陶瓷—金属化共烧结技术的研究

介绍特高温92％Al_2O_3陶瓷-金属化共烧结技术,详细讨论92％Al_2O_3的组成特性、金属化配方设计和92％Al_2O_3陶瓷-金属化共烧结工艺。分析了陶瓷金属化烧结机理,建立了物理模型,并成功地应用于陶瓷器件的研制。     

Kevlar-49表面金属化工艺研究

通过对Kevlar-49进行化学镀铜处理,在保证机械强度的情况下,改变物理性能,使其达到较好的导电、导热性能,满足设计和工艺要求。     

毫米波混合集成电路工艺

总结了毫米波混合集成电路的工艺技术。讨论了影响电路性能的关键工艺因素，优化了工艺条件，确定了最佳的工艺参数，从而研制成功了多种毫米波混合集成电路组件，为整机系统国产化及小批量生产创造了条件。     

贯彻印制板航标的工艺、环境、管理问题

印制板航标于1987年3月实施。我部印制板专业生产厂及各厂、所的生产车间都在努力贯彻。本文介绍了贯彻印制板航标中的体会以与同行交流。     

碳纤维复合材料转移法金属化载体膜工艺研究

主要研究了碳纤维复合材料转移法金属化载体膜的制备。通过对配方和成膜工艺的研究 ,改善了转移金属层表面的平整度和粗糙度。该技术主要用于碳纤维复合材料制件的转移法金属化。由于该膜具有优良的防锈性和可剥性 ,可推广应用于制件中间过程的保护     

高能液体推进剂研究现状和应用前景

高能液体推进剂的发展有四个方面：金属化凝胶推进剂、高密度吸热型碳氢燃料推进剂、纳米材料液体推进剂、添加含能材料的液体推进剂。本文围绕高能液体推进剂的发展方向,综合论述了国内外的研究现状和应用前景分析,并提出了我国技术发展的初步思路。     

Cf／SiC复合材料与Nb合金的连接

利用熔盐反应法在Cf/SiC复合材料表面锆金属化的基础上,用TiCuZrNi非晶钎焊箔实现Cf/SiC复合材料与Nb合金钎焊连接.研究发现Cf/SiC复合材料表面Zr金属化层主要的物相为Zr、Zr3O、ZrC和Zr2Si;钎料对Zr金属化层的润湿性良好,钎料中活性元素Ti向Cf/SiC复合材料一侧明显扩散并发生化学反应,实现了钎料与Cf/SiC复合材料的良好键合,并且可以深入Cf/SiC复合材料孔隙形成"钉扎"效应;接头剪切强度达124 MPa,750℃热冲击5次后剪切强度达70 MPa;断裂部分发生在Cf/SiC复合材料与钎料界面处,部分位于Cf/SiC复合材料近缝区.     

空间薄膜SAR天线阵面金属电路制备技术研究

薄膜天线,具有柔性、低面密度特点,能够实现地面高效率折叠、在轨超大面积展开,是未来空间天线的重要发展方向之一。针对空间薄膜SAR 天线制备需求,梳理了薄膜天线阵面金属电路阵列制备技术现状。研究了基于聚酰亚胺薄膜表面自金属化原理,通过注射涂印方式制备聚酰亚胺薄膜/ 金属银电路原理样件,测试了电路层电阻率,并开展了-196℃ / +100℃高低温循环试验考核。结果表明,聚酰亚胺薄膜表面自金属化形成的银电路电阻率达到10-5 Ω·cm 级,能够满足薄膜SAR 天线电性能需求;经过高低温循环试验后,聚酰亚胺薄膜/ 金属银电路之间结合牢固。本研究初步验证了聚酰亚胺薄膜表面自金属化制备柔性天线的技术可行性,为空间超轻型大面积薄膜SAR 天线工程化研制提供了技术基础。     

集成电路铝金属化系统电迁移失效机理研究

本文研究了国产中规模集成电路铝金属化系统电迁移失效机理以及磷硅玻璃(PSG)和聚酰亚胺钝化层对铝条失效行为的影响,并对铝条的形貌进行了扫描电镜观察和分析。实验测得铝条电迁移失效激活能为0.48eV。