离子束抛光热场数值仿真分析

本文采用有限元分析软件ANSYS模拟了离子束加工KDP晶体表面的温度场和热应力场分布。入射表面温度随离子束作用时间增加而增加并随离子束扫描周期呈现周期性变化。工件表面热应力受温度变化影响呈现一定的周期性,且压应力大于拉应力。仿真结果为进一步优化KDP晶体离子束抛光过程中的工艺参数,减小加工中热效应的不利影响提供一定的理论指导。     

KDP晶体飞刀铣削加工参数对表面质量影响的实验研究

本文通过实验研究了刀具前角、背吃刀量及进给量对KDP晶体表面粗糙度及表面波纹度的影响规律.研究结果表明,采用单点金刚石飞刀铣削方法加工KDP晶体光学元件的最佳刀具前角为-45°;背吃刀量对已加工表面的粗糙度影响不大;表面粗糙度随进给量增加而增大;已加工表面的波纹度与机床的工作状态有关,需采用合理的加工参数组合来保证.     

金刚石切削中工件材料的微观性能对切削表面质量的影响

研究了单晶铜直角自由切削时，工件材料的晶体取向对剪切角和已加工表面质量的影响。切削实验结果表明，工件材料的晶体取向对剪切角和已加工表面粗糙度有很大影响。     

刀具钝化对铣削GH4169表面粗糙度的影响

针对GH4169难加工材料,采用单因素实验法,研究了不同切削参数下刀具钝化对面粗糙度的影响,实验表明:使用钝化刀具加工形成的表面粗糙度较未钝化刀具有所下降,表面质量得以提高;切削深度由刃口半径的0.5倍变化到4倍时,表面粗糙度呈先减小后增大趋势,当切削深度是刃口半径的2倍时表面粗糙度最低.     

磁流变抛光KDP去除机理实验研究

针对KDP晶体质地软、脆性高、易潮解等不利于加工的材料特性,提出了基于潮解原理的无磨料非水基磁流变抛光新工艺,获得了表面粗糙度PV=13.7nm,Rms=1.1nm的超光滑表面。通过分析得出新型磁流变抛光通过溶解作用完成材料去除;实验证明新型液体抛光过程中,溶解作用占主导地位,机械去除作用很小,可忽略不计;去除效率随抛光区域剪切应力增大而增大,而正压力分布对去除效率没有影响。     

CLBO晶体的半固结磨粒研磨加工研究

通过对CLBO晶体半固结磨粒研磨过程进行研究,经过粗研和精研后,CLBO晶体表面粗糙度达到1ns且表面无划痕.并从加工表面的扫描电镜图可知,CLBO晶体半固结磨粒研磨的材料去除机理是延性去除模式.     

KDP晶体潮解抛光行程的分析

在对KDP晶体潮解抛光原理进行阐述的基础上，对KDP晶体潮解抛光过程进行了运动学分析，得到了KDP晶体表面上一点相对于抛光垫的抛光行程的表达式。根据抛光行程表达式和计算条件，分别计算了载样盘转数、载样盘圆心与抛光垫圆心之间的水平距离、载样盘圆心与其摆动圆心之间的水平距离、摆动周期取不同值时KDP晶体表面上一点相对于抛光垫的抛光行程，并绘制了抛光行程曲线，通过对抛光行程曲线的分析，得到了这些参数对抛光行程的影响规律。     

单点金刚石铣削KDP晶体实验研究

通过实验研究了KDP晶体铣削加工的切削力特性,分析了切削深度、进给量对切削力的影响,并对KDP晶体和铝合金的切削力进行了比较。结果表明,在不影响加工表面质量的前提下,可以适当加大切削深度和进给量从而提高切削效率。     

钛合金TC4电火花诱导可控烧蚀高效磨削技术研究

利用大部分金属尤其是难加工金属的可燃特性,开发一种针对难加工金属材料的新加工工艺——电火花(EDM)诱导可控烧蚀高效磨削技术。采用开槽导电砂轮进行磨削加工,首先利用导电区域与加工材料产生电火花诱导放电并通入助燃氧气,使材料表面产生电火花引燃烧蚀并软化,然后将已烧蚀和软化的材料磨除,对钛合金TC4进行烧蚀磨削试验,并与常规电火花磨削和机械磨削进行对比,分析了材料去除率(RMM)、表面质量和机床主轴电机功率变化等指标。结果表明,在试验条件下,烧蚀磨削在放电利用率提高的同时可获得表面粗糙度为0.59 μm的加工表面,与机械磨削的表面粗糙度值相近,而相同条件下电火花磨削的表面粗糙度为1.29 μm。由于烧蚀后产生了软化层,在切深小于软化层厚度的条件下,相对于电火花磨削和机械磨削状况,烧蚀磨削主轴电机功率相比空载时的增加值分别降低了95.2%和96.8%。此工艺方法可大大提高难加工材料的可磨削性能。     

硬脆性材料功能微结构精密磨削实验

基于硬脆性材料加工机理分析了其微结构磨削表面精度与磨削工艺的关系,利用压痕法研究硬脆性材料加工的脆塑转变临界条件,在此基础上结合最大切屑厚度h模型及表面粗糙度Ra模型初步确定了磨削加工工艺参数范围。分析了切削速度与工件进给速度对表面粗糙度的影响机制和规律,并针对石英玻璃进行了磨削实验。研究结果表明,在延性域磨削条件下可获得磨削后表面粗糙度为55nm的高质量表面,为硬脆性材料微结构延性域临界磨削条件研究提供了理论参考与试验依据。