CIV工艺过程中气体传质模型与计算

在建立碳布叠层体心立方模型、碳布叠层立方模型和纤维束叠层模型典型预制体的宏观孔隙结构几何模型和气体传质数学模型的基础上 ,研究了CVI(chemicalvaporinfiltration)工艺过程中孔隙网络结构对气体比渗透率和材料致密度的影响。结果表明 :孔隙网络的结构与形状是决定反应气体在孔隙中的比渗透率和部件最终致密度的主要因素之一。     

三维机织预制体增密速率分析

研究了三维机织预制体孔隙结构对CVI及树脂浸渍增密速率的影响,并利用偏光显微镜和电镜对三维机织微观结构进行观察.结果发现,三向正交机织(SZJ)预制体由于孔隙分布较窄,且气孔平直,使其致密化速度较快;角联锁机织(JLS)预制体由于经纬交织成网状结构,孔隙分布较宽,且气孔弯曲,使其致密化速度较慢.在偏振光下观察,二者虽然都获得粗糙层结构热解炭,但微观结构仍存在差别,三维角联锁C/C复合材料与三向正交C/C复合材料比较,前者消光角大,形貌更为粗糙,更富有层次感.     

PIP法制备3DNextelTM720／Mullite复合材料

采用先驱体浸渗热解法制备了 3DNextelTM 72 0 Mullite复合材料 ,并对基体的组分控制、复合材料致密化以及热处理温度对复合材料强度的影响进行了研究。结果表明 ,采用正硅酸已酯和异丙醇铝作为先驱体可以在相对低温 (≤ 12 0 0℃ )通过循环浸渗热解制备孔隙率低于 2 0 %的复合材料。     

FCVI中气体流量对温度分布的影响

强制流动热梯度化学气相渗透(FCVI)作为一种制备碳基与陶瓷基复合材料的新工艺 ,可在短时间内制备出密度均匀、性能优良的制件。分析了在FCVI工艺过程中预制体温度与气体温度的区别 ,并从理论上推导出了FCVI中气体温度与预制体温度间的关系 ,进一步分析气体流量对气体温度分布的影响。     

一种制备C/C复合材料的高效等温ICVI工艺

将传统的负压等温化学气相渗透(ICVI)工艺加以改进,在常压条件下以丙烯为气态前驱体,氮气为稀释气体,通过定向扩散和控制滞留时间,经 100h沉积后制备出密度为 1 72g/cm3 的 C/C复合材料。该方法克服了传统等温CVI工艺致密化速率较慢的问题,提高了致密化效率,有利于降低C/C复合材料的制备成本。     

ZTA复合材料的热等静压研究

 研究了热等静压对Al₂O₃-ZrO₂复合材料机械性能的影响以及热等静压烧结过程中ZTA的致密化规律。经实验热等静压烧结的ZTA材料与相应的热压试样相比,其强度和韧性提高近一倍(σ_b=950MPa、K_lc=9.5MPa √m);在不同的烧结温度下,显示了不同的致密化规律,其致密人速率分别由晶粒滑动和点阵扩散机制控制。     

高温处理对液相气化沉积碳/碳复合材料微观组织结构及力学性能的影响

 对用快速液相气化法制备的碳 /碳复合材料进行了石墨化处理;用 X-ray衍射技术和扫描电子显微镜对高温处理前后材料的微观组织结构及断口形貌进行了研究观察;分析了影响石墨化前后微观结构、力学性能变化及断裂失效模式的因素及机理。结果表明 :经石墨化处理后,d₀₀₂ 值降低,L_c 值升高,弯曲强度σ_f大幅度降低,层间剪切强度 ILSS升高,但随热处理温度提高,ILSS值有降低趋势。     

一种快速制备C/C材料方法的探索研究

介绍了一种新的Ｃ／Ｃ材料制备方法－－快速化学液气相渗透致密法。利用该技术,采用碳毡作预制体,以两种液态低分子有机物作碳源前驱体沉积时间在３ｈ内,沉积温度在９００℃￣１１００℃范围内可获得密度达１．７４ｇ／ｃｍ＾３的Ｃ／Ｃ材料。碳纤维表面最大沉积速率可达６４μｍ／ｈ,比传统的等温ＣＶＩ沉积速率（０．１μｍ／ｈ￣０．２５μｍ／ｈ）提高了２００倍以上,并初步分析了该技术快速致密多孔预制体的机理。     

厚壁C/ C 复合材料分区CVI 制备工艺研究

以整体毡为增强体,丙烯和糠酮树脂为前驱体,采用分区CVI法和树脂浸渍/固化、炭化相结合的工艺制备了厚壁C/C复合材料,用CT机和偏光显微镜观察了材料的微观结构,并进行了热力学性能测试,结果与热梯度CVI法进行了对比.研究结果表明:分区CVI法制备的热解碳为光滑层结构,整体密度均匀,与热梯度CVI工艺相比,总CVI增密效率提高了近一半,特别是沉积后期,表现出明显的优势.同时,轴向压缩强度提高了28.5％;径向压缩强度提高了33.6％.线胀系数相当.通过研究认为,分区CVI法能很好的提高材料的增密效率和增密均匀性,降低成本,且材料最终具有优异的热力学性能.     

CSCVI法制备C布增韧SiC基复合材料及其微观结构

为了提高CVI法制备C/SiC复合材料的致密化速度 ,提出了连续同步CVI(CSCVI)法制备C布增韧SiC基复合材料的技术路线 ,制备了C/SiC复合材料 ,并观察了其微观结构。实验结果表明 ,在CSCVI工艺中 ,SiC基体沉积速度越快 ,材料的致密化程度越大且致密效果越好。同时 ,SiC基体沉积速度只由沉积温度与MTS(CH3 SiCl3 )流量控制 ,使工艺的可操作性增强 ,工艺参数可在较大范围内变动