军用印制电路组件气相沉积促进工艺技术

对聚对二甲苯Parylene C真空气相沉积促进工艺进行了全面研究。通过附着力测试,确定了促进剂和促进工艺。并对Parylene C涂层的三防性、耐热性、耐介质性进行了考核。结果表明:在最佳促进参数条件下,附着力达到1级,各项性能指标均满足军用印制电路组件三防技术要求。