钯及其合金电镀的研究进展

本文在研究国内外大量镀钯及其合金资料的基础上,概述了近10年来钯及其合金电镀的发展情况,介绍了一些具有代表性的典型配方和它的操作条件、工艺特点,提出了选用镀钯(合金)溶液应注意的几个问题。     

微特电机换向器电刷镀钯

直流微特电机的换向器不仅要求有很好的导电和耐磨、耐电烧蚀性能,而且还要求与电刷之间的接触电阻小而稳定,抗大气腐蚀能力好.因此,微特电机的换向器常采用Ag-Ni-Cu合金,但银合金易产生硫化发黑现象,严重影响系统的可靠性,需要在换向器上镀覆一层保护膜,防止银的硫化,以提高其抗大气腐蚀能力.这层镀膜除了要求化学稳定性好、不易与硫发生反应外,还要求导电性能好、接触电阻稳定,且具有一定的耐磨性、耐电蚀性.另外,在镀覆这层保护膜时,不能破坏原有工件的电气、机械性能,使工件仍保持良好的表面粗糙度和尺寸精度.金能满足以上要求,但其成本高;钯的耐腐蚀性能与金接近,而且具有更高的硬度和耐磨性,故工业上常选择钯作为电接触器件的代金镀层.但目前镀钯一般采用的电镀和化学镀等工艺尚存在以下问题:(1)工艺时间长,镀层较薄,内应力大,易开裂.水的电离电位非常接近钯的析出电位,钯镀层沉积的同时,往往产生氢气副产物,而钯吸氢的能力很强,因此,氢气渗入镀层并与钯结合易形成热力学上不稳定的β氢化钯相.(2)由于采用多种添加剂(如光亮剂、应力降低剂等),其综合作用可能会使钯在更高的电位还原而达到氢的还原范围,更促进氢气的产生.(3)化学镀对基体金属有强烈的腐蚀性,镀后表面状态也较差,难以符合较为精密的工艺要求,且化学镀的镀液具有强毒性,对人体和环境有较严重的危害.本文叙述的一种用于微特电机换向器电刷镀的镀钯工艺及材料,可以克服上述缺点. Brush_Plating Palladium for Commutator of Micromotor     

甘氨酸在电镀工业中的应用

简述甘氨酸在电镀工业中的应用概况，介绍了甘氨酸在镀金、镀锌、镀铬、镀钯合金、镀镍合金、镀银合金、镀钴合金、镀铬合金、镀镍铜锌、镀铬铁镍、镀镍钴锌、化学镀铜、化学镀镍、化学镀镍磷中的应用研究，文章提供的配方及其工艺参数有一定的参考价值。     

涂层防护氮化在生产中的应用

氮化件的非氮化面的防护,一般采用镀锡、镀铜、镀镍和镀青铜等方法。这些方法,固然有优点,但对于已经镀完,在生产中局部掉了镀层的零件,特别是对于有些局部镀难以实现的零件。都需要有补救的防护方法,这就使氮化前涂膏防护变得重要了。我厂氮化历史较长。历年来虽在局部涂料防护氮化上做了一些工作,但是没有作为一种工艺应用于固定零件,也没有完整的防氮化工艺资料。近几年来,为了完成某种产品的生产     

某型飞机高强度钢无氰镀镉-钛工艺分析及应用

为解决30CrMnSiNi2A螺栓电镀镉-钛的实际工程应用问题,确保该螺栓镀镉-钛后的使用安全性,按照无氰镀镉-钛合金工艺标准配制槽液,并对试镀件的氢脆性、镀液钛含量、溶液其他组分的影响、槽液pH值的影响等工艺参数的控制进行试验。所有试验结果均满足工艺质量控制要求。     

