微惯性器件

本文简述了微惯性器件的发展情况，介绍了微加速度主，微陀螺仪的工作原理，论述了微惯性器件的发展方向。     

应用加权中值滤波法检测薄壁梁式挠性器件下摆量

应用加权中值滤波法对薄壁梁式挠性器件下摆量进行高准确度CCD检测。薄壁梁式挠性器件在测量过程中测量图像存在高频抖动现象,因此测量准确度不高,运用加权中值滤波后使用最小二乘法细分技术,可以在实现提高测量准确度的同时,消除高频抖动带来的误差,从而可以有效提高CCD测量薄壁梁式挠性器件下摆量的准确度。实验表明,该方法比传统测量方法准确度提高20倍以上。     

一起接触器失效导致飞机多功能显示器黑屏故障分析

采用故障树分析法,对一起飞机多功能显示器黑屏故障进行分析,对导致故障的接触器展开失效分析研究。从对该故障的分析中得出,接触器工作的可靠性应引起足够重视,应结合飞机大修的实际状态,针对典型接触器失效故障进行循序渐进的修理改进。     

惯性器件精密零件微小毛刺去除技术研究

针对惯性器件中的外形复杂类零件、通孔交叉孔类零件、特殊材料类零件等微小毛刺去除需求,分析了现有控制工艺方法不足.通过开展高效率、高质量的零件毛刺去除试验,研究了磨粒流去毛刺、磁力研磨去毛刺、强力超声波去毛刺等精密去毛刺新方法对产品质量的影响,分析了先进去毛刺工艺方法的适用性,探索了惯性器件零件去毛刺技术发展方向.     

宇航用双极器件和光电耦合器位移损伤试验研究

文章针对器件的位移损伤效应,利用质子加速器产生的质子及反应堆中子对化合物器件和硅器件位移损伤进行试验研究,得到了GaAs光电耦合器的电流传输比(CTR)和硅晶体管电流增益hFE的退化率随等效剂量的变化规律。研究结果表明,在质子70 MeV以上高能量范围,对于硅器件适用的位移损伤等效原理对于GaAs化合物器件则不再适用,需要修正。根据试验数据,给出了经验的修正系数。     

一种高压PMOS器件低剂量辐照效应分析

对MOS器件总剂量辐照机理的研究，多从γ射线在SiO2中产生电子 空穴对，以及γ射线作用在SiO2 Si界面上产生新生界面态方面出发，分析γ射线对MOS器件的阈值影响，但很少分析γ射线对高压MOS器件漏源击穿电压的影响。文章针对低剂量γ射线对高压PMOS器件中漏源击穿电压的作用进行综合分析；重点研究了低剂量辐照情况下高压PMOS器件的漏源击穿电压特性相对于常规剂量辐照后的变化。研究表明：低剂量的γ射线会引起高压PMOS器件漏源发生严重漏电；高压PMOS器件版图设计不当时，长期的低剂量γ射线会引起高压CMOS集成电路发生功能失效的风险。     

基于CPLD的ARINC429总线手动发码器的设计

为了将机载设备的故障检测定位至器件级,研制了ARINC429手动发码器,通过以可编程逻辑器件为核心单元的硬件电路实现了ARINC429信息的输出,完成了样机设计,并已投入使用.     

勤奋、创新、奉献 做现代误差理论与应用研究的开拓者

高水平、高精度测试技术研究,除了必要的高精度器件研究外,更重要是结合具体仪器结构的误差理论及应用研究。误差理论及应用技术是测试技术及仪器学科领域特有的理论与技术,它在本学科的重要性已被学术界所共识。任何测试技术及仪器的研究,始终离不开误差理论的指导。在我国,从事计量测试技术及仪器专业的青年科学家、长江学者,多是读着费教授的书迈进了精密仪器科学的殿堂。费教授提出的现代误差理论及技术,已为我国有关学者研究误差理论提供了重要依据,而费业泰教授则被业内誉为现代误差理论的杰出开拓者。