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宋麦丽%邹武%王涛%闫联生 《宇航材料工艺》2001,31(1):24-28
通过SEM和XRD分析研究了在不同条件下反应生成的SiC基体的微观结构和组分。结果表明,反应温度对沉积SiC晶体的取向有很大的影响,温度在1100℃以下沉积SiC为单一取向(111)(2θ≈35°)面,温度在1100℃以上,沉积SiC主要有两种取向(111)面和(220)(2θ≈60°)面,还有少量的(311)(2θ≈70°)面。不同条件下生成的SiC晶粒的堆积方式有所不同,这直接影响了SiC基体的性能,从而影响了其复合材料的性能。此外反应气体流量也对SiC基体和复合材料性能有很大影响。本文进行了沉积温度和气体流量对SiC基体性能影响的研究,优化了CVI—SiC工艺。 相似文献
125.
余煜玺%李效东%曹峰%邢欣%冯春祥 《宇航材料工艺》2002,32(6):10-13
先驱体交联处理是SiC陶瓷纤维制备过程中的主要步骤。为了更好地促进交联技术的发展,本文详细综述了先驱体法制备了SiC陶瓷纤维过程中聚碳硅烷纤维的交联方式,比较了各种交联方式的优缺点,指出了各种交联方式的适用范围,为交联方式的选择提供一些参考。 相似文献
126.
李瑞祥%王治易%肖杰%欧阳求保%王文龙 《宇航材料工艺》2001,31(5):32-35
介绍了SiCp/Al复合材料的机械性能、热力学性能、加工性能,以及在太阳电池阵展开机构中的应用情况。分析认为采用SiCp/Al复合材料,充分发挥了其高比模量、高比强度和良好的耐磨性能,其管材、型材已达到了应用阶段。 相似文献
127.
碳/碳化硅复合材料摩擦磨损性能分析 总被引:13,自引:3,他引:13
采用化学气相渗透法制备了碳纤维增强碳化硅(C/C SiC)陶瓷基复合材料,得到不同密度和组分含量的C/C SiC刹车盘试样。对C/C SiC复合材料进行了摩擦磨损性能测试,平均摩擦系数达到 0 23,摩擦稳定性达到0 43,线性磨损率为 9 3μm/次·面,质量磨损率为 2 6mg/次·面。当C/C SiC复合材料的密度增大 (1 6g·cm-3→2 2g·cm-3 ),碳含量增大(35%→55% ),摩擦系数和稳定性提高(约 70% ),且摩擦系数随制动次数增加的波动幅度减小;SiC含量升高则反之。C/C SiC复合材料经过多次刹停测试,摩擦系数对制动次数不敏感,表现出良好的摩擦稳定性。经过连续刹车试验,摩擦系数不随表面的起始和最终温度升高而衰退,材料尚无热衰竭趋势。对C/C SiC刹车盘试样的磨损表面形貌及缺陷进行了观察,发现表面磨损质量在航标允许范围内。 相似文献
128.
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研究了以先驱体为粘合剂制备SiC/Si3N4复相陶瓷异型件的成型工艺,以及各成工艺参数对后续烧成,烧结工艺和制品性能的影响。 相似文献