一种基于FPGA的ISA航空总线设计方法

Nios Ⅱ处理器是Altera公司推出的基于SOPC系统的嵌入式软核处理器。在Quartus Ⅱ软件的SOPC Builder工具中,用户可以利用Nios Ⅱ处理器、标准配套外围设备以及用户自定义的逻辑接口IP核来创建适用的Nios Ⅱ嵌入式系统,再将设计下载到Altera公司的FPGA中进行实现。本文在Quartus Ⅱ软件中使用Verilog硬件描述语言创建了基于Avalon总线的ISA总线接口逻辑,并在SOPC Builder中实现对此元件的封装,使之成为可供Nios Ⅱ系统使用IP核。     

基于IP核的PCIE总线接口逻辑的设计和实现

使用PCIE总线进行设备间互联时,需要设计接口逻辑实现PCIE总线与内部功能的交互,采用一种基于IP核的方法,在Xilinx Virtex-7系列FPGA上完成了PCIE总线接口逻辑的设计和实现,并进行了功能和性能验证,结果表明逻辑能够正确进行寄存器访问和DMA传输,且DMA传输带宽能达到PCIE总线带宽的70%以上.     

微小型转台控制器的SOPC实现

微小型转台控制器通常利用嵌入式系统,尽可能减小控制系统的体积。SOPC技术的不断发展,实现了在FPGA芯片嵌入内核处理器,将其作为控制器具有很大优势。使用Altera公司的FPGA作为控制器开发平台,完成了控制器硬件开发,并且利用Nios II作为嵌入式内核,开发了基于Avalon总线的IP核。开发的控制器应用到微小型转台控制中,提高了控制器的集成度。     

基于RapidIO的FPGA硬件抽象层设计

本文针对SCA2.2.2软件通信体系结构提出的硬件抽象层(MHAL)设计规范,研究设计了一种现场可编程逻辑门阵列(FPGA)上基于Rapid IO总线IP核的MHAL,实现了波形设计与具体硬件平台分离。该设计基于采用适合嵌入式通信系统的高速可靠、低延迟的Rapid IO总线联接的硬件平台。通过仿真软件和硬件平台对其功能和性能进行了验证,对实际工程应用有极大的参考价值。     

基于CPLD的LBE总线与I^2C总线接口的实现

分析了I^2C串行总线的数据传输机制,描述了LBE总线的时序要求,设计了基于CPLD的I^2C总线主模式与LBE总线的接口电路,其中包括LBE总线接口逻辑和I^2C总线接口逻辑两部分。最后,给出了在Lattice4.1＋ModelSim6.0软件平台中进行逻辑综合与时序仿真的结果。     

机载通信管理器的处理器模块设计

MPC8245主要集成了PowerPC603e低功耗处理器核与PCI桥接器,以PCI同步总线作为局部总线,适合扩展为系统主控制器(同样也作为系统显示与通信的主控制器)。PCI同步总线最大传输率132 MB,完全满足管理器显示数据传输的基本要求。同时处理器器件集成了PIC控制器DMA控制器DUART存储器控制器I2C总线等,可以降低模块组成开销。通过PCI配置空间的访问简化了硬件逻辑、驱动的设计。PCI局部总线的使用使系统的结构更加明晰,易于扩展为分布式系统,通过对模块的实现可加深对PowerPC体系结构、PCI总线的了解。     

面向电子控制器测试的JTAG控制器IP软核设计

基于可编程门阵列(FPGA)设计JTAG(joint test action group)控制器知识产权(IP)软核,可以实现在线测试.通过分析测试访问端口(TAP)控制器状态机及边界扫描专用控制器芯片原理,针对发动机控制器中常用的数字信号处理器(DSP)芯片,设计了JTAG控制器IP软核以及基于该IP软核的边界扫描测...     

基于FPGA的I2C总线主控器的设计与实现

I2C BUS(Inter Integrated Circuit BUS内部集成电路总线)是由Philips公司推出的两线制串行扩展总线,是具备总线仲裁和高低速设备同步等功能的高性能多主机总线.结合DS1340(日历时钟器件)应用实例描述了采用FPGA模拟I2C总线的时钟线SCL(Serial Clock)和数据线SDA(Serial Data),实现对DS1340控制的具体过程.     

