时间常数,并据此设计了PID控制器.仿真及实验结果表明,温控系统幅值裕度、相角裕度分别优于10 dB、35°,在-20 ℃~+60 ℃温度范围内可以实现优于0.01 ℃的控温精度,有效提高了系统稳定裕度和稳态精度,满足任务需求.     

美国新型超光谱成像仪

美国著名的ＴＲＷ公司研制的超光谱成像仪代号为ＴＲＷＩＳ－３，它是该公司最新的一种成像光谱仪。由于ＴＲＷＩＳ－３的波段范围很宽，从０．４μｍ到２．５μｍ，具有３８４个连续光谱通道，且可见光近红外带宽仅为５ｎｍ，短波红外也只有６．２５ｎｍ，信噪比又很高（...     

基于硬脂酸复合相变材料的被动热沉性能

固液相变储能材料的被动热沉广泛应用于航空航天及军事装备领域。针对高热流密度电子芯片的被动温控问题,对比实验验证了单温度和双温度2种数值模拟方法对基于泡沫铜/硬脂酸复合相变材料被动热沉控温过程模拟的准确性。结合基于Maxwell-Garnett模型的EMT建立了石墨烯纳米片/硬脂酸复合相变材料物性,采用更为精确的双温度数值模拟方法分析了不同导热强化方式的控温效果,并研究了环境温度对热沉控温效果的影响。结果表明:高热流密度下的相变温控过程采用双温度数值模拟更为精确;当导热增强体的体积组分相同时,提高泡沫金属的孔密度对相变温控效果提升有限,而同时采用泡沫金属与石墨烯纳米片能更有效改善相变控温效果;环境温度的剧烈变化对温控时间和控温温度均能产生影响。      

G2膜片质量监控仪的研制

介绍一种ＧＺ膜片质量在线测量系统。Ｇ２膜片是彩色电视机上的一个关键零件，在膜片上面有三个圆台平面，实测其平行度误差小于８μｍ。这个系统采用非接触传感器和ＰＣ１５００／小型计算机进行自动测量与控制，测量误差为±１μｍ，测量范围为（０～６０）μｍ。     

Ka波段开腔电介质自动测量系统

介绍了以自行研制的开放式谐振腔为中心的Ｋ＿ａ波段电介质自动测量系统。该系统在计算机控制下，改变频率；采集并读取谐振长度和功率数据；计算Ｑ值，即时算出被测材料的介电常数ε＿ｒ和损耗角正切ｔｇδ。除腔谐振尚需人工调节外，全部实现自动测量。通过测量聚苯乙烯泡沫、聚四氟乙烯、聚乙烯、高压聚乙烯、聚苯乙烯、微晶玻璃、陶瓷基片、复合微波介质基片等材料的电介质参数证实，ε＿ｒ和ｔｇδ在３２～３９ＧＨｚ频率范围内，量程分别达１．２０～２５．０和２．０×１０￣（－５）～２．０×１０￣（－３）。ε＿ｒ和ｔｇδ的测量不确定度分别达±０．５％和±（８％＋３×１０￣（－６））。     

YBCO系超导块材平均粒径对双孔RF－SQUID噪声影响

对不同粒径超导块材的双孔ＲＦ－ＳＱＵＩＤ的噪声水平研究表明，ＹＢＣＯ超导块材的晶粒粒径与双孔ＲＦ－ＳＱＵＩＤ的噪声大小呈Ｕ形关系．在１５～２５μｍ时，噪声水平很低，小于２．０×１０－３φ０／Ｈｚ；反之，噪声水平偏高．     

Bi_(1.9)Pb_(0.3)Sr_(2.0)Ca_(1.7)Mg_(0.3)Cu_(3.1)O_x 超导块材弱连接区的低磁场性

通过对在不同外磁场下Ｂｉ１．９Ｐｂ０．３Ｓｒ２．０Ｃａ１．７Ｍｇ０．３Ｃｕ３．１Ｏｘ超导块材的交流磁化率的测量，获得了样品内晶粒间和晶粒内对外场的不问响应范围．通过与粉状样品实验结果的比较和Ｘ光分析，认为块状样品在温度为１００Ｋ左右出现的抗磁台阶是样品内晶粒间超导弱连接的一种抗磁效应．对弱连接区有效钉扎力Ｆｐ和临界电流密度Ｊｃ与外场Ｈ的关系进行了讨论．