涂层改性碳纤维复合材料的微波性能研究

通过对采用化学气相沉积（ＣＶＤ）法在碳纤维表面制备ＳｉＣ涂层、ＳｉＣ－Ｃ共沉积涂层的工艺方法、结构、复合材料电磁参数、复合材料的吸波性能等内容的研究,分析了这两种涂层对碳纤维复合材料微波性能的影响,探讨其涂层改性在防热、隐身双功能复合材料应用中的可能性。     

碳化硼对碳／碳复合材料的催化石墨化作用

本文研究了用Ｂ４Ｃ作催化剂，以降低Ｃ／Ｃ复合材料的石墨化温度，并比较分析了添加Ｂ４Ｃ后，对Ｃ／Ｃ复合材料力学、热物理性能的影响。结果表明，添加Ｂ４Ｃ后，在比通常石墨化温度低４００℃的情况下，石墨化度反而增加了１４％，达到了８５％。Ｃ／Ｃ复合材料的抗热震性能也有提高。同时应用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）等分析手段，分析了Ｂ４Ｃ对Ｃ／Ｃ复合材料的催化石墨化机理。     

非连续增强镁基复合材料的时效特性

对ＭＢ１５合金和（Ｂ４Ｃｐ＋ＳｉＣｗ）／ＭＢ１５复合材料在１７０℃的时效特性进行了比较研究。ＤＳＣ结果表明，复合材料中时效相的析出过程比基体合金提前，且析出量增加，而析出相的溶解过程推迟。ＴＥＭ观察发现，复合材料中析出物仍为Ｌａｖｅｓ ＭｇＺｎ２＇相，且在ＳｉＣｗ／Ｍｇ与Ｂ４Ｃｐ／Ｍｇ两种界面上和界面反应物ＭｇＢ２上优先析出。维氏硬度测试表明，复合材料有明显的时效加速，达到峰时效只需６ｈ，而基体合     

C／C复合材料防氧化复合涂层的制备及其性能

提出并制备一种Ｃ／Ｃ复合材料防氧化复合涂层,其基本结构为ＴｉＣ粘结层／ＳｉＣ氧阻挡层／ＺｒＯ２－ＭｏＳｉ２外涂层,研究了其制备工艺、组织结构、对各单一涂层的防氧化作用及效果进行了分析,并对其抗氧化性能进行了测试。通过比较四种成分组成的抗氧化陶瓷外层的抗氧化性能,结果表明：随着外涂层中ＭｏＳｉ２含量的增多,复合涂层的抗氧化性能增强,其中带有ＴｉＣ／ＳｉＣ／ＭｏＳｉ２涂层的Ｃ／Ｃ复合材料试样在１３００     

碳／碳复合材料表面沉积SiC的形态和成分

在ＰＡＮ碳布和沥青基体碳的Ｃ／Ｃ复合材料表面涂复了ＳｉＣ。用ＣＨ４和Ｎ,为载气的ＳｉＣｌ４作原料,用Ｈ２为稀释气,在两种气体混合比和三种温度下化学气相沉积ＳｉＣ涂层。分析表明,涂层的主要元素有Ｃ,Ｓｉ、Ｃｌ和微量Ｃａ。电镜观察表明,涂层中Ｃ原子含量为６２％时呈菜花状或云团状,而当Ｃ／Ｓｉ比接近于１时,表面呈菠萝状。     

碳-碳复合材料Si-MoSi_2涂层的抗氧化性能

研究了Ｓｉ－ＭｏＳｉ２系统作为碳－碳（Ｃ／Ｃ）复合材料抗氧化涂层的可能性。结果表明，当涂层中ＭｏＳｉ２含量为２０（ｗｔ）％时，涂层具有优良的抗氧化和抗热震性能，在１５００℃下，该涂层表现出长寿命抗氧化性能，２４２ｈ的氧化失重为０．５７％，氧化失重速率稳定在２．４３×１０－５ｇ／ｍ２．ｓ。     