数字化机载环控地面检测系统的研究

通过采用两片PIC18F448及其外围器件实现了机载环控地面检测系统的数字化设计。通过I^2C总线实现两片单片机之间的数据传输与协调，并利用其CAN接口模块实现多套检测系统的网络化和远程控制操作。     

IP over CCSDS协议适配的高速并行实现技术

天地一体化组网应用须在空间网和地面网之间部署IP over CCSDS(基于CCSDS空间链路承载IP业务)协议适配网关,以实现在高速CCSDS(空间数据系统咨询委员会)空间链路之上传输IP(互联网协议)数据包。针对此需求,提出一种IP over CCSDS协议适配的高速并行实现方法,并在Linux内核中采用多线程技术实现IP over CCSDS协议适配过程,通过实验进行测试与验证。测试表明,在处理器多核数目的范围内,协议适配处理性能随线程并发数目的增加而增加;当线程数目超过处理器核数时,受限于处理器核数和线程调度开销的影响,协议适配的性能并不能随着线程数目的增多而线性增加。后续,可利用FPGA(现场可编程门阵列)硬件逻辑电路的并行能力在硬件上实现协议适配的高速并行处理,并设计更高速率的同步接口,以从硬件上实现几千兆比特甚至几十千兆比特的高速IP over CCSDS协议适配。     

ZrB2 改性C/ C-SiC 复合材料性能研究

采用碳纤维复合网胎针刺预制体,通过溶液浸渍工艺制备了碳纤维增强C/C-SiC和C/C-SiC-ZrB2陶瓷基复合材料,并对材料的力学、热物理和烧蚀性能进行了分析对比。结果表明:针刺C/C-SiC-ZrB2复合材料的面内弯曲强度、厚度方向的压缩强度、层间剪切强度分别为199、274和19.3 MPa,各性能均低于对应的针刺C/C-SiC复合材料。针刺C/C-SiC-ZrB2材料与针刺C/C-SiC材料相比,热导率得到大幅度提高,而线胀系数略微有所降低。2 500 K、600 s风洞试验后,针刺C/C-SiC-ZrB2复合材料表现出良好的抗氧化烧蚀性能,质量烧蚀率约0.4×10-4g/s。     

难熔金属化合物掺杂对先驱体转化2D C/SiC复合材料抗氧化性能影响

提出在2D C/SiC复合材料基体中掺杂难熔金属化合物ZrB2,TaC,ZrC,制备了2D C/SiC-ZrB2,2D C/SiC-ZrC和2D C/SiC-TaC新型复合材料,考察了难熔金属化合物的引入对材料力学性能、抗氧化性能和微观结构的影响.结果表明,ZrB2和TaC的引入,能明显提高2DC/SiC复合材料的抗氧化性能;ZrC的引入对2D C/SiC复合材料的抗氧化性能极其不利.这归结于高温下ZrB2和TaC有助于在复合材料表层氧化形成ZrO2,B2O3和Ta2O5保护膜,阻止了材料内部的进一步氧化,从而提高了复合材料的抗氧化性能.     

C/ C 复合材料CVD 过程中气相反应分析

以整体毡为预制体,丙烷为碳源,以沉积温度和气体滞留时间为考察变量,采用CVD 法制备了 C/ C 复合材料,并用偏光显微镜分析了热解碳结构,用气相色谱仪分析了尾气成分,并采用商用COMSOL 软件 分析了1 250 K 以上成碳过程的中间气相产物和气相反应路径。结果表明:试样上下表面热解碳均为光滑层 结构,高温下主要中间产物有H2、C2H2、C2H4、CH4,其中大分子结构、H2、C2H2 浓度,随着温度的升高而增大, C2H4 浓度随着温度的升高迅速减小,CH4 浓度略有减小;具有较低C—H 结合能而容易形成稳定的自由基的 大分子浓度随滞留时间延长而先增加后下降,具有高不饱和结构的大分子随滞留时间的延长浓度变化不大;热 解碳形成的复杂过程中C2H4 具有重要的作用。     

B2C跨国在线下载数据类产品所得课税的必要性分析

B2C跨国在线下载是一种新兴的电子商务交易模式.由于其产品的无形性以及交易跨国性,各国在对其是否征税的态度上莫衷一是.从收益性理论、税收公平原则出发,对B2c跨国在线下载数据类产品有征税必要;从公共政策的角度出发,作为市场消费国的中国更有必要主张对其征税.     

