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研制了基于单片机的新型点焊机,首次实现了最佳电流波形点焊新工艺.该焊机用于微型零件桥带的焊接,成功地解决了采用传统点焊方法时存在的焊点强度不稳、飞溅等问题.精密焊接提供了有效的方法. 相似文献
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不锈钢点焊自适应控制的研究 总被引:2,自引:1,他引:1
分析了1Cr18Ni9Ti不锈钢点焊过程中的动态电阻变化特性,研究了点焊工艺、结构等对动态电阻的影响,提出了用“相对电阻”进行点焊质量自适应控制,研制了以“相对电阻”为质量判据的单片机点焊质量监控系统。 相似文献
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介绍了蜂窝环形构件微型点焊的电极、设备及工艺过程,分析了焊点质量,发现了条形蜂窝件的质量问题对点焊过程的影响,并提出了相应的解决措施。 相似文献
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对2219+5A06铝合金进行了回填式搅拌摩擦点焊试验,研究了搅拌头旋转速度,下压-回抽速度和压入量等工艺参数对点焊接头力学性能的影响。对不同参数焊接的点焊接头进行了剪切拉伸抗力试验。结果表明:搅拌头旋转速度和下压-回抽速度对点焊接头的力学性能影响较大,而压入量对力学性能的影响较小。对点焊接头的微观组织分析表明,焊点接头可分为焊核区、竖直面热机影响区和水平面热机影响区三个部分。焊核区及水平面热机影响区为细小的等轴晶粒,水平面热机影响区形成与板材平行的结合面,竖直面热机影响区及焊点根部的hook缺陷是焊点力学性能的薄弱区域。 相似文献
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本文研究了38Cr2Mo2VA中温超高强度钢在焊态下、在焊机上回火以及焊后炉中回火三种状态的电阻点焊接头的力学性能。通过不同热处理状态下焊缝组织的分析以及对焊点受静载荷时的应力状态的分析表明,点焊接头的性能与焊后热处理有密切的关系,适当的焊后热处理能明显地提高电阻点焊接头的力学性能。 相似文献
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研究了不同的工艺制度对0018Ni高强度马氏体沉淀硬化时效钢电阻点焊接头显微组织及力学性能的影响.结果表明采用固溶+焊接+固溶+时效的工艺制度,电阻点焊接头的金相组织和单点剪切力较为理想. 相似文献
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1Cr17Ni2马氏体不锈钢的三次脉冲点焊 总被引:1,自引:0,他引:1
论述了1Cr17Ni2马氏体不锈钢三次脉冲点焊的工艺试验过程,分析了试验结果,并通过与二次脉冲点焊熔核的金相组织及机械性能比较,发现马氏体不锈钢的三次脉冲点焊可明显改善熔核的金相组织,显著提高焊点的拉伸、剪切强度及延性比。 相似文献
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文摘微电阻点焊工艺参数的设置对焊点力学性能有着至关重要的作用,通过正交试验极差分析研究了工艺参数对0.05 mm厚TC1箔材焊点剪切力和剥离力的影响程度。通过赋予剪切力和剥离力相应的权值将双优化目标转化为单一的混合优化目标,结合神经网络与遗传算法,对工艺参数进行了优化,建立了基于BP神经网络的焊点力学性能预测模型。结果表明预测模型的误差小于4%,预测模型具有较高的精度和预测能力,可以准确地预测焊点的力学性能。同时通过gatool工具箱对各项工艺参数进行了优化,获得焊接参数的最优组合:焊接电流800 A、电极压力8.89 N、爬坡时间1.608 ms、焊接时间8 ms,混合优化目标为55.73 N。通过与正交试验优化结果对比,遗传算法寻优可以获得更好的综合力学性能。 相似文献
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在蜂窝环的制造过程中,涉及到了奥氏体不锈钢带之间的焊接。本文通过对材料的结构和焊接特性分析及工艺试验,确定使用储能点焊的方法加上钨铜异型电极,以及合理的焊接工艺来保证奥氏体不锈钢带的焊接质量。 相似文献
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电阻焊控制器综合设计 总被引:1,自引:0,他引:1
ConcentratedDesignofResistanceWeldingController介绍了以触摸式薄膜按键、八段显示器和发光二极管指示灯构成的综合式操作显示面板优化布局设计,及其相对传统设计的优势。提出了各种组合式电阻焊循环方式,分别讨论了各方式的功能及适用性。电阻点、缝焊以其高效和易于控制的特点在航空制造业被广泛应用。实际生产中比较常见的情形是,一台焊机须焊多种零件,每换一种零件都要重新调整焊接规范,操作人员要记忆多套参数,调整起来也很不方便。有时,在一个工件上,各焊点所需焊接参数也不相同。如为补偿点焊时的分流问题,须使相邻各… 相似文献
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针对某薄壁TC4钛合金零件的电子束焊接,设计了焊接工装夹具,保证了焊接变形要求。通过工艺试验,确定了合理的焊接方案,成功的实现了该零件的电子束焊接。同时,针对其成功应用的研究过程,从焊接工艺及加工方案上总结出经验,为薄壁类钛合金零件的电子束焊接提供了借鉴依据。 相似文献
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本文对SiC_p/Al金属基复合材料直流脉冲点焊的焊点核心组织进行了研究,主要对焊核SiC颗粒的再分布及其对焊点剪切撕裂行为的影响进行了较深入的探讨。结果表明,SiC_p/Al在采用直流脉冲点焊进行焊接时,焊点核心中的SiC颗粒在电磁搅拌力作用下,向椭圆形核心长轴方向的边界聚集,造成分布不均,致使焊点在剪切撕裂断裂时,断裂发生在富SiC颗粒区与贫SiC颗粒或无SiC颗粒区的交界,以及SiC颗粒数量较少的区域。 相似文献