离子铣

离子铣 (离子束刻蚀 )是利用离子束轰击固体表面的溅射作用 ,剥离加工各种几何图形的一种新工艺。电火箭发动机本体是一种大面积离子源 ,利用它产生的离子束 ,可对固体材料溅射刻蚀 ,对固体器件进行微细加工。本成果将这种离子源用于声表面波器件和动压陀螺气体轴承沟槽的刻蚀加工 ,研制成离子束刻蚀机。若刻蚀等深度的沟槽 ,可用电机传动的旋转工作台 ;若刻蚀深度加权沟槽 ,则用计算机控制的平移工作台。本机具有超精细加工能力 (亚微米级 ) ,可精确控制射束能量、密度和方向。从而灵活控制沟槽深度、槽壁斜度和加工速率。无钻蚀现象 ,能加…     

离子束加工技术及其在航空工业中的应用

离子束加工是一种原子级尺寸的加工技术。离子刻蚀、离子注入、离子镀和离子溅射沉积等离子束加工工艺已在航空工业中获得大量应用。目前，正在研究开发一些新的离子束加工工艺。     

金刚石薄膜图形化技术的研究

从金刚石薄膜半导体器件的实用要求出发,比较了金刚石薄膜的各种图形化技术,研究了它们各自的特点和适用性,如播种法选择性生长、掩膜法选择性生长、离子束刻蚀和反应离子刻蚀技术等.     

航空微电子制造技术发展概况

航空微电子制造技术的生要性和发展特点航空微电子制造技术推动了航空电子设备的更新换代航空电子设备每一次质的飞跃都与微电子制造技术的发展密切相关.如:集成电路制造技术中的光刻工艺,从一般光学曝光、准分子激光光刻发展到电子束和离子束光刻,使集成电路芯片图形的线宽尺寸从几微米减小到0.25微米,从而产生了超大规模集成电路、极高速集成电路、微波毫米波单片集成电路,它们是组成现代航空电子设备的关键元器件.又如:航空电子设备的组装技     

一种硅深刻蚀中抑制Lag效应的新方法

在MEMS器件加工过程中,采用ICP刻蚀不同深宽比的三维结构时,由于Lag效应的影响,使较大尺寸的线条有较快的刻蚀速率,导致刻蚀深度的差异.为了抑制Lag效应,本文以S.L.Lai的三阶段模型为基础,提出一种可以对Lag效应进行补偿的刻蚀模型.     

新的微细加工技术

新的微细加工技术美国国家标准技术研究所和哈佛大学正在研究一种新的微细刻蚀方法，即用粒子束代替光束．目前，用光刻的方法剜蚀集成电路可达０３５ｐｍ的尺寸．在１０年内，光刻尺寸将达到０１３ｐｍ的极限．使用新的加工方法可＄Ｊ蚀出具有几十纳米尺寸的图形．光刻尺...     

X射线光刻机中应用的精密定位工作台

为适应超大规模集成电路器件的发展,微电路图形的特征线宽愈来愈细的特点,发展了电子束光刻及Ｘ射线光刻,而Ｘ射线光刻由于其极高的分辨率,对未来的大规模集成电路器件的制作具有很大的应用潜力。随之而来的是要有高精度的定位工作台,以保证高套刻精度的要求。     

微波集成电路用陶瓷材料

本文对微波集成电路中衬底、谐振器、电容器、电阻器等无源器件所用的陶瓷材料作了较为详细的介绍。     

美国的几种微电子工艺设备

美国的几种微电子工艺设备①ＯＡＩ公司的Ｊ５０００型高分辨率掩膜对准曝光系统．该设各可以应用的主要场合如下：砷化镓场效应器件，薄膜混合集成电路，微波混合集成电路，声表面波器件，薄膜磁头器件，多层布线厚膜电路及高密度组装印制板．其光刻分辨率为０．５μｍ。...     

一种组合逻辑器件——PAL

本文详细介绍了一种组合逻辑形式的集成电路——PAL 器件,由于它可根据设计者的需要编程使用,并且具有可加密的功能,所以为电子线路的设计提供了新的手段。本文从PAL 的技术特点、逻辑结构,基本功能等几方面作了介绍。     

微处理机发展及应用

1947年发明第一只点接触型晶体管以来,电子工业发生了巨大的变化,特别是1959年平面型晶体管的出现,为集成电路的发展创造了条件。自此,每封装中的元件数几乎按着每年翻一倍的速度迅速发展起来,分立元件(1元件/封装)渐渐被集成器件所取代,(大、中功率元件除外),集成器件的集成度也不断提高。小规模集成电路(SSI)每封装仅几十个元件,中规模集成电路(MSI)每封装几百元件。大规模集成电路(LSI)每封装达几千元件。目前出现的超大规模集成电路(VSI),每封装达几十万元件(存贮器)或几万元件(逻辑电路)。也就是要在一块5毫米×5毫米左右的芯片(chip)上制作几万甚至     

