核电磁脉冲对武器装备电子系统的辐照效应实验

高空核电磁脉冲 (HEMP)对电子系统具有很强的干扰和破坏作用。为研究核电磁脉冲对武器装备的电子系统的各种效应 ,利用GTEM室产生的模拟核电磁脉冲 ,对某火箭弹模型进行了辐照效应实验。实验表明 ,该火箭弹在核电磁脉冲作用下 ,电子时间引信的装定会产生出错和失效现象。在实验基础上 ,分析了时间装定出错和失效产生的原因     

ESD EMP对触发器电路的辐照效应实验

静电放电产生的电磁脉冲具有上升沿陡、频带宽和峰值大等特点,它对电子系统具有很强的干扰和破坏作用.为研究ESD EMP对电子系统的影响,以某电子设备上的电路板为实验对象,进行了ESD EMP辐照效应实验.实验表明,该电路板在ESD EMP作用下,触发器的存贮数据会发生改变.在实验基础上,分析了各种效应产生的原因.     

无线电引信的电磁脉冲效应

强电磁脉冲对武器装备电子系统具有很强的干扰和破坏作用。通过超宽带电磁脉冲对无线电引信的辐照实验,研究了无线电引信在超宽带电磁脉冲作用下的效应。实验表明：无线电引信在超宽带电磁脉冲照射下,会产生早炸现象。在介绍无线电引信工作原理的基础上,分析了无线电引信产生早炸的原因,得出超宽带电磁脉冲直接作用无线电引信点火电路从而引起旱炸的结论。     

电子系统的电磁脉冲效应及防护

电磁脉冲对电子系统具有很强的干扰和破坏作用.为研究电磁脉冲对电子系统的影响,进行了静电放电电磁脉冲对单片机系统的辐照效应实验.实验表明,单片机系统在静电放电电磁脉冲作用下,会出现多种故障现象.在效应实验基础上,研究了单片机加固技术.     

数据存贮器的电磁脉冲效应及加固方法研究

计算机中的数据随机存贮器（RAM）非常容易受到电磁脉冲（EMP）的干扰。为研究电磁脉冲对计算机数据存贮器的影响,以静电放电电磁脉冲（ESD EMP）为干扰源,以单片机的外部数据存贮器为实验对象,进行了静电放电电磁脉冲对外部数据存贮器的辐照实验。实验表明,在静电放电电磁脉冲作用下,外部数据存贮器（RAM）的内容很容易被改写。在实验基础上,对外部数据存贮器的加固方法进行了研究。     

卫星静电放电传导干扰耦合的试验研究

通过进行卫星电子系统空间静电放电(ESD)传导干扰的地面评价试验,可以直观地了解卫星结构及电缆中ESD传导干扰的耦合规律,对于静电放电传导干扰的防护设计具有指导意义.针对空间平板介质型天线系统的ESD传导干扰,设计了两种ESD传导干扰试验方法及其试验装置,进行了单点电流脉冲注入法和容性电流耦合注入法ESD传导干扰耦合评价试验,试验结果表明,利用上述方法进行空间电子系统的ESD传导干扰评价试验是有效的,其试验结果对于航天器防静电设计具有重要实用价值.     

强电磁脉冲对单片机系统的辐照效应实验研究

为研究强电磁脉冲对单片机系统的辐照效应 ,在GTEM室内进行了辐照效应实验。实验表明 ,单片机系统在强电磁脉冲作用下 ,会出现“死机”、重启动、通讯出错和数据采集误差增大等现象。在实验基础上 ,对单片机系统的各种效应进行了深入研究。     

地球同步轨道高压太阳电池阵充放电效应研究

地球同步轨道(GEO)高压太阳电池阵表面静电放电(ESD)引起二次放电可能导致太阳电池阵永久性短路损坏。文章主要针对GEO高压太阳电池阵充放电效应问题,重点分析了高压太阳电池阵表面ESD和二次放电产生的物理过程,并利用负高压偏置方法开展了GEO高压太阳电池阵表面ESD和二次放电地面模拟试验。试验验证了反转电位梯度电场是导致GEO高压太阳电池阵表面产生ESD的触发因素之一,同时得到了GaAs高压太阳电池阵样品表面产生ESD和二次放电的电压阈值。     

高功率微波（HPM）武器

高功率微波武器是近年发展起来的一种对付武器装备电子系统的新概念武器,它属于非致命武器,具有非常广阔的发展前景。文章介绍了高功率微波武器的组成和基本原理,分析了它在现代战争中的应用,阐述了其技术现状和发展趋势。     

电磁脉冲的威胁

如果在美国的高空爆炸核弹,产生的电磁脉冲(EMP)将破坏大量的电子线路,严重地损坏发射核导弹的能力,通讯将中断,计算机不能工作而其储存的信息也将破坏无遗。对 EMP 威胁的基本知识,加上简单的防御措施,可减轻 EMP 破坏的作用。     

