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21.
工业中许多产品需要测量其长度 ,但传统的机械式计米器不能有效克服机械惯性 ,精度差 ,同时不能将长度信息进行管理 ,不适应当今信息化的生产环境。如采用集成霍尔传感器设计智能化计米器 ,能克服机械式的上述缺点。通过和上位计算机的通信可实现生产管理、销售。  相似文献   
22.
随着微电子技术的飞速发展和嵌入式系统要求的提高,硬件集成度迅速增长,以FPGA作为物理载体进行芯片设计的SoPC设计方式已经兴起.以PowerPC405处理器硬核为核心,开发基于PowerPC405的SoPC系统.本系统中,将通常独立的处理器、外设,分别作为硬核、软核集成入FPGA中,达到系统可编程、减少外围器件数目和PCB面积、降低功耗以及提高系统抗干扰能力等目的.针对SoPC开发的关键技术进行分析,最后采用Xilinx的Virtex4 FPGA实现基于PowerPC405的SOPC系统.  相似文献   
23.
微惯性器件     
本文简述了微惯性器件的发展情况,介绍了微加速度主,微陀螺仪的工作原理,论述了微惯性器件的发展方向。  相似文献   
24.
应用加权中值滤波法对薄壁梁式挠性器件下摆量进行高准确度CCD检测。薄壁梁式挠性器件在测量过程中测量图像存在高频抖动现象,因此测量准确度不高,运用加权中值滤波后使用最小二乘法细分技术,可以在实现提高测量准确度的同时,消除高频抖动带来的误差,从而可以有效提高CCD测量薄壁梁式挠性器件下摆量的准确度。实验表明,该方法比传统测量方法准确度提高20倍以上。  相似文献   
25.
采用故障树分析法,对一起飞机多功能显示器黑屏故障进行分析,对导致故障的接触器展开失效分析研究。从对该故障的分析中得出,接触器工作的可靠性应引起足够重视,应结合飞机大修的实际状态,针对典型接触器失效故障进行循序渐进的修理改进。  相似文献   
26.
针对惯性器件中的外形复杂类零件、通孔交叉孔类零件、特殊材料类零件等微小毛刺去除需求,分析了现有控制工艺方法不足.通过开展高效率、高质量的零件毛刺去除试验,研究了磨粒流去毛刺、磁力研磨去毛刺、强力超声波去毛刺等精密去毛刺新方法对产品质量的影响,分析了先进去毛刺工艺方法的适用性,探索了惯性器件零件去毛刺技术发展方向.  相似文献   
27.
宇航用双极器件和光电耦合器位移损伤试验研究   总被引:2,自引:1,他引:1  
文章针对器件的位移损伤效应,利用质子加速器产生的质子及反应堆中子对化合物器件和硅器件位移损伤进行试验研究,得到了GaAs光电耦合器的电流传输比(CTR)和硅晶体管电流增益hFE的退化率随等效剂量的变化规律。研究结果表明,在质子70 MeV以上高能量范围,对于硅器件适用的位移损伤等效原理对于GaAs化合物器件则不再适用,需要修正。根据试验数据,给出了经验的修正系数。  相似文献   
28.
磁场对高电压霍尔推力器性能影响研究   总被引:2,自引:2,他引:0       下载免费PDF全文
为研究磁场构型、磁场强度对高电压霍尔推力器主要性能的影响机理,以HET-200推力器为对象,采用固定磁场构型和不固定磁场构型两种方案进行实验研究。结果表明,在不固定构型的情况下增强磁场,放电电流存在两个极小值,效率也存在相应的两个极大值;但当固定磁场构型时,则放电电流只有一个最小值,效率也只有一个最大值。以最优效率下的磁场构型为基准,获得了磁场与电压、磁场与流量的匹配关系分别为B_(r, max)∝V~(0.7),B_(r, max)∝m。  相似文献   
29.
《航天器工程》2016,(5):69-73
分析了霍尔电推进系统的电源处理单元(PPU)的需求,介绍了使用移相全桥软开关电路设计方法,实现了电源处理单元阳极电源高效率,同时通过采用FPGA设计方法,实现了数字化电源处理单元的设计,最后给出了80mN霍尔电推进系统数字化电源处理单元工程样机的实现情况,结果表明:采用软开关后电源效率得到了明显的提高,数字化控制的电源处理单元具备了参数灵活调整的功能。  相似文献   
30.
对MOS器件总剂量辐照机理的研究,多从γ射线在SiO2中产生电子 空穴对,以及γ射线作用在SiO2 Si界面上产生新生界面态方面出发,分析γ射线对MOS器件的阈值影响,但很少分析γ射线对高压MOS器件漏源击穿电压的影响。文章针对低剂量γ射线对高压PMOS器件中漏源击穿电压的作用进行综合分析;重点研究了低剂量辐照情况下高压PMOS器件的漏源击穿电压特性相对于常规剂量辐照后的变化。研究表明:低剂量的γ射线会引起高压PMOS器件漏源发生严重漏电;高压PMOS器件版图设计不当时,长期的低剂量γ射线会引起高压CMOS集成电路发生功能失效的风险。  相似文献   
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