机载设备半导体器件的质量控制

半导体器件(晶体二、三极管、可控硅、集成电路)是航空机载设备电子系统的重要组成部分。其功能可靠性直接影响或决定电子系统的可靠性。由于航空产品特殊的工作环境与较高的技术要求,使得半导体器件在工作状态要受到电应力、热应力、气候应力、机械应力等综合作用,这就决定了半导体器件的失效率要受到诸多负荷因素的影响。因此,器件的失效过程是一个多维、非平稳随机过程,由多种因素所决定。器件失效与工作负荷、内在工艺质量、环境条件、筛选工艺等因素有关。从实质上讲,航空用半导体器件的质量控制必须从器件的固有质量、器件的使用及器件的老化筛选三个主要环节加以控制。这三个环节具有内在联系,缺一不可。     

基于用研结合的国产集成电路研制方法研究

传统的国产集成电路研制方法由于缺乏用户方的深度参与,用研沟通不够,致使器件研制特性与用户需求之间具有不能完全对应的风险。论述了一种基于用研结合思想,通过在传统研制流程中嵌入有效的用户试用和评估环节进行国产集成电路研制的方法。基于用研结合的,能够同步集成电路的研制进程进行试用验证,保证了国产集成电路在每个设计阶段设计与需求的相符性,保证了研制质量、加快了国产集成电路研制进度,为装备研制提供了基础保障。     

光柱显示器件与数码管的混合驱动方法

光柱显示器件就是把若干个发光元件按纵向排列组成的一个光柱，它有红、绿、黄等多种发光颜色供设计者选择，它被广泛应用于模拟量的显示，是现代仪表不可或缺的输出设备。目前，专门用于驱动光柱的集成电路已有应用，我们把它叫做硬件驱动方法。为了降低仪表的制造成本，可以采用单片机直接驱动光柱显示器件，我们把它叫做软件驱动方法。在一些小型应用系统中，软件驱动方法不失为一种经济实用的方法。本文向读者介绍一种光柱显示器件与数码管的混合驱动技术。     

侧喷式微型压电合成射流器制作及其振动测试

结合主动流动控制需求,针对研发的侧喷式微型压电合成射流器提出了一种加工工艺并进行了振动性能测试。主要的微加工工艺流程包括:采用体硅感应耦合等离子刻蚀技术加工喷口和腔体,硅-玻璃阳极键合,利用新的PZT刻蚀溶液对基于硅的PZT压电振膜图形化。引线键合并划片之后,对制作器件的压电振子进行了测试。结果表明,压电振子谐振频率为5kHz,中心处最大振幅为15.05μm,振动速率为472.2mm/s。压电振子的振幅和振动速率变化一致,同时受到驱动电压幅值和频率的影响。     

微处理机结构评

微处理机不管是作为像一组位片集成电路那样的单片计算机,还是作为组装的微处理机系统,其发展都异常迅速。在短短地七年里,微处理机从一组集成电路(打算代替专用袖珍计算器的普通电路)开始,逐渐发展成一套系列器件,所有这些     

提高HDL综合质量的探讨

提出了EDA工具QuartusⅡ和LeonardoSpeetrum组合方式在Altera公司CPLD器件开发中的应用．解决了目前集成电路设计的复杂和门级电路不易管理的一些问题。同时给出了可编程逻辑器件的开发流程以及在设计思路和语言使用上来简化、优化电路设计以提高HDL综合质量的几点探讨。     

（100）/（111）面金刚石膜抗氧等离子刻蚀能力

使用微波等离子体技术(microwave plasma chemical vapor deposition,MPCVD)对膜厚100μm的(100)和(111)晶面金刚石膜进行刻蚀处理,研究其抗氧等离子体的行为。结果表明:(100)晶面刻蚀首先发生在晶棱晶界处,而(111)晶面金刚石的刻蚀首先发生在晶面处;30 min刻蚀后,(100)面金刚石有明显晶面显现,(111)面金刚石膜晶面不明显;60 min刻蚀后,(100)和(111)晶面金刚石膜的择优取向消失;(100)晶面金刚石特征峰的半高宽值(full width at the half maximum,FWHM)由刻蚀前的8.51 cm~(–1)上升至刻蚀后的12.48 cm~(–1),(111)晶面金刚石FWHM值由8.74 cm~(–1)上升至148.49 cm~(–1);(100)晶面金刚石膜刻蚀速率在40 min时为0.35μm/min,60 min时上升至1.34μm/min;刻蚀前期,(100)晶面金刚石膜具有更好的抗氧等离子体刻蚀能力,刻蚀后期其抗刻蚀能力与(111)晶面金刚石膜相似。     

边界扫描技术及其应用

边界扫描技术是一种应用于数字集成电路器件的标准化可测试性设计方法,它提供了对电路板上元件的功能、互连及相互间影响进行测试的一种新方案,极大地方便了系统电路的测试。介绍了支持JTAG标准的IC芯片结构,并以PC机作为平台,利用边界扫描技术对某飞控计算机系统中的CPU电路板进行测试,实现了该电路板的可测性设计,体现了边界扫描技术对于芯片互连故障测试检验效率高,控制简单方便,易于实现的优越性。     

基于CPLD／FPGA的航空逆变电源控制电路

随着电子技术的不断发展与进步，电子系统的设计方法发生了巨大的变化，EDA技术的芯片设计正在成为电子系统设计的主流，逐步替代了传统的设计方法，大规模可编程器件CPLD／FPGA是当今应用最为广泛的可编程专用集成电路，本文将介绍其在航空逆变电源控制电路上的应用，说明了它具有缩短开发周期，降低成本，提高系统可靠性等优点，这项新的EDA技术对促进航空事业的快速发展有着积极的意义。