硅微传感器中微弱信号的相关检测1)

主要论述全光纤硅谐振微传感器中微弱信号的相关检测技术.研究表明对于高阻抗信号源，有效信号电流仅为纳安级、信噪比很低、谐振频率高达200kHz的微弱信号，可通过选用低漂移、高输入阻抗和宽频带的运放作为前置放大器，并进一步应用相关检测原理，设计出相应的电路，就能极大地提高信噪比，检测出有效信号，实现硅微传感器微弱信号的检测.     

导航控制系统用硅传感器的开发

当前，硅微机械器件引起导航与控制系统传感器开发者们越来越密切的关注，微硅加速度计和角速率传感器最根本的优势在于其体积小，功耗低，相对成本较低，而且与微电睡的组合成本低，可实现。本文介绍了ＲＤＣ在微硅加速度计和多用传感器研制方面的成果，介绍了硅平衡式加速度计和频率输出型开环加速度计的基本特性，同时，探讨了今后导航和控制系统中硅微机械应用的技术路线。     

多用途微型飞行器

美国佐治亚技术学院的工程师预言 ,他们所设计的１５厘米长的微飞行器将能飞向目标并返回 ,带回各种信息 ,包括视频、化学及生物信息。一旦设计成功 ,这种飞行还能自主完成各种任务而不需人工遥控。如此小巧、自导的空中飞行物究竟是鸟还是飞机呢？应该说它既像鸟 ,又像飞机 ,还有昆虫及机器人的特点。据称 ,该飞行物的用途十分广泛 ,包括军事、农业和其他多种领域。其最初应用将是军事领域。民用领域如警察、消防和农业是该技术的最终发展方向。虽然这种飞行器的用途十分广泛 ,但要把它变成现实却面临诸多难题。例如 ,人们不可能简单地把波…     

WL10型近红外反射式光电传感器的研制

依据光学电子学的相关原理，针对烟草行业自动生产过程中对传感器的需要，研制了ＷＬ１０型近红外反射光电传感器，并成功地应用于烟草行业的生产线上。     

面向空中目标威胁评估的多传感器管理方法

为了降低在空中目标威胁评估任务中由于威胁评估结果的不准确性和传感器辐射所带来的潜在损失，提出了一种基于风险的多传感器管理方法。首先，基于部分可观马尔可夫决策过程建立了传感器管理模型；然后，给出了基于信息状态的威胁评估风险和传感器辐射风险的预测方法以量化潜在损失；接着，为获得更优的作战收益，以多步风险预测值为决策依据，以两种风险的加权和最小为优化目标建立了长期目标函数；最后，在求解目标函数时，将传感器管理问题转化为决策树搜索，设计了一种基于分支定界的标准代价搜索算法以快速获得高质量的管理方案。仿真实验表明，所提算法能够在搜索到高质量解的同时大幅减少计算时间和内存消耗；所提方法能够对风险进行准确预测，且相比于经典的传感器管理方法，所提方法具有更好的风险控制效果。     

多传感器目标检测的性能评估（二）

（接上期）2多传感器目标检测的性能评估前面，我们对于单传感器目标检测情形建立了基于几何直观的单一评价指标，这种单一评价指标是单传感器检测率和虚警率的综合反映。对于多传感器目标检测情形，我们可以依据多传感器目标检测的系统检测率和系统虚警率将（5）式予以推广，建立多传感器目标检测的单一评价指标。为此，只需深入讨论多传感器目标检测情形下的系统检测率和系统虚警车。2．1系统检测率和系统虚警率容易证明，已有的各种多传感器目标检测模型实际上都等价于某个（K／N）规则。令R（U）表示融合中心基于传感器级决策的全局决…     

汽车车速传感器的电磁兼容设计

电磁兼容性作为汽车电器可靠性参数日益受到重视。针对汽车车速传感器所面临的电磁兼容问题提出了一种设计方案,应用该方案的车速传感器电磁兼容性测试结果符合速度传感器通用技术条件的整体误差标准,并在实际应用中获得了预期的效果。该电磁兼容设计方案对汽车中其他电子设备的电磁兼容性设计同样具有参考意义。     

面向航天回收装备的大变形柔性传感器研究与应用（二）——大应变传感器

在极端环境条件下，受温度、压力、速度等因素影响，具有柔性和大变形特征的航空航天装备极易发生故障，因此研发相应的大变形柔性传感器以对其服役状态下的应变、曲率、气动外形等参数进行实时监测面临巨大的挑战。文章面向具有柔性和大变形特征的航天回收降落伞，设计了大变形柔性应变传感器（简称大应变传感器），研究结果表明该大应变传感器在高达35%的应变范围内保持了优异的线性度（拟合优度>0.999）。文章还进一步探索传感器在降落伞的伞衣、伞绳、径向带等部位的集成方案并进行系统性测试，通过航天降落伞地面高塔投放试验和风洞试验的示范应用，有效地获得降落伞的变形状态信息，这对降落伞的结构设计优化与实时控制具有重要意义。     

不明的前景

人们对“阿瑞斯”火箭的未来充满了众多猜测，褒贬不一，它的未来到底如何？也许只有时间知道。     

表面微加工惯性传感器的实例—一种电容式加速度计

本文介绍了单一芯片上的三敏感轴表面微加工加速度计的技术原理，传感器的设计以及与之相关各单轴加速度计的测量结果。传感器的机械结构由厚为１０微米的多晶硅层采用高淀积速率淀积工艺加工而成。实现该传感器的全部制造过程是考虑到与化ＢＩＣＭＯＳ制造过程合二为一的要求。