通信卫星天线镁合金镀金工艺

通信卫星天线部分零件需要镁合金镀金,我们承担了镁合金镀金工艺的研制任务。该任务技术难度大、周期短、精度要求高。国外只有英苏等少数国家在研究应用,国内至今未见到有这方面研究成果报道。 我厂经过仔细查阅资料,认真分析研究,采取多种工艺方案及措施,反复多次试验,改进镀前处理及打底工艺、电镀工艺(包括零件装挂、局部绝缘、电镀液配方)方法,终于解     

钴的晶体结构对镀钴空心玻璃微球电磁性能的影响

采用化学镀方法在空心玻璃微球表面复合磁性金属钴,制备了镀钴空心玻璃微球,并对其进行了真空退火热处理。经过化学镀的空心玻璃微球表面包覆了一层均匀、致密的金属镀层;镀钴空心玻璃微球(2.5g/cm3)镀层晶体结构对其电磁性能产生影响。当镀层Co含量为95%时,介电常数实部在11GHz处达到35,虚部在13GHz处达到22;在经过热处理后,镀层发生晶相转变,介电常数实部和虚部均得到提高。另外,热处理能降低钴镀层的矫顽力,改善其软磁性能。     

银-锑合金电镀工艺研究

研究了镀液组分及电镀工艺条件对银锑合金镀层锑含量和沉积速度的影响,研究结果表明,镀层锑含量随电流密度、氰化钾含量、酒石酸锑钾含量的增大而明显提高,随氢氧化钾含量的增加而明显降低,温度、酒石酸钾钠对镀层锑含量影响不大;镀层沉积速度由电流密度决定,镀液组分对其影响不大.根据上述研究结果及霍尔槽试验结果确定了镀液配方及电镀工艺参数,并对按此工艺镀出的镀层进行了全面性能检测.     

新工艺集锦

▲目前,镀金工艺已在生产中广泛应用。一般都是采用吊镀方法进行镀金。对于批量大的小型零件,吊镀不仅生产效率低、损耗大,而且质量差。为了改变这种状况,有的厂用滚镀工艺取代吊镀,克服了上述三个缺点。滚镀的主要设备有微型镀机和微型滚桶。工艺配方是:金4～6克/升,柠檬酸铵100～120克/升。工艺规范是:温度为室温,电流为0.1～0.2安/分米~2,氢离子浓度为5.3～5.8。阴极为含锑1%的金锑合金片。     

用于光学玻璃冷加工过程中的保护胶

光学车间在冷加工过程中沿用虫胶以保护抛光面。虫胶乙醇溶液酸度较大,PH值在1～5之间。且透水性较大,因此对一些易腐蚀玻璃,特别是碱金属氧化物含最高的玻璃如重冕玻璃ZK_(11)等不适用。其腐蚀的情况甚至比不涂虫胶膜的白玻璃还要严重。又如材料为ZF_6的棱镜,在加工过程中因放置了2、3个小时,用虫胶保护,加工完毕后,出现了腐蚀点。但虫胶亦有其优点,干燥较快,在光学车间已习惯使用,故对虫胶应进一步了解,以便改进,使之仍能使用。     

玻璃电镀—感应同步器

一、概述长期以来电镀一直是通过电源作用在金属基体上镀复另一种金属或多层金属,以达到防护、装饰或改善性能等目的,而玻璃是非导电体材料,因此若在玻璃上进行电镀,则首先解决导电问题。其次,金属与玻璃在性质上差异很大,要把金属镀层与非金属基     

电刷镀再制造技术快速修复缺陷零件应用研究

电刷镀技术是快速修复缺陷零件的重要手段,在再制造工程中得到了广泛应用。详细介绍电刷镀技术的基本原理、工艺过程及应用情况。以某管梁轴套结构零件的修复为实例,探讨了电刷镀技术对带有沟槽划伤铝合金的填充修复工艺及35Cr2N i4MoA(D)高强度钢n-A l2O3/N i-Cr复合镀层实施工艺。试验结果表明电刷镀技术对铝合金及35Cr2N i4MoA(D)高强度钢的修复快速、简便,镀层硬度、结合力及耐磨性等性能都符合要求。     

