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白光LED中YAG荧光粉专利权为日本Nichia所有,各国研究者为了规避专利,争相研究替代产品。本文首次采用高温固相法制备了YVO4:Ce^3+荧光粉,对不同Ce^3+掺杂浓度下XRD图样与国际标准衍射卡对比后发现在1100℃保温9小时合成的Ce^3+:YVO4为四方晶系结构,随保温时间延长,结晶程度更好,但时间再长时,结晶变化已不大。荧光光谱表明,激发光谱为双峰结构,主峰在232nm和403nm。发射光谱为一宽带,峰值在424nm附近。发现最佳Ce^3+掺杂浓度为5mol%。结论是Ce^3+:YVO4荧光粉可以满足与蓝光LED复合产生自然白光的要求。 相似文献
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用Ce3+:YVO4晶体荧光粉与蓝光LED制造自然白光LED 总被引:2,自引:0,他引:2
刘景旺 《北华航天工业学院学报》2007,17(1):25-27
本文报导了通过结合自行制备的掺铈钒酸钇晶体(Ce3 :YVO4)荧光粉与InGaN/GaN蓝光发光二极管(LED)结合而得的白光发光二极管(W-LED).在室温、正向电压3.5V、正向电流20mA时W-LED的CIE色坐标为(0.32,0.37),接近纯白色(0.33,0.33). 相似文献
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刘景旺 《华北航天工业学院学报》2007,(1)
本文报导了通过结合自行制备的掺铈钒酸钇晶体(Ce3 :YVO4)荧光粉与InGaN/GaN蓝光发光二极管(LED)结合而得的白光发光二极管(W-LED)。在室温、正向电压3.5V、正向电流20mA时W-LED的CIE色坐标为(0.32,0.37),接近纯白色(0.33,0.33)。 相似文献
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张瑞宾 《桂林航天工业高等专科学校学报》2014,(1):16-19
论文采用了理论与实验相结合的方法,研究了电子束辐照对大功率白光LED寿命退化的影响。在寿命/可靠性实验设备上,对辐照后的大功率LED进行电流加速老化实验,并结合相应的寿命模型,对其寿命进行了预测,通过与未受辐照的大功率LED的寿命进行对比,实验结果表明电子束辐照效应会对大功率LED寿命造成严重影响,使其寿命大幅衰减。 相似文献
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四元InGaAsP混晶是一种理想的可用于窄禁带太阳电池制备的半导体材料。本文研究了InP衬底上InGaAsP材料在不同外延生长速度下的掺杂特性和晶体质量。通过电化学电容-电压测试法,实验发现高生长速率下InGaAsP材料的Zn掺杂的掺杂浓度与Ⅲ族源流量无关,而Si掺杂的掺杂浓度随Ⅲ族源流量增加而减少。通过瞬态荧光光谱测试方法,实验发现高生长速率下InGaAsP材料非辐射复合和界面复合占比减少,载流子输运效率得到了提升。最后,带隙组合为1.16 eV/0.88 eV的高生长速率InP基双结电池完成器件工艺后进行测试,其在AM0光照条件下开路电压为1 287 mV,平均电压损失为340 mV。 相似文献
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在钎焊温度1 080℃、保温时间0~15min条件下,用Ti-28Ni钎料对Ti60与高铌TiAl合金钎焊连接进行了研究。用SEM,EDS等方法对接头微观组织进行分析,并研究了保温时间对接头连接界面微观组织和力学性能的影响。结果表明:获得的接头无气孔和热裂纹,接头的典型界面结构为Ti60/α+(α+β)/Ti_2Ni+(α+B2)/α+Ti_3Al/Ti_3Al/B2/高铌TiAl合金;当保温时间较短时,断裂发生在钎缝处,钎缝区含大量Ti_2Ni相,随着保温时间的延长,Ti_2Ni相逐渐消失,α+Ti_3Al网状区面积不断增大且向Ti60合金侧偏移,保温时间过长时,接头断裂位置由钎缝区向高铌TiAl合金母材侧偏移,断裂形式为脆性断裂。保温时间10min时,接头平均剪切强度达到最大值139 MPa。 相似文献
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以硝酸镍、硝酸铁、硝酸铈为氧化剂,水溶性肼类燃料为还原剂,添加金属离子络合剂、分散剂,采用溶胶燃烧合成法制备了Ce掺杂的纳米NiFe2O4粉体,利用X-ray衍射仪(XRD)、红外光谱仪(FTIR)、透射电子显微镜(TEM)等仪器,对产物的形貌、结构进行表征,同时采用差示扫描量热仪(DSC)研究了产物对高氯酸铵(AP)热分解的催化作用。结果表明,所制备的纳米粉体粒径范围在30~60 nm,有良好分散性,Ce掺杂量在0.09以内,产物为单相尖晶石结构,没有杂相。随着Ce掺杂量的增加,产物使AP的高温分解峰温度逐渐降低,表观分解热增加。在Ce掺杂量为0.09时,使AP高温分解峰温度降低57.8℃,表现出较强的催化性能。 相似文献
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