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智能传感的应用对柔性压力传感器的需求量和性能提出了更高的要求,因此,需要开发一种简单、廉价、可批量化的方法实现大范围、高灵敏压力传感器的制造。文章基于压阻效应,采用浸渍-干燥法制备了一种基于镀银碳纳米管-聚二甲基硅氧烷(Ag/CNTs-PDMS)复合结构的柔性压力传感器。研究表明,所制备的压力传感器具有较高的灵敏度(0.718 kPa~(-1))、较宽的工作范围(40 kPa)、较短的响应时间(1.14 s)以及良好的可重复性,有望用于在轨实时压力监测。 相似文献
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CYS系列压力传感器是利用半导体的压阻效应制成的压阻式压力传感器。自1985年鉴定以来,根据一些用户的使用要求,已派生出不同用途的许多品种和规格。这些产品经过试验和试用,证明其性能良好,可投入小批量或批量性生产,供用户选用。下面对这种传感器作一介绍。 相似文献
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作者对最新设计的具有方形硅膜片的 CMOS 集成硅压力传感器的特性进行了理论的和实验的分析。结果表明:传感器的非线性是由硅膜片的大幅度偏折(deflecti-on)和压阻元件的非线性压阻特性所引起的。文章还指出了将非线性减至最小程度时传感器的最佳结构形式。对所制得的压力传感器的非线性作了测量,其值与数学分析值十分吻合。 相似文献
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某固体火箭发动机在试验过程中发生了在压力变化频率超过1 k Hz情况下压力信号部分失真的问题,为解决这一问题,对压力传感器的传压结构进行优化设计,选用硅压阻原理的高频响敏感芯体,选用高增益带宽积的仪表放大器,同时增加时间连续型高阶低通滤波电路设计,分别对传感器的传压结构、敏感芯体、仪表放大器、时间连续型高阶低通滤波电路的幅频特性进行了仿真分析、试验验证。结果表明,优化后的固体火箭发动机用高频响压力传感器频率响应可以达到1k Hz以上,带内不平度不大于1 d B,带外衰减不小于35 d B/oct,具有良好的幅频特性,能够准确测量固体火箭发动机工作压力,且无压力信号失真。 相似文献
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这里介绍的半导体压力传感器(FPM-05G)具有小型、轻量、精度高的特点。半导体压力传感器利用了硅的压阻效应。在硅晶片上扩散形成电阻层,作成硅膜片,从而提高了压力灵敏度。将扩散电阻层组合成惠斯通电桥,然后将压力转换成电信号再进行处理。 相似文献
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日立制作所研制一种小型、高性能的IC化压力传感器。它是利用了硅的压阻效应(当加压力时,晶体电阻发生变化的现象)。由于附带了独特的温度补偿电路,使这类压力传感器所存在的温度误差减小了。 相似文献
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本文介绍一种大批量生产压力传感器的新技术。用这种新技术制得的传感器价廉、长期稳定性好、使用温度范围广。这种新技术使用陶瓷膜片作底基、在膜片上用漏网印刷技术沉积应变计、然后使之高温固化。电阻桥路的输出电压就馈给压力传感器壳体内的混合式信号调制器。因此它能提供高达4.5伏的低阻抗输出或4~20毫安的电流输出。它既可测绝压又可测表压。量程从0.5巴到50巴,工作温度从-40℃到+125℃。 相似文献
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提出由结构泄漏监测设备与舱外便携式检漏仪相结合,构成载人航天器气密性监测与检漏定位分析系统的方案。着重对该系统中的3项关键技术:差压式传感技术、传感器阵列技术和冷阴极触发规技术进行了深入的讨论。 相似文献
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合金薄膜高温压力传感器研究进展 总被引:2,自引:0,他引:2
合金薄膜压力传感器克服了粘贴式应变压力传感器的缺点,性能更优良,适应恶劣环境压力测量要求。对合金薄膜压力传感器的工作原理进行了介绍,比较了几种压力传感器的优缺点,并以应用温度范围这一指标为中心论述了镍铬、铂钨及钯铬薄膜压力传感器的性能特点及研究现状。镍铬薄膜传感器适用于中、低温介质压力测量,而铂钨、钯铬薄膜传感器适用于... 相似文献
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介绍了发动机试验水击压力测量的重要性,水击压力传感器进行现场校准方法研究的必要性.通过分析水击压力产生机理、水击压力传感器测量原理,以及对国内外动态校准系统比较分析,设计了水击压力传感器现场校准系统,提出水击压力传感器现场校准装置设计指标、工作方式,校准装置设计难点,同时介绍了现场校准系统的关键技术.并重点论述了水击压力传感器现场校准方法,对水击压力传感器现场试验数据和发动机试验数据进行了比对,分析了水击压力现场校准装置的设计可行性.最后利用校准装置进行了水击压力传感器现场校准试验,对现场校准数据进行计算分析,得到水击压力传感器灵敏度系数、系统校准曲线和上升时间等.还针对试验中水击压力测量干扰信号提出了抗干扰措施. 相似文献
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盛磊 《运载火箭与返回技术》1996,17(2):42-53
文中介绍美国麦道宇航公司对纤维复合材料中产生孔隙原因的评述。热固性树脂基复合材料固化成型过程中产生孔隙的最简单机理是与挥发物的蒸气压相关联。如果树脂凝胶前挥发物的蒸气压力超过树脂流体的压力,则会在层析中生成孔隙,而且孔会长大。 相似文献
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该文介绍硅压阻式压力传感器。利用多晶硅电阻元件补偿温度影响,该传感器工作范围广,有互换性,兼具多种优点。掺入硼杂质,调节温度系数和灵敏度等重要参量。硅片处理包括615℃时用LPCVD法形成多晶硅;两次掺硼;950℃氮中老化30分钟;湿法制作图案。给出特性参数。工作温度-30~+125℃,满刻度输出7.5mV/V。 相似文献