空间电离辐射对镧系光学玻璃透射率的影响

利用60Coγ射线对镧火石玻璃和镧冕玻璃进行辐照,研究不同辐照剂量对光学透射率的影响及其在空间光学系统中使用的适应性,辐照总剂量最大达到10 kGy。结果表明:所有玻璃在辐照后可见光透射率都下降了,而在近红外波段仍然保持较高的透射率。尽管镧火石玻璃LaF10平均透射率在辐照前最小,但是辐照后LaF10透射率衰减是所有玻璃中最小的。模拟了8个不同轨道高度地球辐射环境10年累积的总剂量以及经过10 mm铝屏蔽后的累积总剂量。发现对于10年任务期,在3 000、6 000和10 000 km轨道需要增加屏蔽层厚度,而在其他5个轨道,10 mm厚的铝屏蔽可以保证镧系玻璃满足系统对透射率的要求。     

钴基复合镀层的高温耐磨减摩性能

本文描述了复合镀工艺的特点，详细介绍了然基复合镀工艺和然基复合镀层优良的高温耐磨减摩性能，并提出了其今后可能的发展方向。     

快速修复飞机炸弹销磨蚀面的方法

提出了对飞机炸弹销磨蚀面采用电刷镀技术进行修复的工艺方法 ,并且通过工艺试验得出工艺流程、工艺参数和工艺配方等应用方案     

国外光学镀膜工艺发展动向

如何将各种材料镀制成所需要的薄膜,这是镀膜技术和薄膜光学的基本问题之一。所谓镀膜工艺主要指蒸镀技术和监控方法。下面着重介绍国外蒸镀技术和监控方法的发展动向。一、蒸镀技术关于蒸镀技术,文献上记载甚多,有化学浸蚀法、溅射蒸镀法、真空热蒸发法、离子蒸镀之分;也有从运动能量出发,对生成的各种薄膜进行分类(见表1)。     

铝及铝合金光亮镀镉

介绍铝及铝合金光亮镀镉工艺中的几个重要组成部分：ＱＳ型化学镀锌─镍合金底层、预电镀镍、ＤＱＹ光亮镀镉层等若干要素以及光亮镀镉后的氢脆性能试验结果和消除氧脆的方法。     

高分散能力电镀锌镍合金工艺研究

本文研究了高分散能力含镍１３％左右的电镀Ｚｎ－Ｎｉ合金工艺，得到了适宜的镀液组成及工艺条件，对镀液的性能和层性能进行了测试。结果表明：性能良好，工艺稳定，已用于生产。     

镀镉与渗氢

飞机上很多零件采用高强度钢,而且表面采用镀镉来防锈。但由于镀镉工艺的副反应生成了大量氢,氢渗入镀层和基体而给零件带来氢脆性,降低了材料的强度,由于渗氢还会使镉层产生针孔、裂纹和起皮等缺陷,又降低了防锈性能。事实上,在镀镉工艺中,除镀镉工序本身外,其它很多工序也都与渗氢密切相关。现已证实,在镀前的脱脂和腐蚀时,氢就有可能渗到钢中,并在钢表面层中积聚,导致内应力和     

真空蒸镀扩散渗铝工艺

为了克服固体渗铝粉尘多、劳动强度大、污染空气和腐蚀设备等缺点,我们对燃烧室衬套用其空蒸镀扩散渗铝工艺代替原固体渗铝工艺,进行了试生产。一、设备真空蒸镀扩散渗铝工艺是由真空蒸镀和扩散两步完成的。真空蒸镀在我厂自制的镀膜机中完成,使铝加热蒸发沉积在工件表面上,以获得一定厚度的铝膜。扩散是在密闭坩埚中通入氩气保护于炉中完成的,使蒸镀得到的纯铝层转变为渗铝层。 1.真空镀膜机我们使用的真空镀膜机是根据兄弟厂的经验自己制造的。从目前使用情况看,基本上可以满足现行工艺的要求。其真空室结构见图1。