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桥式驱动功率MOSFET的电磁干扰与抑制 总被引:3,自引:0,他引:3
为解决功率MOSFET因栅极驱动信号振荡产生的过热损坏问题,从MOSFET的模型入手,给出了考虑驱动电路各寄生参数的半桥逆变电路等效模型.深入分析了栅极振荡的产生机理,推导了各参数与振荡之间的关系表达式,绘制了以各参数为自变量的振荡三维时域暂态关系曲线,并以此为依据进行参数优化设计,通过增加MOSFET开通时间,最大程度地抑制振荡。理论分析和实验结果表明,改进后的驱动电路简单、实用,实现了系统的安全稳定运行。 相似文献
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