航空航天用碳碳复合材料抗氧化涂层的研究现状

介绍了航空航天用碳碳复合材料（Ｃ／Ｃ）抗氧化涂层研究的发展和现状，指出提高ＳｉＣ涂层系统抗氧化能力的根本途径在于选择合适的玻璃密封剂来覆盖和封闭剂ＳｉＣ上的微裂纹。最新研究结果表明，使用射频磁控溅射工艺能够在Ｃ／Ｃ上得到均匀的铱涂覆盖层，且在高温环境中仍能保持稳定。此外发现，铱和Ｃ／Ｃ复合材料间不发生界面反应。     

航空航天用碳硅复合材料抗氧化涂层的研究现状

介绍了航空航天用碳碳复合材料（Ｃ／Ｃ）抗氧化涂层研究的发展和现状，指出提高ＳｉＣ涂层系统抗氧化能力的根本途径在于选择合适的玻璃密封剂来覆盖和封闭ＳｉＣ上的微裂纹。最新研究结果表明，使用射频磁控溅射工艺能够在Ｃ／Ｃ上得到均匀的铱涂覆层，且在高温环境中仍能保持稳定。此外发现，铱和Ｃ／Ｃ复合材料间不发生界面反应。     

少烟复合改性双基（CMDB）推进剂力学性能研究

在混合硝酸酯ＮＧ／ＢＴＴＮ（ＤＥＧＮ）＝１和溶棉比ＮＧ＋ＢＴＴＮ（ＤＥＧＮ／ＮＣ＋ＰＥＧ）＝３．５～４．０的少烟复合改性双基推进剂配方中，选择聚乙二醇（ＰＥＧ）预聚物取代部分ＮＣ，研究了其含量和分子量变化对力学性的影响。发现当ＰＥＧ含量为４％，ＮＣ为７％时，在两种混合增塑剂中都可使－４０℃下最大延伸率超过４０％。从溶涨实验中观察到，随着配方中ＰＥＧ含量增加，尽管（ＮＣＯ）／（ＯＨ）值也增加，但相对     

晶须和短纤维增强铝合金复合材料的切削加工

本文综述了ＳｉＣｗ／６０６１，Ａｌ２Ｏ３／６０６１复合材料的切削加工特点及由车削试验得出的不同刀具的材料，切削速度Ｖｃ，进给量ｆ，切削路程ｌｍ及复合材料中纤维（晶须）含有率Ｖｆ，不同的制取方法对刀具磨损ＶＢ，切削力Ｆ及表面粗糙度ＲＺ的影响规律。     

一锅法合成SiC-ZrC复相陶瓷前驱体及其性能

以甲基三氯硅烷、二氯二甲基硅烷、二氯二茂锆以及金属钠为原料,通过一锅反应合成出一种全新的SiC-ZrC复相陶瓷前驱体(HBZS)。利用TG、FTIR、XRD及SEM等对HBZS的热解行为、分子结构以及热解产物的微观形貌与结构进行了全面分析。结果表明:HBZS在900℃时可以完全裂解转化成SiC-ZrC复相陶瓷,陶瓷收率可达60%以上;裂解产物中ZrC相晶粒尺寸极小(10～45 nm)且均匀分散于连续的SiC相中。该前驱体可用于制备SiC-ZrC陶瓷纤维及陶瓷基复合材料。     

新型反射镜材料——碳化硅

对几种常用反射镜材料的物理性能和工艺性能进行了比较，研究了碳化硅轻质反射镜的制作工艺，结果认为：反应烧结是实现这种材料作为反射镜材料的巨大潜力的最有效的工艺，可以实现形状复杂产品的近净尺寸成型，样品在烧结过程中无收缩；样品处理时间短；无需特殊设备，在烧结过程中无需加压，样品尺寸原则上仅受烧结炉大小的限制,帛品近乎安全致密。这项研究的突破，主要依赖于反射镜成型方法及反射镜面光学加工的研究进展。最后简述了美国和俄罗斯在这方面的研究进展。     

聚碳硅烷PC-P不熔化纤维的热解过程

聚碳硅烷PC—P是制备力学性能优异的低电阻率碳化硅纤维的先驱体。利用IR、TG、凝胶含量分析等手段研究了聚碳硅烷PC—P不熔化纤维的热解过程。研究表明，聚碳硅烷PC—P不熔化纤维高温热解过程与PCS不熔化纤维类似，但在300℃左右存在明显的自交联现象，使PC—P不熔化纤维的凝胶含量迅速增加，这是PC—P纤维在不熔化程度较低情况下能够通过高温烧成的原因。     

