全文获取类型
收费全文 | 330篇 |
免费 | 81篇 |
国内免费 | 48篇 |
专业分类
航空 | 175篇 |
航天技术 | 171篇 |
综合类 | 28篇 |
航天 | 85篇 |
出版年
2023年 | 11篇 |
2022年 | 11篇 |
2021年 | 18篇 |
2020年 | 18篇 |
2019年 | 24篇 |
2018年 | 24篇 |
2017年 | 26篇 |
2016年 | 10篇 |
2015年 | 10篇 |
2014年 | 11篇 |
2013年 | 17篇 |
2012年 | 22篇 |
2011年 | 17篇 |
2010年 | 17篇 |
2009年 | 19篇 |
2008年 | 12篇 |
2007年 | 17篇 |
2006年 | 15篇 |
2005年 | 18篇 |
2004年 | 15篇 |
2003年 | 12篇 |
2002年 | 13篇 |
2001年 | 14篇 |
2000年 | 11篇 |
1999年 | 9篇 |
1998年 | 3篇 |
1997年 | 5篇 |
1996年 | 11篇 |
1995年 | 9篇 |
1994年 | 10篇 |
1993年 | 7篇 |
1992年 | 7篇 |
1991年 | 6篇 |
1990年 | 3篇 |
1989年 | 6篇 |
1988年 | 1篇 |
排序方式: 共有459条查询结果,搜索用时 0 毫秒
81.
核磁共振陀螺代表了新一代高精度、微小型陀螺的发展方向之一,随着陀螺体积的降低,磁屏蔽层与磁场线圈随之减小,且二者贴合更加紧密,高导磁性的磁屏蔽层及低导磁性的空气介质交错分布,改变了线圈的磁通路径,导致线圈的磁场均匀性下降,制约了陀螺精度的提高。针对这一问题,提出了磁场等效增益系数,模拟磁屏蔽边界对线圈磁场的影响,据此建立了磁屏蔽边界条件下高均匀磁场线圈模型,优化了线圈参数。对所设计线圈的磁场均匀性进行了测试,表明该设计方法可以得到磁屏蔽边界条件下高均匀磁场线圈,可为发展微小型、高精度的核磁共振陀螺高均匀磁场线圈设计方法提供参考。 相似文献
82.
83.
霍尔推力器磁路设计主要通过常温静态磁场仿真得到,并实测推力器非工作状态常温磁场进行复核。大功率霍尔推力器将面临更为严峻的热问题,推力器工作时磁路系统受高温影响,因此在常温下仿真得到的磁场位形会因温度升高而产生偏移,不能反映推力器真实工作时的磁场情况。为研究霍尔推力器工作时热量对磁路系统的影响,通过热磁耦合仿真对10kW磁屏蔽霍尔推力器的热态磁场分布进行研究,并对热态、常温仿真结果进行了对比,发现在阳极附近的径向磁感应强度Br的差异比放电室出口更大。常温设计的磁屏蔽构型在热态时偏离磁屏蔽,磁场和壁面最大不符合度达到13%,通过陶瓷出口型面修正后重新获得磁屏蔽效果,使最大不符合度降低到4.8%以下。合理热设计有助于降低热载荷,热仿真得到磁路系统最高温度低于500℃,低于0.78倍的居里温度Tc磁性急剧转变点,不会出现磁性能急剧下降,但热量对磁屏蔽霍尔推力器磁场构型的影响是应该考虑的。 相似文献
84.
空间等离子体与垂直无碰撞激波相互作用的数值实验 总被引:6,自引:2,他引:4
应用混合模拟方法数值研究了高Alfven-Mach数垂直无碰撞激波与等离子体间的相互作用。结果表明,激波上游的磁场非常稳定,粒子分布近似为Maxwell分布。激波下游磁场存在不规则的湍动,质子分布有一个高能尾,且有些质子被激波反射。跟踪少量高速质子的计算结果表明,在t=40Ωi^-1时约有40%的质子被激波反射,而7%质子可被加速,最大速度值可达到20VA激波区的电场分布对质子的减速或加速起了主要 相似文献
85.
基于三维不可压缩电阻性MHD方程,在长柱形位型下,数值研究了电阻撕裂模不稳定性所引起的磁场重联过程。研究结果表明,撕裂模的非线性相互作用和耦合,将产生许多模式的强裂解稳和导致快速的磁场重联。这一过程的进一步发展,导致具有螺旋形结构,不同模式的磁岛磁力线重叠,从而引起较大区域内的磁场各态经历和磁力线随机走向,形成撕裂模端动。 相似文献
86.
利用荧光光谱探讨了磁场引起α-淀粉酶构象的变化及其原因,α-淀粉酶在20℃pH6.6的磷酸盐缓冲溶液中,经0.05~0.25T静磁场作用不同时间均能引起荧光强度手明显变化,其变化程度与磁场强度和磁化时间有关,但不伴有最大发射峰位移,用分光光度法考察了磁场对溶解α-淀粉酶活性的影响,未发现活性有明显变化,其结果与磁场对固定化α-淀粉酶活性的影响不一致,提出了磁场对酶分子的生物效应与酶存在形式有关。 相似文献
87.
详细介绍了频率30Hz~30MHz范围内正弦稳态磁场标准的误差分析。此标准的建立用两种方法:1.标准场法,2.标准天线法。将分别讨论采用上述方法建立的标准可能出现的误差项。 相似文献
88.
89.
概述了碲镉汞晶体中碲夹杂和高密度位错的成因,并以此为依据,阐述了排除碲夹杂和降低位错密度的工艺原理和方法。工艺途径分为两步,一步是根据微区域提纯原理,排除原生MCT晶锭中的大部分碲夹杂,第二步是根据大量Hg空位形成碲沉淀的模型和位错在高温下攀移的原理,进一步排除MCT晶片中残存的碲夹杂并降低位错密度。 相似文献
90.
基于退火惩罚混合遗传算法求解生产批量计划问题 总被引:8,自引:0,他引:8
针对以获得最低生产成本为目的的批量生产计划问题,提出了该问题的混合整数规划模型,首先,根据单级多资源批量计划问题的特点提出了问题的数学描述,;然后根据该数学问题的复合性,利用遗传算法的随机搜索和进行化过程寻找问题的全局最优解,为了防止适应度函数的过早收敛,引入退火惩罚因子对适应度函数进行处理,使得获得全局优解的可能性加大,实验结果表明,该方法能获得比传统遗传算法更为理想的近似最优解。 相似文献