稀土对电沉积镍基复合镀层高温抗氧化性的影响

研究了稀土加入三种电沉积镍基复合镀层Ni—B_4C、Ni—TiC、Ni—ZrO_2前后,在850℃时的氧化行为。通过金相观察、ESCA(光电子能谱)分析及X射线衍射等方法研究表明:镀层中不同的复合颗粒和稀土两者对镀层的抗氧化能力均有影响。其小不同种类的颗粒对镀层抗氧化能力所产生影响的差别很明显;而稀土对镀层抗氧化能力影响的差别较小,且影响的程度比较接近。另外,两者影响的机理也不同。颗粒是通过分解、扩散等过程改变表面膜的组成来影响的,而稀土则是从提高膜的致密度和膜与基体的粘附性来影响的。作者认为,它们的影响既互相独立,而又互相补充。     

铝合金表面微弧氧化陶瓷膜的摩擦学性能及微观结构研究

在硅酸钠和氢氧化钾电解液中,利用微弧氧化方法,在2024铝合金上制备了陶瓷膜层。对膜层的显微硬度及结合强度进行了测定,用扫描电镜(SEM)观察分析了其结构形貌,用X射线衍射仪分析了陶瓷层的相组成,对陶瓷膜的摩擦、磨损性能进行了研究。结果表明,磨损量和摩擦系数都随时间降低,而且趋于平缓,最后基本稳定。陶瓷膜内含有γ-Al2O3和α-Al2O3相,膜层内外两相含量差异较大,主要是由于冷却速率不同的原因。陶瓷层在形成过程中,表面经历了一个熔融、凝固和冷却的过程。生成的陶瓷层由内向外可以分为过渡层、致密层和疏松层,陶瓷膜与基体的结合非常牢固,属于冶金结合。     

硝化剂五氧化二氮的合成与放大

对五氧化二氮(N2O5)的特性、合成及放大方法进行了概括和分析。同时，结合我国硝化工业的现状，介绍了较为可行的工业化合成路线，以及国外的一些N205生产动态和装置。     

利用印制板酸性蚀刻废液生产硫酸铜

硫酸铜是一种重要的化工原料。文中介绍了以硫酸铜的形式回收印制板酸性蚀刻废液中铜的工艺原理和方法。在生态环境日益遭到破坏和自然资源严重匮乏的今天，利用印制板酸性蚀刻废液生产硫酸铜，具有现实价值。     

CVD-Si3N4陶瓷及其复合材料氧化行为研究进展

概述了CVD—Si3N4陶瓷及其复合材料在干燥氧气下的氧化行为。Si3N4陶瓷在高温下氧化时，除生成SiO2保护膜外，还生成一薄层比SiO2膜更优异的氧气扩散阻挡层(Si—O—N化合物层)，该层具有优异的抗氧化性能。介绍了两种氧化机制模型，同时分析了温度、杂质等对CVD—Si3N4陶瓷氧化行为的影响。     

环保型镁合金阳极氧化工艺研究

利用正交实验方法对AZ91D压铸镁合金环保型阳极氧化成膜工艺进行了研究.结果表明环保型阳极氧化成膜工艺能在镁合金上形成银灰色的氧化膜层,所得膜层的综合耐蚀性能优于传统含铬工艺DOW17所成的膜;阳极化膜层的主要成分是MgO和Mg3B2O6;膜层具为多孔结构,孔径较均匀;膜层的成分和结构是影响膜层耐蚀性能的主要因素.     

高温合金纳米晶涂层的发展

高温合金纳米晶涂层是一种新的高温合金防护涂层体系.与目前通常采用的涂层不同,其成分与基体合金基本相同,有良好的抗氧化性能,且避免了传统涂层高温使用后在涂层与基体间因互扩散形成的脆性有害相.高温合金纳米晶涂层是在研究晶粒度对合金抗氧化性能影响的基础上发展起来的.本文综述了国内外对晶粒细化影响铁基合金、金属间化合物、高温合金等氧化性能的研究概况,重点介绍了高温合金溅射纳米晶涂层的研究结果.     

高强度铸造铝合金ZL205微弧氧化陶瓷膜的耐腐蚀性能研究

采用中性盐雾腐蚀试验法研究厚度对高强度铸造铝合金ZL205微弧氧化陶瓷膜的耐腐蚀性能的影响.结果表明,微弧氧化处理能显著提高ZL205的耐腐蚀性能,随着厚度的增加,陶瓷膜的耐腐蚀性能提高,但在厚度达到一定值后,陶瓷膜的耐腐蚀性能提高不明显.SEM和XRD结果表明,随着厚度的增加,微弧氧化膜的表面形貌和相结构都发生变化,从而导致微弧氧化膜的耐腐蚀性能发生变化.     

C/C复合材料1 800℃抗氧化涂层探索研究

提出并制备了可以应用于1 800℃的抗氧化涂层体系,固渗法制备SiC内层,料浆涂刷法制备高温氧化物釉层和硼硅化物釉层.经扫描电镜分析涂层形貌及电子能谱分析其组成,发现C/C复合材料基材结构完整,没有发生次表面氧化.试验结果表明氧乙炔焰烧蚀20 s后,失重为0.06%;1 800℃自然对流氧化试验条件下,氧化物釉层30 min的平均失重速率为0.06g/(m2·s);硼硅化物釉层60min的平均失重速率为0.2g/(m2·s).说明涂层体系在1 800℃具有良好的抗氧化能力.     

聚碳硅烷裂解中的氧影响分析

以不同纯度的氮气为保护性气氛，采用差热法和红外光谱法研究微量氧对聚碳硅烷裂解的影响，并讨论了在有微量氧的气氛下，不同裂解条件对陶瓷产率的影响。结果表明，氧可以与聚碳硅烷起氧化反应，形成含氧基团，使裂解产物增重。合理地控制气氛流量、升温速率、试样量等裂解工艺条件，可有效地抑制氧对聚碳硅烷裂解的影响。当升温速率为30℃／min、氮气流量为80mL／min时，气氛中微量氧的氧化程度降至最低，试样的陶瓷产率接近于实际值。