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对MOS器件总剂量辐照机理的研究,多从γ射线在SiO2中产生电子 空穴对,以及γ射线作用在SiO2 Si界面上产生新生界面态方面出发,分析γ射线对MOS器件的阈值影响,但很少分析γ射线对高压MOS器件漏源击穿电压的影响。文章针对低剂量γ射线对高压PMOS器件中漏源击穿电压的作用进行综合分析;重点研究了低剂量辐照情况下高压PMOS器件的漏源击穿电压特性相对于常规剂量辐照后的变化。研究表明:低剂量的γ射线会引起高压PMOS器件漏源发生严重漏电;高压PMOS器件版图设计不当时,长期的低剂量γ射线会引起高压CMOS集成电路发生功能失效的风险。 相似文献
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古人云:"器为茶之父,水为茶之母"。喝茶的人都知道,水与茶的关系总是相得益彰。水是生命之源。"上善若水,水善利万物而不争"。先哲老子认为善利万物的水具有高尚的德行,这是对水的最高礼赞。 相似文献
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单级跨声速压气机进气畸变数值模拟 总被引:1,自引:1,他引:0
基于彻体力模型的基本思想,发展了一套能够反映进气畸变对风扇/压气机气动性能影响的三维数值计算程序CSAC.首先详细研究了彻体力模型的具体建模方法,然后发展了相应的三维数值计算程序.利用该程序针对某单级跨声速压气机在均匀进气下的流场进行了计算验证,计算结果与雷诺平均Navier-Stokes(RANS)计算吻合得很好,流场主要参数分布与相关实验数据也有很好的一致性.利用该程序分别计算分析了进口存在稳态周向总压畸变及周向总温畸变的全环三维畸变流场,结果表明:压气机进口畸变流场存在大尺度、强三维特征,将导致压气机总压比及稳定裕度下降.所有计算结果均显示该模型能够在降低对计算资源和工程经验依赖的同时,有效分析进气畸变对压气机特性的影响. 相似文献
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振动测量应用愈来愈多,做为振动测量标准的的标准振动台的幅度和频率的精度显得尤为重要,而现有标准振动台的精度难以突破1%。本文提供一种新型高精度、超低频标准振动台,其精度可高达0.005%,还可实现频率低达0.002778Hz的超低频标准振动台。 相似文献
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