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通过对某型号产品批生产过程中存在的搪锡所需温度过高质量问题的分析,找出了影响搪锡质量的问题所在,并对此问题进行了彻底解决。 相似文献
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为查明固体钽电容短路失效机理,进行了固体钽电容短路失效模式的分析,根据分析结论制定相应的保证措施。通过加强筛选,控制搪锡、成形和焊装过程,有效地避免了短路失效现象的发生。 相似文献
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锡-铅共晶焊料与镀金层焊点的失效机理研究 总被引:2,自引:0,他引:2
总结了某电子产品故障的失效分析工作。针对锡-铅共晶焊料在表面镀金的印制电路板焊盘上焊接电子元器件或导线的焊点,研究了印制板金镀层厚度、焊料中金成分含量及焊接后时效温度和时间对焊点抗拉强度的影响,并对焊点产生金脆失效的机理进行了分析。研究结果表明,在锡-铅共晶焊料中金的含量达到10%后,焊料的强度会急剧减弱;焊接完成后,在一定的贮存条件下,会在界面生成弱化层,使焊点与焊盘结合强度减小,是导致金脆失效的主要原因。 相似文献
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通过对电子产品装联中镀金引线表面产生"金脆"的机理分析,对"去金"问题以及对可靠性的影响进行了探讨,提出了具体的"去金"工艺措施和方法。 相似文献
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以Cu—Sn合金状态图和几种压力加工用锡青铜实际的锻造结果为依据,分析总结出了它们的锻造加热规范和锻造作业方法,同时指出QSn6.5—0.1和QSn7—0.2这两种锡磷青铜在“脆性”区内,以及过烧后的锡青铜仍可以进行锻造变形。 相似文献
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电镀工艺主要是改善钢件表面性能 ,将它与热处理搭配起来就成了电镀热处理。将电镀后的零件加热到 5 5 0℃左右 ,然后通入氮气再水冷 ,通过这种电镀热处理 ,使镀层自身硬化 ,更加牢固 ,特别是在热处理温度下水冷 ,使镀层表面产生热应力 ,这对防止镀层脆性极为有利。把电镀 热处理进行综合使用 ,这就成为填补电镀与热处理之间的热处理边缘技术。电 镀热处理电镀热处理钢表面镀锡 560℃导入氮斯塔纳姆高锡合金热处理钢表面镀铜—锡 560℃导入氮高利士铜锡合金热处理铜表面镀铜—锡 40 0℃特尔卢萨铜锡或锡铜合金热处理铝表面镀铱 1 50℃吉… 相似文献
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本文介绍了在无线电电子工业中广泛采用的锡焊工艺的机理和特性,并通过计算说明锡焊工艺在确保无线电电子整机可靠性方面所起的重要作用。提出了提高锡焊质量的工艺措施。 锡焊质量的好坏,对整机乃至系统的可靠性影响极大。尤其在航天事业中,由于设备的工作环境恶劣,产品焊点成 相似文献
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目前在高可靠性应用领域里已开始有限地选用工业级表贴塑封器件。为提高整机的可靠性,需要对表贴塑封器件进行可靠性筛选,而老炼是其中至关重要的环节。相比比较成熟的直插器件的老炼方法而言,表贴塑封器件老炼尚有一些问题需要进一步研究与探讨。文章对表贴塑封器件与直插器件老炼过程中的结温控制方法进行了比较与分析,指出了两者结温控制的主要区别。基于此,提出基于等效热阻估算及结合器件壳温控制结温的表贴塑封器件老炼试验方法,对包括SC-75、UCSP等封装的元器件进行了老炼试验和测试。筛选后的元器件已应用于工程实践,并通过了一系列的试验考核。 相似文献
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针对金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)在电磁脉冲作用下的热损伤问题,提出了一种新的热分析方法,通过仿真漏极注入阶跃脉冲下器件内部的温度响应研究了其损伤机理和规律。基于热效应半导体基本方程和热流方程,建立了用于仿真的器件模型和数值模型。采用注入法,以阶跃脉冲信号为输入,仿真研究了不同偏压上升时间和幅值下的器件损伤。结果发现:阶跃脉冲电压幅值一定时,MOSFET器件内部的温升过程及最后达到的最大温度与脉冲上升时间无关,器件在经过雪崩击穿、电流模式二次击穿后,温度迅速上升直至器件烧毁,烧毁所用时间与脉冲上升时间满足线性关系;脉冲上升时间一定时,器件温升随电压幅值增加而明显加快,器件能达到的最高温度也随之增加,器件烧毁所需时间与电压幅值的大小满足幂函数关系。研究对MOSFET的电磁脉冲毁伤机理认识和加固防护设计有一定的参考价值。 相似文献
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印刷锡膏是表面组装生产中的第一道工序,也是最关键的工序,在表面组装生产中60%一70%的焊接缺陷与锡膏的印刷有关.本文将讨论与锡膏印刷有关的问题,包括锡膏参数和印刷机(特别是与刮刀有关的)参数,并对这些参数进行优化,以达到最好的锡膏涂布效果. 相似文献
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印刷锡膏是表面组装生产中的第一道工序,也是最关键的工序,在表面组装生产中60%~70%的焊接缺陷与锡膏的印刷有关。本文将讨论与锡膏印刷有关的问题,包括锡膏参数和印刷机(特别是与刮刀有关的)参数,并对这些参数进行优化,以达到最好的锡膏涂布效果。 相似文献
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波峰焊机使用63%锡焊料。由于锡料在高温下连续使用,其中的锡容易氧化,使含锡量降低,同时,随着线路板上铜杂质的引进,进一步的降低焊料的品质,从而经常造成假焊(虚焊)。 为保证焊接质量,焊料中锡含量应在62~64%之间,铜含量应小于0.4%。但是,在分别 相似文献
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为实现更高工作频率的氮化镓(gallium nitride,GaN)基高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)器件,采用薄势垒外延结构、缩小栅长对提升器件的截止频率十分重要。通过对不同氮化铝(aluminium nitride,AIN)势垒层厚度以及不同尺寸栅长的AlN/GaN HEMT进行仿真分析,系统研究不同结构对器件短沟道效应、直流及频率等特性的影响。首先固定栅长为100nm,研究了跨导与截止频率随AlN势垒层厚度的变化情况。跨导随势垒层厚度的增加先增大后减小。当势垒层厚度为4nm时,跨导达到最大值(592mS/mm),截止频率也达到最大值。为尽可能提升器件的截止频率,同时避免器件出现短沟道效应,固定AlN势垒层厚度为4nm,研究器件截止频率与短沟道效应随器件栅长的变化情况。仿真表明器件截止频率随栅长的减小而增大,50nm栅长的器件截止频率最高,但栅长为50nm时器件短沟道效应严重,此时器件纵横比(Lg/Tbar)为12.5。因此需要提升器件的纵横比,当器件栅长达到100nm时(Lg/Tbar=25),器件短沟道效应得到抑制,且具有较高的截止频率。仿真结果表明,AlN HEMT具有较高的截止频率,同时应采用较大的纵横比设计(纵横比为25左右)以抑制短沟道效应,为后续高频AlN/GaN HEMTs器件的制备提供了理论依据。 相似文献
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电子产品中电接触元器件的可靠性低、使用寿命短和银接点发黑等问题长期影响着电子设备的产品质量。DJB-823保护剂在降低电接触器件插拔力、保护电接触点、防止金属或镀(金、银)层变色和提高润滑性、减少磨损等方面具有明显的效果。文中就该保护剂的理化、电气性能.保护机理和实际应用,作了简要的介绍。 相似文献