类芬顿反应在碳化硅光学材料研抛中的作用

本文讨论了以零价铁代替亚铁盐形成类芬顿反应(Fenton-Kind process)体系应用于碳化硅光学材料抛光过程中的反应机理,通过双转子研抛机床对SiC光学材料进行了研抛实验,验证了类芬顿反应能够有效地提高SiC材料的加工效率和加工质量。通过对比不同磨料粒度研抛液加工结果,获得了SiC材料研抛过程中化学与机械作用规律。     

Cr12V与Cr12MoV钢的接触疲劳性能研究

对Cr12V与Cr12MoV钢的接触疲劳性能进行了对比试验研究。结果表明,Cr12V钢比Cr12MoV钢有较高的接触疲劳寿命,额定寿命L10是Cr12MoV钢的2.11倍,中值寿命L50是Cr12MoV钢的1.62倍。分析认为,Cr12V钢与Cr12MoV钢相比,具有较高的硬度、较小的碳化物尺寸以及较高的V含量,这是Cr12V钢接触疲劳寿命高的原因。     

C/SiC材料主动氧化烧蚀计算研究

建立了C/SiC材料的热化学平衡烧蚀模型,进行了C/SiC材料烧蚀机理的计算研究和试验验证,理论计算结果和试验数据符合良好。计算结果表明,在高温空气环境下,C/SiC材料的无因次质量烧蚀率B与材料中C元素、Si元素的质量分数及温度、压力有关。在同样条件下,C/SiC材料主动氧化烧蚀速率大于C/C复合材料烧蚀速率。     

全碳素坯密度对反应烧结SiC的影响

以石墨粉体为原料,酚醛树脂为粘接剂,采用模压成型工艺制备了全碳质素坯,反应烧结后得到S iC材料。研究了成型压力和酚醛树脂含量与素坯密度的关系,探讨了素坯密度对S iC材料的组成、结构和性能的影响。     

激光熔覆制备金属间化合物抗冲蚀涂层

采用同轴送粉方法,激光熔覆制备了WC增强Ni3Al金属间化合物基复合涂层,通过试验,优化了工艺参数,对激光熔覆涂层的成分、组织和硬度进行了测试和分析.结果表明,激光熔覆涂层无裂纹和气孔,与基体形成良好的冶金结合,WC颗粒的添加显著提高了涂层硬度.     

Luminescent Nanocrystalline Silicon Carbide Thin Film Deposited by Helicon Wave Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition

Hydrogenated nanocrystalline silicon carbide (SiC) thin films were deposited on the single-crystal silicon substrate using the heli-con wave plasma enhanced chemical vapor deposition (HW-PECVD) technique. The influences of magnetic field and hydrogen dilution ratio on the structures of SiC thin film were investigated with the atomic force microscopy (AFM), the Fourier transform infrared ab-sorption (FTIR) and the transmission electron microscopy (TEM). The results indicate that the high plasma activity of the helicon wave mode proves to be a key factor to grow crystalline SiC thin films at a relative low substrate temperature. Also, the decrease in the grain sizes from the level of microcrystalline to that of nanocrystalline can be achieved by increasing the hydrogen dilution ratios. Transmis-sion electron microscopy measurements reveal that the size of most nanocrystals in the film deposited under the higher hydrogen dilution ratios is smaller than the doubled Bohr radius of 3C-SiC (approximately 5.4 nm), and the light emission measurements also show a strong blue photoluminescence at the room temperature, which is considered to be caused by the quantum confinement effect of small-sized SiC nanocrystals.     

聚碳硅烷/纳米钛粉的热裂解

运用ＩＲ、ＸＲＤ和ＴＧ等分析手段研究了掺混纳米钛粉的聚碳硅烷的热裂解过程。发现热解过程可分为有机硅聚合物转化为无机无定形态和无定形态生长为微晶成。裂解产物中钛的存在形态随保护气氛不同而不同,保护气氛为氮气或氨气时钛的裂解产物为ＴｉＮ,氩气时为ＴｉＣ。