压应力对非晶态Ni-Si-B合金的电子输运过程的影响

本文报导了Ni-Si-B非晶态合金薄带在压力作用下的电阻蠕变现象,发现电阻的蠕变现象和压力作用下应变的蠕变现象十分相似,也可以分为可逆的和不可逆的两部分,可逆部分又含有瞬时可逆和滞后可逆两种成分。文章对非晶态合金的不可逆塑性流变用位形熵的理论加以定性解释。     

压力敏感元件新材料的实验研究

对非晶态的和局部晶化的Ni68Si15B17合金薄带和其他一些非晶态的合金薄带,以及对康铜丝,做了受拉力时电阻变化率的测量比较,并做了电阻随温度的变化以及其他一些测量。从比较中看出,非晶态Ni68Si15B17合金具有的特性可能使它成为优良的压力敏感元件的新材料,尤其适于制作飞行器中的传感元件。     

Fe-Cr-Al/Si非晶态薄膜的电阻-应力特性

 对非晶态Fe-Cr-Al/Si薄膜研究了方块电阻与灵敏度、电阻温度系数、电阻率以及薄膜厚度等的关系;根据升温时薄膜电阻开始剧变推算了薄膜的晶化温度,并评估了Fe-Cr-Al/Si薄膜作为力传感器敏感材料的品质。     

非晶态铁硼薄膜的平面霍耳效应

对于用射频溅射法制得的Fe_(83)B_(17)薄膜进行了平面霍耳效应的研究。实验表明:厚度大于800(?)的薄膜测量结果与导出的公式符合良好,且平面霍耳电压V_H的磁滞回线有轴对称性,但对较薄的膜则出现对公式的偏离并失去对称性。V_H的幅值可达500μV,开关临界磁场为22×10~(-4)T,晶化以后薄膜的V_H减小约一个数量级。利用平面霍耳效应测量了薄膜的静态磁特性。