Flash存储中的纠错编码

Flash闪存是一种非易失性的存储器件,随着工艺尺寸的不断减小,存储容量需求的不断增加,存储可靠性与寿命成为Flash生产与应用过程中最严重的两个挑战.基于多级 (MLC,Multilevel Cell) "与非(NAND)型" Flash的层级结构特征与读写操作特性,构造了一种基于正交映射的纠错编码方法,给出其编解码原理与结构,并分析其纠错能力.在此基础上,分析了该编码方法在Flash存储系统中的两种典型应用场景,即分布式多用户共享存储以及历史数据的无差错恢复.此外,Flash存储单元的可靠性受擦除次数的限制,其寿命相当有限,该编码方法可以有效地利用坏块来提高Flash的整体生命周期.分析结果表明:不改变整体结构,只需对编码模块进行简单调整,即可实现多种实际应用需求.     

全球第一个开放式存储系统——Sun Storage 7000系列产品

近日,Sun发布了开放式存储系统包中的首批3款产品,其中每一款产品都包含一个支持多种操作环境的全面集成的软件解决方案,这是具有标准高速联网功能、磁带互联,以及带有强大的分析工具的业界最具综合性的管理软件。这些新的存     

嫦娥二号卫星大容量存储器设计

根据嫦娥二号月球卫星分别需在100km圆轨道获取分辨率优于10m的月面立体图像,以及在100km/15km椭圆轨道获取分辨率优于1.5m的立体图像需求,设计了NAND型FLASH存储芯片的固态大容量存储器,其存储容量达128Gbit。设计中采用了并行扩展加流水线操作的方式,提高了存储和擦除速率;引入了＂簇＂的概念,在存...     

USB闪盘的软硬件开发技术

本文重点介绍了一种在USB接口下的闪盘（闪存编程器）的软硬件开发技术，对USB和闪存做了简单介绍，闪存在计算机、智能仪器、通信设备等中使用非常广泛，用于存放相对固定及便于升级的内容,闪盘因其存储容量大、体积小便于携带等优点，很快会代软驱软盘成为主要的移动存储器。USB作为一种新型的接口技术，以其简单易用、速度快、兼容性强等特点而倍受青睐。     

NAND Flash存储器单粒子效应试验研究

单粒子效应易诱发空间电子设备发生在轨故障。文章针对大容量NAND Flash存储器，利用皮秒脉冲激光和高能重离子开展了试验研究，明确了此类器件的单粒子效应特点，探索了新型集成电路单粒子效应试验评估方法，为工程设计及试验评估提供了技术基础与保障。经皮秒脉冲激光试验发现，NAND Flash存储器件的存储单元易发生单粒子多位翻转，控制电路单元则发生单粒子锁定和功能中断。 经高LET值Xe+离子辐照试验发现，重离子会诱发器件产生电流尖峰脉冲（或电流火花）现象；在NAND Flash存储器未加电状态下，仍可诱发单粒子翻转；重离子辐照后存储器坏块明显增加，试验获得的单粒子翻转截面高达1.18×10-7cm2/位。基于试验结果分析，认为发生多位翻转的原因是激光束覆盖多个存储单元所造成；重离子辐照引起的浮栅晶体管击穿是存储器坏块增多的原因。     

MK2雷神雷达系统配置数据的传输与恢复

本文讨论的内容为点迹录取器中NVRAM及闪存数据丢失后的恢复过程，其中还涉及到点迹录取器作为询问器的枢纽部分，如何与CMS及询问器中其他部件进行联系，同时，也对导致数据丢失的原因做了一些分析。     

多级并行结构的NAND Flash存储盘设计

针对Flash长操作延时等特点,为提升吞吐率,采用多级并行架构,通过通道级、芯片级、逻辑阵列级和面级并行操作,并配以簇映射机制,设计了多级并行的NAND Flash存储盘,通过实际验证,基于多级并行结构的存储盘的读写性能取得一定提升。