TC4钛合金微弧氧化膜结构对化学镀Ni-P镀层结合性能的影响

在TC4钛合金上制备微弧氧化不同时间的氧化膜,然后进行化学镀Ni-P镀层,利用SEM、涂层附着力自动划痕仪和热震试验,研究不同微弧氧化膜结构对钛合金化学镀Ni-P镀层结合性能的影响.结果表明:随着微弧氧化时间的增加,微弧氧化膜表面的粗糙度增大,表面微孔逐渐变大,孔口先变成敞开形式然后慢慢缩合,最后变成凹槽状.微弧氧化时...     

2D-C/SiC复合材料在空气中的高温压缩强度研究

研究了二维碳纤维增强碳化硅基复合材料(2 D-C/SiC)在空气介质中的高温压缩强度.材料采用1K T300碳纤维平纹布经叠层和缝合制成预制体为增强体,经等温化学气相浸渗制备而成.试样表面用化学气相沉积工艺沉积SiC涂层.测试方向为垂直于炭布叠层方向,测试温度为室温,700℃,1100℃和1300℃.使用扫描电子显微镜观察了材料的断口.结果表明:室温～700℃,2D-C/SiC的压缩强度随温度升高逐渐增大,温度高于700℃后,材料的压缩强度缓慢降低.导致2D-C/SiC的压缩强度随温度变化的主要原因为纤维和基体热膨胀系数不同引起的残余应力随温度升高逐渐变小和高温下材料的氧化损伤.     

Fe3Si金属间化合物高温抗氧化性能研究

采用电弧熔炼法制备了Fe3Si金属间化合物.选用AISI 304不锈钢作对比,研究了Fe3Si在800℃和900℃空气环境中的高温抗氧化性能,利用XRD,SEM,EPMA等测试设备对Fe3Si金属间化合物进行了表征.结果表明:在800℃,900℃下,Fe3Si金属间化合物都表现出较AISI 304不锈钢更好的高温抗氧化...     

3,4-双(3',5'-二硝基苯-1'-基)氧化呋咱的热 行为和非等温热分解动力学研究

为了评价含能材料3,4-双(3',5 '-二硝基苯-l'-基)氧化呋咱(BDPF)的热稳定性和安全性,采用DSC、PDSC和'G/DTG方法对其进行了热行为及非等温热分解动力学研究.通过Kissinger和Ozawa's法得到常压下热分解反应的动力学参数(Ea和A)为180.46 kJ·mol-1和1015.29 s-...     

镁合金表面微弧氧化陶瓷膜耐蚀性能评价

在含有硅酸钠、氟化钠、氢氧化钾及甘油的电解液中对镁合金进行微弧氧化处理得到陶瓷膜,利用动电位极化曲线、电化学交流阻抗、循环阳极极化曲线以及腐蚀失重等实验手段对镁合金基体及经过微弧氧化处理后的试样的耐蚀性进行评价.结果一致表明经微弧氧化处理后镁合金的耐蚀性显著提高.     

O-SiC_P/Fe界面化学稳定性

SiC颗粒在静态空气气氛中经 12 0 0℃× 10h钝化氧化处理后在表面形成厚约 0 .6 μm ,具有晶态的 β 方石英结构的致密氧化膜。经在氢气气氛 ,115 0℃× 1h高温处理 ,3SiCP/Fe界面反应形成以Fe3 Si,颗粒状石墨和Fe3 C为主的反应产物。Fe3 Si和颗粒状石墨构成反应区 ,Fe3 C在金属基体晶界形成片状珠光体。 10SiCP/Fe中的界面反应更加激烈 ,SiCP 被完全消耗 ,并被由Fe3 Si和石墨颗粒构成的反应区所替代 ,金属基体因含Si量高而脆化。SiCP 表面氧化膜通过隔离原本相互接触的SiC与Fe以阻碍Fe ,Si和C原子的相互扩散 ,有利于抑制O SiCP/Fe界面反应 ,提高其界面化学稳定性     

防锈铝零件硫酸阳极氧化工艺优化应用研究

阐述了防锈铝零件采用普通阳极氧化工艺生产时出现的问题,对影响防锈铝零件阳极氧化膜质量的主要因素进行了工艺试验和分析,摸索出防锈铝零件阳极氧化优化的工艺规范,该工艺规范已应用于生产,取得了较好的效果。     

钛表面阳极化试验研究

进行了钛表面阳极化试验，分析了阳极化氧化膜的绝缘性能，得出了该氧化膜只能作为阳极保护膜，不能作为电解加工中阴极绝缘层的结论。     

电参数对 7075铝合金微弧氧化膜硬度的影响

通过使用直流双脉冲电源对 7075铝合金进行微弧氧化试验,研究了正向电压、占空比和脉冲频率等电参数对铝合金微弧氧化膜层硬度的影响。通过正交试验,研究了单一水平因素下的膜层硬度平均值的变化规律,发现了通过电参数提升膜层硬度的方法;通过相对极差分析,发现正向电压对膜层影响程度最大,脉冲频率对膜层影响程度最小。提出了针对 7075铝合金微弧氧化膜硬度提升的电参数优化方案:提升氧化膜硬度,应优先考虑增大正向电压;保证氧化膜硬度的同时兼顾其他表面性能,应优先调整对膜层硬度影响最小的脉冲频率。     

利用电化学方法制备有序多孔硅阵列

采用电化学刻蚀的方法，在自制的电解槽中制备n型〈100〉晶向多孔硅条状阵列。通过扫描电子显微镜对生成的多孔硅进行形貌观察，并对多孔硅条状阵列的生长速率与形貌进行了初步的理论分析和实验研究。实验结果表明，多孔硅的生长速率主要由临界电流密度决定，多孔硅生成初始阶段产生锥形刻痕的原因是初始电流密度比较小，加大电流密度可以消除刻痕。多孔硅分又是由孔间距远远大于自由电荷区而产生的，而深槽中出现分立小孔的原因是反应产生的氢气阻碍了阳极氧化的进行。本实验结果对开展多孔硅进一步的研究工作具有指导意义。