溶胶-水热法合成PZT纳米粉体及性能研究

结合溶胶-凝胶和水热法的优点,采用改进的溶胶-水热复合法在较低温下制备出纯相PZT纳米粉体,并对粉体的烧结性能进行了研究,分别讨论了烧结温度、保温时间等工艺参数对烧结陶瓷密度、微观结构和压电性能的影响.270℃保温热处理2h可合成出粒径约为20~30nm,具有良好分散性的钙钛矿型PZT纳米粉体,且具有良好的烧结活性.在1150℃烧结保温2h,压电性能达到最优(机电耦合系数: 0.50,机械品质因数: 410,压电常数: 220pC/N,介电常数: 1060).结果表明,溶胶水热复合法具有合成温度低、组分易于控制、粉体烧结活性高的优点.      

非晶态NiSiB薄膜电阻的弛豫

用射频溅射制备了一组厚度不同的NiSiB非晶态薄膜.在不同温度下,用不同时间对薄膜进行了循环退火.实验测量了循环退火后的薄膜电阻随温度的变化,得到可逆和不可逆两组曲线.厚度较大(>1 000)的薄膜,电阻随温度的增加而增大,厚度较小(<400)的薄膜,电阻随温度的增加而减小.电阻温度系数有正有负.从非晶态材料的结构弛豫出发,应用激活能谱模型和推广的Ziman理论讨论了实验所得的结果.     

硅基底上外延生长过渡金属硅化物薄膜的研究

过渡金属与硅的接触系统一直被人们所关注,是因为它们在界面处具有肖特基势垒的形成、过渡金属硅化物的外延生长、制作器件的稳定和耐高温等重要性.因此在硅基底上形成金属硅化物薄膜也被广泛应用于半导体工业.对硅衬底上蒸发的Cr、Fe、Mn薄膜进行热处理,通过固相反应法(SPR)制备过渡金属硅化物薄膜,即经过对过渡金属硅化物(薄膜)/Si系统进行各种温度、不同时间的热处理,制备出各种过渡金属硅化物薄膜.对于制成的各种硅化物薄膜,用X射线衍射法(XRD)和软X射线发射分光光谱法(SXES)对它们的组成成分进行了分析和确认.并且,由这两种分析方法表明:各种过渡金属硅化物薄膜在硅衬底上各形成了单一相的均匀层硅化物薄膜.     

热反射测温系统测温准确度验证方法研究

针对热反射测温系统测温准确度验证结果不准确的问题,提出了一种热反射测温系统测温准确度的验证方法。采用以Si为衬底,利用半导体工艺制备金薄膜电阻,通过制作夹具,键合薄膜电阻与夹具的方式研制出验证电阻件。使用温控平台在30～100℃温度下对其进行温度系数考核,结果表明电阻件的阻值与温度有良好的线性关系。通过热电法计算出电阻件温度值,与热反射测温系统测量的电阻件温度值相比较,从而实现热反射测温系统测温准确度验证,保障了热反射测温系统的测温准确性。     

薄膜热电偶热氧化可靠性及结构优化

航空发动机涡轮叶片处于发动机温度最高的部位，将薄膜材料制备于待测物表面形成热电偶传感器，可及时有效的对涡轮叶片进行测温。薄膜热电偶多层膜间的热氧化界面扩散失效是导致薄膜可靠性不高的主要原因之一，基于Fick第二定律提出多层膜扩散可靠性模型，定量描述薄膜热电偶扩散失效机理，通过仿真计算，结合粒子群算法，以薄膜寿命最大为目标，寻优得到各膜层对应的最佳结构，为结构工艺上提高薄膜热电偶寿命的研究提供了一定的借鉴。     

离子束增强沉积TiB2薄膜的耐蚀性能研究

研究了在紫铜基材上用离子束增强沉积法（ＩＢＥＤ）沉积ＴｉＢ２薄膜后，在６００，７００和８００℃的空气中氧化的动力学曲线；在ＩＮＨ２ＳＯ４溶液中，用动电位扫描法测定了其极化曲线和极化阻力，用ＳＥＭ观察了其形貌，用俄歇电子谱仪（ＡＥＳ）分析了膜的成份，用Ｘ－射线衍射仪（ＸＲＤ）研究了膜的微观结构；讨论了ＴｉＢ２薄膜具有优良耐蚀性的机理。     

纳米硅薄膜的氧化特性

将ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜进行等离子和高温氧化处理，测量了样品的氢，氧含量，Ｒａｍａｎ谱，红外吸收谱，光致发光（ＰＬ），结果表明两种氧化方式都将氧掺入薄膜中，但不同处理方式氧在薄膜中的键合形式不同Ｒａｍａｎ谱表明氧化处理对薄膜中晶粒大小及晶态比没有影响，用晶粒－表面模型对氧化引起的光致发光（ＰＬ）蓝移进行了解释。     

不锈钢表面溶胶-凝胶/微胶囊复合膜层的研究

介绍了用溶胶-凝胶/微胶囊的手段制备复合涂层的方法,具体讨论了将有机硅树脂以微胶囊的方式加入到氧化锆溶胶-凝胶中,并使微胶囊包封技术应用于表面复合膜层的制备.试验结果表明,制得的氧化锆溶胶-凝胶/微胶囊复合涂层具有良好的抗高温氧化性能和耐腐蚀性能.对其机理的分析认为,由于微胶囊在高温氧化过程中囊皮破裂,使得胶囊内的流体得以填平由于氧化锆膜层与基体膨胀系数不同而造成的裂纹.      

硅溶胶在镁合金阳极氧化反应中的成膜作用

采用溶胶化学与电化学相结合的新型表面处理方法——将自制的硅溶胶添加到电解质溶液中进行阳极氧化.以AZ91D镁合金及镁锂合金为研究基材,研究体系分别为硅酸钠和氢氧化钠溶液,通过对不同溶胶添加量下的溶液电导率、反应击穿电压、氧化膜层厚度及微观形貌、膜层表面成分及XRD结果分析,来探讨溶胶粒子在成膜过程中的作用.结果表明:溶胶粒子的加入增大了阳极表面的电阻,使得反应的击穿电压升高,从而导致了膜层厚度增加;同时硅溶胶粒子参与了阳极氧化反应,其在高温高压的条件下与MgO生成了Mg₂SiO₄.      

PECVD法生长纳米硅薄膜的压敏特性

使用常规的ＰＥＣＶＤ（等离子体增强化学汽相沉积）沉积技术成功地制备出具有纳米相结构的硅薄膜，并研究了以玻璃和单晶硅为衬底材料的纳米硅薄膜的压阻特性，测得两种衬底材料制备的样品均有很高的压力灵敏度系数Ｋ，其值可以达到８０，退火后Ｋ值会增加，电阻随压力呈良好的线性关系，但有较大滞后，并对样品的受力情况及测试结果进行了简单的分析。本文对ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜力敏器件的设计和制造将有重要的参考价值。