温度对溶剂热改性C/C复合材料显微结构和氧化性能的影响

以硼酸三正丁酯、乙酸、B2O3粉体为原料,无水乙醇为溶剂,采用一种新颖的溶胶/凝胶结合溶剂热法对C/C复合材料基体进行了抗氧化改性.采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能量色散谱仪(EDS)及X射线光电子能谱(XPS)对改性后试样进行了表征.重点研究了溶剂热反应温度对改性后试样的物相组成、微观结构和氧化性能的影响.结果表明:经过溶剂热改性处理后,C/C复合材料表面缺陷被玻璃相B2O3组成的涂层所覆盖,材料内部一部分孔隙也被B2O3相填充,且随着溶剂热温度的上升,试样表面的微裂纹逐渐消失,B2O3涂层的致密度上升;C/C基体的抗氧化性能随着溶剂热改性温度(范围353～433 K)的升高而提高;经433 K溶剂热改性后的C/C复合材料在873 K的空气中氧化16 h后的质量损失仅为4.09％.     

2D C/SiC-ZrB2复合材料的烧蚀性能

用ZrB2微粉对2D C/SiC基体进行改性,研究了化学气相渗透结合浆料浸渍及先驱体浸渍裂解工艺制备2DC/SiC-ZrB2复合材料在氧-乙炔焰和1800℃甲烷风洞环境中的烧蚀行为.结果表明:在氧-乙炔环境中,2D C/SiC-ZrB2的线烧蚀率和质量烧蚀率分别为6.1×10-2 mm/s和1.0×10 -2g/s,相对2D C/SiC复合材料而言,ZrB2微粉并没有提高C/SiC复合材料的抗烧蚀性能.在1800℃甲烷风洞环境中,涂层致密度起主要作用,涂层致密度相同时,复合材料的开气孔率越大,质量烧蚀率越大,ZrB2微粉的渗入对C/SiC复合材料的烧蚀性能影响不大.     

表面改性C/C复合材料与LAS玻璃陶瓷的连接

采用MgOAl₂O₃SiO₂(MAS)玻璃作为中间层,对SiCMoSi₂表面改性的C/C复合材料与Li₂CO₃Al₂O₃SiO₂(LAS)玻璃陶瓷进行热压连接。通过正交实验,研究了连接温度、连接压力和保温时间对试样连接强度的影响,确定最佳工艺参数为：1 200 ℃,20 MPa,15 min,所得到连接接头的最高剪切强度可达30 MPa。利用扫描电子显微镜（SEM）、能谱仪（EDS）和背散射电子像（BEI)对SiCMoSi₂涂层、连接界面的形貌以及组成进行了分析。研究结果表明,SiCMoSi₂涂层与基体结合紧密,Si,C元素在界面处呈梯度状分布,形成厚度约为15 μm的过渡层。MAS玻璃中的组分与LAS玻璃陶瓷和SiCMoSi₂涂层存在相互渗透现象,形成紧密的C/C(SiCMoSi₂)/MAS/LAS结构,界面间的结合良好。     

B2C电子商务中信号机制的建立

首先提出双向信息不对称问题是制约B2C电子商务发展的关键,通过对信号传递理论的研究成果进行归纳,总结出建立B2C电子商务中信号机制需要符合的条件,并建立起B2C中信号机制的模型,即企业传递信号—消费者甄别的信号机制和消费者传递信号—企业甄别的信号机制。     

PIP 工艺对2D C/ SiC-ZrB2 复合材料结构和力学性能的影响

采用CVI结合SI及PIP工艺制备2D C/SiC-ZrB2复合材料.研究了PIP工艺中循环浸渍次数及热处理对复合材料结构和力学性能的影响.比较了多孔C/SiC浸渍浆料后用PIP结合CVI致密化和仅用CVI致密化的效果.结果表明:浸渍裂解后,热处理温度相同,热处理次数对复合材料的开孔率和弯曲强度影响不大.2D C/SiC-ZrB2复合材料的弯曲强度不随PIP次数的增多而增加,PIP处理二次后,复合材料的强度逐渐增加,PIP处理五次,强度达到最大值,制备的复合材料开孔率为8.0%、弯曲强度为423 MPa.SI后用PIP结合CVI致密化比仅用CVI致密化效果好.