新型薄膜材料在电子倍增器中的应用研究

为了提高核探测、航空航天、国防和精密科学仪器等领域中传统电子倍增器的性能，使其在较低的工作电压和入射电子能量下实现高增益、低噪声、长寿命的目标，在材料制备、二次电子发射测试和电子倍增器性能优化等方面开展了大量研究工作。利用原子层沉积（atomic layer deposition，ALD）技术研制了具有较高二次电子产额（secondary electron yield，SEY）的新型薄膜材料，研究了元素掺杂和表面修饰改善材料二次电子发射特性的方法，详细测试了薄膜材料的二次电子发射特性参数。利用ALD技术将新型薄膜材料成功应用于微通道板（microchannel plate，MCP）和单通道电子倍增器（channeltron electron multiplier，CEM）中，测试结果如下：相同工作电压下，镀膜后MCP组件的增益、单电子分辨率、峰谷比分别改善了约166%、17%和260%；对于单个CEM，镀膜前工作电压为2700V时增益才能达到108，而镀膜后1600V下即可达到相同增益（工作电压降低了1100V），并且其它各项参数（分辨率≤26%，累计拾取电荷量≥15.62C）均得到改善。该研究成果在高增益、长寿命新型电子倍增器研制及其在荷电粒子与含能光子探测中的应用具有重要意义。     

球形收集极结构的二次电子 产额测量装置及测量方法

为了精确测量材料在不同入射电子能量和入射电子角度下的二次电子产额（secondary electron yield，SEY）以及二次电子能谱，研制了收集极为球形结构的SEY测量装置。首先介绍了装置的构成、测量原理及中和方法，并对测得的信号波形进行了分析。随后，测量了Cu材料和Al2O3薄膜材料的SEY值和二次电子能谱。结果表明：不同入射电子能量下SEY值的标准偏差分别小于0.055（Cu）和0.126（Al2O3）；不同入射电子角度下SEY值与理论模型符合的很好，拟合R2值为0998 64（Cu）；出射的二次电子能量绝大部分集中在10eV（Cu）和20eV（Al2O3）以下，符合相关理论预期。