发射筒/固体发动机复合结构内部温度场随环境温度的变化规律

针对装载在发射筒内的固体发动机装药初温预估问题,基于某型武器装备实际结构建立了"发射筒/固体发动机"多层复合结构传热模型和相应的有限元模型,应用ANSYS APDL软件对该复合结构在不同环境温度载荷作用下内部温度场分布进行数值仿真计算,得到复合结构瞬时温度场和内部温度随外界环境温度变化的规律曲线。通过与开展的实际装备的环境温度实验比较,结果表明,仿真计算的内部温度随时间变化曲线与装备实验实测曲线基本一致,温度最大误差为4%,在合理误差范围内验证了本文建立的模型及仿真算法的正确性。因此,余弦式周变环境载荷工况下的仿真结果对实际装备作战应用具有一定参考价值。     

大气的中子效应

阐述了大气的环境及其中子对工作期间的电子系统产生的单粒子效应的实例，简述了中子产生单粒子事件的机理，提供了产生翻转事件的概率估算公式，并提出为安全考虑，导弹电子系统设计应计入此效应。     

中国空间技术研究院西安分院·介绍篇

中国空间技术研究院西安分院(原五院五○四所),1965年6月29日正式建所,位于陕西省西安市长安区。主要从事空间飞行器有效载荷及电子系统与设备、飞行器测控、武器装备和卫星应用电子系统与设备的研制、生产、以及相应电子学的研究。技术力量雄厚,专业配套齐全,基础设施先进。经过50年的发展和积累,中国空间技术研究院西安分院在卫星通信技术领     

电磁脉冲作用下计算机死机故障研究

为研究核电磁脉冲对计算机系统的效应,利用核电磁脉冲源产生的模拟核电磁脉冲,对单片机系统进行了辐照效应实验。实验表明,单片机系统在核电磁脉冲作用下,可出现死机等多种故障现象。在实验的基础上,分析了死机产生的原因及加固方法,并通过实验验证了指令冗余、软件陷阱和看门狗等措施对防止单片机死机的有效性。     

电磁脉冲对电子设备的耦合效应试验研究

大规模和超大规模集成电路(LSI/VLSI)在飞行器中得到了日益广泛的应用,有效减小了电子设备的体积、增强了飞行器系统的性能,但同时给系统抗电磁脉冲(EMP)辐射效应的可靠性带来了一定的风险.通过对飞行器进行EMP耦合途径分析,本文给出了电磁脉冲环境耦合到电子设备内部集成电路上的主要途径,并通过针对典型的CPU板进行的电磁脉冲辐照试验,证明CPU抗EMP耦合的能力弱于存储器及其它集成电路,得到了CPU板电磁辐照导致"死机"场强的临界值.     

电磁脉冲的威胁和防护

近25年来,高空核爆炸所产生的电磁脉冲(EMP)一直是理论和实验研究的一个重要课题。EMP以x射线、γ射线和高能中子等形式释放出巨大的能量,在几个毫微秒内,电场强度峰值可达数万伏/米,持续约100毫微秒,而较低的场强则可持续数百秒。这些能量对战略战术武器系统可产生多种影响。其间接影响是在地面或近地表面产生爆炸波、冲击波或热辐射;直接影响则是使空中飞行的导弹和卫星失灵或毁坏。此外,爆炸还能改变周围的大气环境,干扰射频至视频波段的通信。核武器产     

核电磁脉冲

核爆炸所产生的冲击波、热和辐射效应,已为大家所熟知。但核爆炸引起的电磁脉冲(EMP)现象,还未引起人们足够的注意。实际上,这是一种来自空间的强烈破     

半导体器件的静电损伤及防护

静电放电(ESD)损伤失效是半导体器件的重要失效原因。从静电产生、静电放电ESD损伤模型、抗静电能力分类、ESD的失效模式、使用中的防静电损伤措施等二方面予以介绍。其目的是为用户提供防静电损伤的科学依据。     

电子通讯设备的ESD防护设计

简要介绍了ESD的损伤模型和ESD对于电子通讯设备的危害，并从PCB的ESD防护设计、金属部件和金属外壳接插件的ESD防护设计、机壳的ESD防护设计和采用ESD护防的元器件四个方面详细讨论了电子通讯设备ESD 防护设计的方法。     

铝栅CMOS器件的总剂量辐射效应及其与剂量率的关系

采用非加固铝栅CMOS电路(CC4007、C072B)进行了不同剂量率的总剂量辐照实验,将辐照后的器件置于不同的温度下进行退火;根据实验结果,运用辐射产生氧化层俘获电荷和界面态的机理模型,分析了器件的剂量率效应,评估了器件在不同剂量率下的总剂量辐射效应;根据器件迁移率的变化定性地分析了氧化层俘获电荷和界面态的生长变化与辐射剂量率、辐照剂量及时间的关系;研究了退火温度对器件退火的影响,对加速实验模拟方法作了初步的探讨。