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缝合复合材料弹性常数细观力学模型的分析比较   总被引:1,自引:1,他引:1       下载免费PDF全文
对近几年来公开发表的缝合复合材料弹性常数的细观力学模型进行了分析比较。通过计算对比了铺层纤维面内弯折、正弦波状弯曲、多项式描述纤维弯曲三个典型的缝合复合材料弹性常数的细观力学分析模型。结果表明,采用面内纤维弯折假设的弹性常数分析模型对缝纫参数的改变不敏感;采用面内纤维弯曲假设的模型对缝纫参数改变敏感,不同模型得到的弹性常数随缝纫参数变化趋势几乎是相同的。但是,假设纤维在针脚附近只有部分纤维发生弯曲比假设纤维全部发生弯曲得到的结论更合理。  相似文献   
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为提升SRAM型FPGA电路块存储器和配置存储器抗单粒子翻转性能,本文提出一种脉冲屏蔽SRAM单元结构。该结构通过在标准的六管单元中加入延迟结构,增大单元对单粒子事件响应时间,实现对粒子入射产生的脉冲电流屏蔽作用。以64k SRAM作为验证电路进行单粒子翻转性能对比,电路的抗单粒子翻转阈值由采用标准六管单元的抗单粒子翻转阈值大于25 MeV·cm 2·mg -1 提升至大于45 MeV·cm 2·mg -1 ,加固单元面积较标准六管单元增大约21.3%。30万门级抗辐照FPGA电路通过脉冲屏蔽单元结合抗辐照SOI工艺实现,其抗辐照指标分别为:抗单粒子翻转阈值大于37.3 MeV·cm 2·mg -1 ,抗单粒子锁定阈值大于99.8 MeV·cm 2·mg -1 ,抗电离总剂量能力大于200 krad(Si)。  相似文献   
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针对功耗和工作频率对22 nm FDSOI背偏和28 nm体硅体偏电路的偏置能力进行对比和分析。以带有4级分频电路的65级环阵(RO)为例进行后仿真,后仿真结果表明,利用背偏技术的22 nm FDSOI环阵的输出频率可在57.8~206 MHz的范围内进行调节,相应的工作电流变化范围为24.4~90.4 μA;而利用体偏技术的28 nm体硅环阵的输出频率调节范围则为92.8~127 MHz,对应的工作电流变化范围为67.8~129 μA。对22 nm FDSOI工艺的环阵进行了实测,实测结果与仿真结果一致。分析认为,在功耗和性能2个方面,22 nm FDSOI电路的背偏调节能力优于28 nm体硅电路的体偏调节能力。  相似文献   
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CFD计算网格误差分析的一个算例   总被引:1,自引:0,他引:1  
为了给一般工程问题的CFD仿真的网格划分提供参考,研究了光滑直圆管中粘性稳态等温流动在不同尺寸、不同纵横比网格情况下的CFD计算数值解的误差.采用FLUENT软件进行数值计算,应用CFD仿真验证和确认的基本方法,与精确解比较,计算了各种网格的数值计算结果的误差,得到了网格独立解的网格尺寸,给出了误差随网格尺寸变化的规律.  相似文献   
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