低碳硅锰系结构钢中相变诱发塑性的研究

在低碳硅锰系结构钢中，也可获得ＴＲＩＰ效应，使其力学性能尤其是延伸率大幅度提高。本研究硅含量较高的Ｂ钢残余奥氏体稳定性增强，ＴＲＩＰ效应显著。     

航天器地面模拟设备发展综述

本文回顾了高超音速地面模拟设备发展过程，这里既包括模拟理论方面的问题，也包括设备设计与建造方面的问题。目前，各国都在积极改进现有地面模拟设备或设计新型设备，以推进航天技术的发展。     

采用以谐振隧道贯穿效应的光纤偏振器

我们首次演示了一种采用谐振隧道贯穿效应、多层漏泄、全光纤的光纤偏振器，实验证实器件的偏振水光比（ＰＥＲ）≈２７ｄＢ，插入损耗（ＩＬ）≈３ｄＢ，并有进一步改善器件性能的潜力；为分析该器件，提出了一种简单的平面波导模型，理论预计与实验结果完全一致，进一步研究表明：通过适当选取器件参数，对于波长λ＝０．６３８８μｍ，消光比为６８ｄＢ，插入损耗为０．２ｄＢ；当λ＝１．３μｍ时，实现ＰＥＲ约８０ｄＢ，插入损     

反射及绕射冲击波的生物效应研究

采用生物激波管内放置挡板，探讨弱冲击波的反射有绕射作用对生物效应的影响。结果表明反射激波超压明显增强，约为入射激波超压的３倍，并可引起动物肺和胃肠道损伤；绕射激波的一次激波超压明显降低，约为入射激波的１／３，二次激波与距挡板的距离有关，当距离为挡板高度的１／４和２倍时，超压低于入射激波，距离为挡板高度的１／２和１倍时，超压稍高于入射微波，提示该处激波有叠加现象，实验运行均未见明显内脏器官损伤。本研     

典型CMOS存储器电离辐照效应

对电离辐照环境中典型CMOS存储器的辐照效应进行了研究。分析了SRAM,EEPROM,FLASH ROM存储器在^60Coγ射线辐照及辐照后不同退火过程中,CMOS存储器的集成度、辐照偏置、退火时间和温度与电离辐照效应的关系。结果发现：不加电（冷备份）状态的^60Coγ射线辐照过程中,存储器的逻辑状态翻转出现较正常工作状态推迟1个量级以上;随着集成度的提高,SRAM,EEPROM存储器的辐照敏感度降低;试验器件经不同剂量的^60Coγ射线辐照后在不同温度下退火,所有试验器件均出现了逻辑状态翻转。     

纳米硅薄膜的氧化特性

将ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜进行等离子和高温氧化处理，测量了样品的氢，氧含量，Ｒａｍａｎ谱，红外吸收谱，光致发光（ＰＬ），结果表明两种氧化方式都将氧掺入薄膜中，但不同处理方式氧在薄膜中的键合形式不同Ｒａｍａｎ谱表明氧化处理对薄膜中晶粒大小及晶态比没有影响，用晶粒－表面模型对氧化引起的光致发光（ＰＬ）蓝移进行了解释。     

新型免抬式电动刀架的研究

本文介绍了一种ＣＮＣ机床新型免抬式电动刀架的机械结构及控制电路。该电动刀架采用梯形螺柱螺套副升降机构，可使刀架转位分度时无需抬起上刀体。刀架转位分度采用机－ 电结合的方法，即先在控制电路中使用霍尔元件进行粗定位，再在机械上采用三齿盘实现精定位。     

柜台商家跑了怎么办?

<正>评析:《中华人民共和国消费者权益保护法》第四十三条规定:"消费者在展销会、租赁柜台等购买商品或接受服务,其合法权益受到损害的,可以向销售者或服务者要求赔偿。展销会结束或者柜台租赁期满后,也可以向展销会的举办者、     

VR_S Covert效应——伍兹:重返世界第一

<正>一度陷入低迷的"老虎"伍兹在耐克高尔夫科技的帮助下逐渐重返巅峰。三月,他使用全新的VR_SCovert 5号木杆后接连夺取世锦赛-凯迪拉克锦标赛以及美巡赛帕尔默邀请赛两个冠军,并借此重返世界排名第一。伍兹说:"使用VR_SCovert后我比以前打得远。3号铁杆和5号木杆的差异较大;但用这支5号木杆可以击出更