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相似文献
 共查询到14条相似文献,搜索用时 187 毫秒
1.
基于一种低的交流电压条件(10 V),在NaOH和Na2SiO3的混合溶液体系中,对AZ91D镁合金进行电化学阳极氧化处理.利用扫描电镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)、电化学测试技术等手段研究了AZ91D镁合金表面阳极氧化的成膜过程、膜层生长的特点以及氧化工艺参数对膜层性能的影响规律.试验结果表明:在10 V这样低的交流电压下,在镁合金表面获得的氧化膜层表面均匀,为无孔洞的平层状膜层,其生长过程呈叠加式特点;获得的氧化膜层的主要成分为Mg2SiO4;在质量分数为3.5%的NaCl溶液中,经过电化学阳极氧化的镁合金的耐蚀性优于未经处理的镁合金.   相似文献   

2.
    
通过在45 g/L的硫酸溶液中添加有机酸添加剂及快速成膜缓冲剂,以15~25 V的梯度电压方式对LY12CZ铝合金进行阳极氧化处理,获得一种代替铬酸阳极氧化、硼酸-硫酸阳极氧化工艺的铝合金新型环保快速阳极氧化工艺.对获得的氧化膜进行场发射扫描电子显微镜观察、耐点滴腐蚀试验、膜重试验以及疲劳性能测试.结果表明:有机酸、缓冲添加剂在铝合金硫酸阳极氧化成膜过程中可以缓冲硫酸对膜层的溶解,提高氧化膜层的致密性和耐腐蚀性能,同时降低了氧化过程对铝合金基体的疲劳损伤;另外,在15 V电压下氧化5 min再在25 V电压下氧化5 min,获得的氧化膜层性能与硼酸-硫酸工艺条件下15 V电压氧化20 min所获得的膜层性能相当,其中的有机酸添加剂为YP添加剂,快速成膜缓冲剂为YJ缓冲剂.  相似文献   

3.
铝合金阳极化膜上铈转化膜沉积的电化学研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
阳极氧化膜在含1g/L CeCl3和2.7 g/L H2O2的水溶液中阴极电解可以在其表面沉积富铈转化膜.用循环伏安、φ-t和j-t曲线等电化学测试方法对转化膜成膜反应进行了研究,以期获得对成膜机理的深入了解和证实根据其它工作提出的成膜机理.研究结果表明铈转化膜的生成包括阳极氧化膜的化学溶解和4价铈化合物的电化学还原两个过程;在阴极电位达到析氢电位之前,这两个过程主要是由H2O2在阴极的电还原改变了阴极表面附近溶液的局部pH值引起的,而O2的还原通常不能引起这两个过程的发生.   相似文献   

4.
  总被引:1,自引:0,他引:1  
以5A06和2A12铝合金为研究对象,研究了Al-Mg和Al-Cu合金在硫酸-己二酸中阳极氧化行为及其氧化膜的电化学性能,分析合金相对铝合金阳极氧化膜层结构以及耐蚀性的影响.采用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)进行表面形貌观察,采用动电位极化曲线、电化学阻抗谱(EIS)进行膜层的电化学性能评价.结果表明:2A12铝合金恒电压阳极氧化过程中出现两个电流峰值,这说明含铜相的溶解会影响阳极氧化过程;2A12铝合金膜层孔洞不规整,连通现象严重,含铜相的富集促进了氧气的产生,影响了氧化膜的微观结构;相同浸泡时间下,5A06铝合金氧化膜自腐蚀电位更高,自腐蚀电流更低,具有较高的耐蚀性,这是由于Al-Cu合金的孔隙率要比Al-Mg合金高.  相似文献   

5.
低电压(10V)下镁合金表面电化学氧化膜层   总被引:1,自引:1,他引:0  
基于高电压下氧化成膜有可能对镁合金基材机械性能造成损伤.研究了在以硅酸钠为主要成分的电解液中,施加10~110V交流电压对AZ91D镁合金表面进行电化学氧化的成膜过程.探讨了氧化电压、氧化时间等对膜层性能的影响规律,并且对所获得氧化膜层进行了微观分析.结果表明:在10V电压下氧化就能获得与70~110V电压下耐腐蚀性相当的氧化膜层;而且在10V交流电压下获得的氧化膜层形成过程为颗粒状形式-连接成块状-完整的膜层-交错叠式生长等4个阶段.  相似文献   

6.
通过对P25Ti O2光阳极薄膜厚度、敏化的量子点种类及量子点敏化方法研究,探讨了使用连续离子层吸附反应法的敏化方法(SILAR)时,P25Ti O2薄膜厚度与光阳极电子寿命的关系,以及量子点种类、共敏化工艺对光阳极光电性能的影响.采用电化学阻抗(EIS)、开路电压衰减(OCVD)及紫外-可见吸收方法,对影响光阳极光电性能的Ti O2薄膜厚度、量子点种类及共敏化工艺因素进行测试分析.实验结果表明:当光阳极薄膜厚度为12μm时,电子复合几率最小,光阳极的电子寿命相对最长;采用连续离子层吸附反应法(SILAR)对多种量子点共敏化的光阳极(Ti O2/Cd S/Cd Se/Zn S)与单一量子点敏化的光阳极(Ti O2/Cd S)相比,短路电流提高了34%,光转换效率提高了42%;合适的共敏化工艺也有助于提高光阳极的电子寿命、光谱吸收范围和吸收强度.  相似文献   

