Bi_(1.9)Pb_(0.3)Sr_(2.0)Ca_(1.7)Mg_(0.3)Cu_(3.1)O_x 超导块材弱连接区的低磁场性

通过对在不同外磁场下Ｂｉ１．９Ｐｂ０．３Ｓｒ２．０Ｃａ１．７Ｍｇ０．３Ｃｕ３．１Ｏｘ超导块材的交流磁化率的测量，获得了样品内晶粒间和晶粒内对外场的不问响应范围．通过与粉状样品实验结果的比较和Ｘ光分析，认为块状样品在温度为１００Ｋ左右出现的抗磁台阶是样品内晶粒间超导弱连接的一种抗磁效应．对弱连接区有效钉扎力Ｆｐ和临界电流密度Ｊｃ与外场Ｈ的关系进行了讨论．     

Bi系超导体主要特征量的计算及分析

应用巡游载流子与负U中心局域化载流子混杂相互作用的高T_c氧化物超导体理论模型,对Bi系超导体2212相和2223相的主要特征量——超导转变温度、穿透深度、相干长度、热力学临界场和T_c处比热跳跃进行了数值计算,并将计算结果与实验值比较。根据计算结果,对高T_c氧化物超导体的一些特性进行了分析讨论。     

高T_cBi－Pb－Sr－Cu－Ca－O系氧化物超导材料的Meissner效应和磁屏蔽效应

对高ＴｃＢｉ－Ｐｂ－ｓｒ－Ｃｕ－Ｃａ－Ｏ系氧化物超导材料的多晶块状、多晶粉末状和单晶等三种样品的Ｍｅｉｓｓｎｅｒ效应和磁屏蔽效应进行了仔细测量和分析．块状样品具有较强的磁屏蔽能力，在ＺＦＣ（Ｚｅｒｏ－ＦｉｅｌｄＣｏｏｌｅｄ）和ＦＣ（ＦｉｅｉｄＣｏｏｌｅｄ）两种过程中，超导体的体积比之差最大约１０％左右（μ０Ｈ≈２００Ｘ１０－４Ｔ）；粉末样品和单晶样品的磁屏蔽能力很小（７７Ｋ）．     

熔盐反应法生长Bi—Pb—Sr—Ca—Cu—O系超导单晶

利用烷盐反应法生长了Ｂｉ－Ｐｂ－Ｓｒ－Ｓｒ－Ｃａ－Ｃｕ－Ｏ系超导单晶，这种方法容易生长高纯的Ｂｉ２Ｓｒ２ＣｕＯｘ和Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕＯｘ单晶，也已生长了２２１２和２２２３相交生的片状单晶，其中（Ｂｉ，Ｐｂ）２Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｘ相的体积分数约５０％，利用电子衍射图样，ＸＲＤ，ＥＤＡＸ和磁化率的测量对晶体结构、组分和超导电性进行了研究。     

掺Mg对Bi Pb Sr Ca Cu O体系中110K超导相生成的影响

用固相反应法合成了名义组分为Bi_xPb_ySr₂Ca_1.7Mg_0.3Cu_zO_w的块状超导体。根据直流电阻和交流磁化率测量的结果,给出了在7个不同温度下烧结的6个组分化合物的超导临界温度。在833℃到843.3℃范围内,110K相对80K相的体积比随着烧结温度的提高而增加。分析了断口形貌。对110K相的生成有影响的Pb和Bi在样品中的剩余量受烧结温度和时间的控制。Bi Pb Sr Ca Mg CuO体系之所以能在较低烧结温度下形成超导相是由于掺Mg造成了部分熔点的降低。     

熔盐反应法生长Bi－Pb－Sr－Ca－Cu－O系超导单晶

利用熔盐反应法生长了Ｂｉ－Ｐｂ－Ｓｒ－Ｃａ－Ｃｕ－Ｏ系超导单晶．这种方法容易生长高纯的Ｂｉ２Ｓｒ２ＣｕＯｘ和Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕＯｘ单晶，也已生长了２２１２和２２２３相交生的片状单晶，其中（Ｂｉ，Ｐｂ２Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｘ相的体积分数约５０％．利用电子衍射图样，ＸＲＤ，ＥＤＡＸ和磁化率的测量对晶体结构、组分和超导电性进行了研究．