| InGaAsP快速外延生长及其在太阳电池中的应用 |
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| 引用本文： | 李戈,陆宏波,李欣益,张玮.InGaAsP快速外延生长及其在太阳电池中的应用[J].上海航天,2021,38(1):136-141. |
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| 作者姓名： | 李戈 陆宏波 李欣益 张玮 |
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| 作者单位： | 上海空间电源研究所，上海200245 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61474076，61704106) |
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| 摘 要： | 四元InGaAsP混晶是一种理想的可用于窄禁带太阳电池制备的半导体材料。本文研究了InP衬底上InGaAsP材料在不同外延生长速度下的掺杂特性和晶体质量。通过电化学电容-电压测试法,实验发现高生长速率下InGaAsP材料的Zn掺杂的掺杂浓度与Ⅲ族源流量无关,而Si掺杂的掺杂浓度随Ⅲ族源流量增加而减少。通过瞬态荧光光谱测试方法,实验发现高生长速率下InGaAsP材料非辐射复合和界面复合占比减少,载流子输运效率得到了提升。最后,带隙组合为1.16 eV/0.88 eV的高生长速率InP基双结电池完成器件工艺后进行测试,其在AM0光照条件下开路电压为1 287 mV,平均电压损失为340 mV。
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| 关 键 词： | 太阳电池 InGaAsP 窄带隙 高生长速率 辐射复合 |
| 收稿时间： | 2020/3/4 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2020/3/7 0:00:00 |
Rapid Growth of InGaAsP and Its Application in Solar Cells |
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| LI Ge,LU Hongbo,LI Xinyi,ZHANG Wei.Rapid Growth of InGaAsP and Its Application in Solar Cells[J].Aerospace Shanghai,2021,38(1):136-141. |
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| Authors: | LI Ge LU Hongbo LI Xinyi ZHANG Wei |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | solar cell InGaAsP narrow bandgap high growth rate radiative recombination |
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