7.
以2198铝-锂合金为研究对象,在硫酸-己二酸电解质溶液中进行阳极氧化,并对氧化后的试样进行沸水封闭处理。采用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)和原子力显微镜(AFM)对氧化膜的表面和截面的形貌进行观察。通过电化学阻抗谱(EIS)、塔菲尔(Tafel)曲线和浸泡实验来分析阳极氧化膜的耐蚀性能。结果表明铝-锂合金在阳极氧化过程中由于含铜合金相的影响,形成的氧化膜孔洞不完整出现连通现象;电化学测试结果表明封闭之后的氧化膜的耐蚀性明显提高,并且随着浸泡时间的延长拟合等效电路发生改变,同时多孔层和阻挡层的阻抗值在降低,说明在浸泡的过程中氧化膜的结构发生改变,耐蚀性降低。   相似文献   

8.
不锈钢表面溶胶-凝胶/微胶囊复合膜层的研究   总被引:7,自引:0,他引:7  
介绍了用溶胶-凝胶/微胶囊的手段制备复合涂层的方法,具体讨论了将有机硅树脂以微胶囊的方式加入到氧化锆溶胶-凝胶中,并使微胶囊包封技术应用于表面复合膜层的制备.试验结果表明,制得的氧化锆溶胶-凝胶/微胶囊复合涂层具有良好的抗高温氧化性能和耐腐蚀性能.对其机理的分析认为,由于微胶囊在高温氧化过程中囊皮破裂,使得胶囊内的流体得以填平由于氧化锆膜层与基体膨胀系数不同而造成的裂纹.   相似文献   

9.
LY12CZ铝合金的己二酸硫酸阳极氧化   总被引:2,自引:1,他引:2  
通过向硫酸阳极氧化槽液中添加己二酸,研究了LY12CZ铝合金的己二酸硫酸阳极氧化,并与传统硫酸阳极氧化进行了对比.采用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)对两种阳极氧化膜的微观形貌进行了观察,用电化学阻抗谱(EIS)对比研究了两种氧化膜的电化学特性参数及耐腐蚀性能,采用万能力学实验机对阳极氧化后LY12CZ板材试样进行疲劳寿命测试比较.结果表明,与传统硫酸阳极氧化膜相比,己二酸硫酸阳极氧化膜具有更小的孔洞结构和更少的缺陷,在腐蚀环境中有更好的稳定性和耐腐蚀性能,对铝合金试样的疲劳损伤也大大减弱,并对机理进行了初步探讨.  相似文献   

10.
以有机硅氧烷为基料,通过添加羟基氟硅油等成分,制备了一种含氟固体憎水剂.将所制备的固体憎水剂按不同浓度用乙醇溶解后分别涂覆于A3钢材料表面,均获得了厚度小于1 μm的透明憎水膜层.研究了这些膜层的憎水性和耐腐蚀性能,结果表明,憎水剂的浓度对膜层的憎水性、憎水稳定性及耐腐蚀性等都有影响;氟的添加可有效提高膜层的憎水性能,接触角提高约20°左右,膜层的耐腐蚀性能也得到显著提高.   相似文献   

11.
LY12cz铝合金晶间腐蚀模拟试验研究   总被引:9,自引:0,他引:9  
用金属间化合物 θ(CuAl2)、S(Al2CuMg)、MnAl6与纯Al(L1)组成多电极体系,以模拟LY12cz合金的晶界区.通过电化学测试、SEM和能谱分析等方法研究了该合金晶间腐蚀机理.证实其晶间腐蚀是由沿晶界偏析的强化相与贫Cu区所组成的多电极体系引起的.在含Cl离子的中性溶液中,S相是导致晶间腐蚀的主要阳极相.S相首先发生阳极溶解,随后,贫铜区、MnAl6相逐步随S相一起溶解.以这种方式沿晶界形成了阳极溶解通道,导致晶间腐蚀.  相似文献   

12.
研究了碳氢气体通过射频辉光放电沉积类金刚石碳膜。研究了射频电压和沉积时间对膜厚和维氏显微硬度的影响。此外,还进行了微动磨损试验。本实验所用的碳氢气体为C_2H_2,基体材料为TC4钛合金(Ti-6%Al-4%V)和45钢(Fe-0.45%C)。  相似文献   

13.
Si对TiAl合金高温抗氧化性能的影响   总被引:4,自引:0,他引:4  
利用X射线衍射、扫描电镜、能谱仪等手段研究了TiAl-Si(原子数分数为0~20%)合金在1 173 K大气中24 h的恒温氧化.结果表明:Si元素可以有效地提高TiAl合金的高温抗氧化性能;随着Si含量的增加,氧化膜厚度依次减薄,TiO2的含量逐渐减少,Al2O3的含量逐渐增加,添加到10%左右时就有连续致密的Al2O3保护膜形成;Si在0~20%的添加过程中并没发现Si的氧化物生成.分析表明:Si对抗氧化性能的贡献可归结于Si与Ti有很好的亲和力,可以有效地降低Ti离子的活度、阻碍Ti离子的向外扩散, 相对来说增强了Al离子的活度,促进连续致密的Al2O3保护膜生成.   相似文献   

14.
通过溶胶-凝胶工艺以正硅酸乙酯(TEOS)和γ-(甲基丙稀酰氧)丙基三甲氧基硅烷(MEMO)为前躯体在聚酰亚胺薄膜(Kapton)基体上制备了有机/无机复合氧化硅涂层,地面模拟原子氧暴露试验表明涂层防护使基体的原子氧侵蚀速率下降了一个数量级,暴露前后基体的光学性能基本没有改变,加入MEMO相对量为0.2时涂层抗原子氧性能较好。扫描电子显微镜(SEM)、傅里叶红外衰减全反射光谱(FTIR-ATR)和X射线光电子能谱(XPS)分析表明原子氧暴露后Si-O-Si基团特征峰均向纯氧化硅的硅氧键吸收峰处偏移,而由MEMO产生的Si 2p价态峰减弱,因此涂层趋向于转化为稳定的纯氧化硅结构。  相似文献   

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