桥式驱动功率MOSFET的电磁干扰与抑制

为解决功率MOSFET因栅极驱动信号振荡产生的过热损坏问题，从MOSFET的模型入手，给出了考虑驱动电路各寄生参数的半桥逆变电路等效模型．深入分析了栅极振荡的产生机理，推导了各参数与振荡之间的关系表达式，绘制了以各参数为自变量的振荡三维时域暂态关系曲线，并以此为依据进行参数优化设计，通过增加MOSFET开通时间，最大程度地抑制振荡。理论分析和实验结果表明，改进后的驱动电路简单、实用，实现了系统的安全稳定运行。