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131.
对硅片进行了不同条件及方式的清洗预处理,使硅片表面获得不同程度的亲水性,利用硅片表面的接触角等研究比较了不同清洗方式对硅片亲水性的影响,并采用红外透视仪及拉伸测试法对键合质量测试比较.试验结果表明RCAl的清洗处理对硅片表面亲水性提高程度较大,等离子体处理能够大幅提高硅片亲水性但要严格控制处理时长,试验结果为实现低温退...  相似文献   
132.
采用粉末包埋法对电子束物理气相(EB- PVD)制备钛合金薄板在620℃分别进行6h渗铝及铝硅共渗,采用XRD、SEM等对EB- PVD制备钛合金薄板显微组织以及粉末包埋法渗铝及Al- Si共渗后的钛合金薄板显微组织结构进行研究.结果表明,微晶合金可以在620℃实现渗铝和铝硅共渗.渗铝层的相结构主要为Al3 Ti相,但由于渗层Al3 Ti相为脆性相,在渗后冷却过程中热应力的作用下,易产生裂纹.铝硅共渗层的相结构主要为Al3 Ti和Ti5 Si3相,由于Si存在渗层中,渗层中不存在裂纹.  相似文献   
133.
聚硫橡胶属特种的合成材料,其固化物具有优异的特性和良好的施工性能。由以液态聚硫橡胶为主剂,合理地选择金属氧化物固化剂和有效的辅助材料,优化配方配比的聚硫粘接密封胶、聚硫灌封胶,在航天产品的红外光学系统和电子电气系统中的特殊应用,达到了最佳的技术指标和技术状态。  相似文献   
134.
135.
研制一套硝基氧化剂废水处理装置,在一辆车上同时完成废水的中和、除氟、除磷和去除NOx。处理后的废水可达到排放标准,处理车具有自动、半自动和手动操作的功能。  相似文献   
136.
在离心力场下过共晶Al-Si合金熔体中的初生硅发生向内周方向的偏移,改善了组织,并在凝固后形成倾斜分布,由此带来诸如硬度、耐磨性、热膨胀系数等性能的梯度变化,从而形成一定意义下的梯度功能材料。  相似文献   
137.
面向壁面剪应力测量的底层隔板微敏感结构设计与制造   总被引:1,自引:0,他引:1  
 采用MEMS技术加工的底层隔板能够为壁面剪应力的测量提供新的手段。利用有限元法(FEM)建模仿真、正交实验设计以及各因素的极差分析,考查了微敏感结构宽度、厚度和凸出壁面高度对底层隔板固有频率和压阻灵敏度的影响规律,完成了底层隔板的结构优化设计。仿真结果显示:微敏感结构厚度对隔板固有频率和灵敏度影响最大,提升敏感结构高度能够有效提高压阻灵敏度,固有频率和压阻灵敏度受微敏感结构宽度变化影响很小。基于绝缘体上硅技术,利用电感耦合等离子体刻蚀工艺形成底层隔板结构,反应离子刻蚀工艺完成对敏感结构的释放,所加工底层隔板的整体尺寸为5.9 mm×10.1 mm×0.39 mm。底层隔板的动态特性测试表明样件固有频率为1 453.1 Hz,与有限元仿真结果的最大偏差为4.4%。  相似文献   
138.
C/C-SiC复合材料两种制备工艺及材料性能   总被引:1,自引:0,他引:1  
以碳纤维整体毡为预制体,采用化学气相渗透法(CVI)制备出低密度碳/碳复合材料,再分别采用液相硅渗透工艺(LSI)制备出密度为2.1g/cm3的碳/碳-碳化硅复合材料(C/C-SiC),及先驱体转化工艺(PIP)制备出密度为1.9g/cm3的C/C-SiC.对2种工艺制备的C/C-SiC力学性能进行了比较,结果表明:PIP工艺制备的C/C-SiC弯曲强度为287MPa,明显高于LSI工艺制备的弯曲强度155MPa.  相似文献   
139.
    
针对功耗和工作频率对22 nm FDSOI背偏和28 nm体硅体偏电路的偏置能力进行对比和分析。以带有4级分频电路的65级环阵(RO)为例进行后仿真,后仿真结果表明,利用背偏技术的22 nm FDSOI环阵的输出频率可在57.8~206 MHz的范围内进行调节,相应的工作电流变化范围为24.4~90.4 μA;而利用体偏技术的28 nm体硅环阵的输出频率调节范围则为92.8~127 MHz,对应的工作电流变化范围为67.8~129 μA。对22 nm FDSOI工艺的环阵进行了实测,实测结果与仿真结果一致。分析认为,在功耗和性能2个方面,22 nm FDSOI电路的背偏调节能力优于28 nm体硅电路的体偏调节能力。  相似文献   
140.
镍铬-镍硅热电偶特性分析与应用研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
李建军 《火箭推进》2010,36(5):63-66
以镍铬-镍硅热电偶在火箭发动机试验中的应用为研究对象。对其特性和影响测量的主要因素进行了论述。对镍铬-镍硅热电偶在使用中的劣化问题进行了研究和探讨,结果表明重复使用后的镍铬-镍硅热电偶的劣化是不可避免的,其劣化程度随封装形式、使用温度、直径及使用时间的不同而异,并根据多次试验数据的积累,总结出了相应的处理方法。  相似文献   
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